公开(公告)号：CN104955771B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201380071767.7

申请日：2013-12-02

Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构

Inventor： 真嵨哲朗 ,  立川贵士 ,  卞振锋

IPC: C01G23/053 ,  C01B13/32 ,  C01G3/02 ,  C01G9/00 ,  C01G9/02 ,  C01G53/00 ,  C01G53/04

CPC classification number: B01J23/80 ,  B01J21/063 ,  B01J21/066 ,  B01J23/06 ,  B01J23/10 ,  B01J23/72 ,  B01J23/745 ,  B01J23/75 ,  B01J23/755 ,  B01J35/002 ,  B01J35/004 ,  B01J35/006 ,  B01J35/02 ,  B01J35/023 ,  B01J35/1009 ,  B01J35/1014 ,  B01J35/1061 ,  B01J37/0203 ,  B01J37/12 ,  C01B13/18 ,  C01G1/02 ,  C01G3/02 ,  C01G9/006 ,  C01G9/02 ,  C01G23/053 ,  C01G53/00 ,  C01G53/04 ,  C01G53/40 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  C30B19/08 ,  C30B29/16 ,  C30B29/225 ,  H01B1/08

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物介晶体的制造方法，该制造方法包括在300～600℃的条件下煅烧包含一种或两种以上的金属氧化物前体、铵盐、表面活性剂以及水的前体水溶液的工序，通过该制造方法可以简单合成多种金属氧化物介晶体。此外，还可以提供由多种金属氧化物或合金氧化物组成的复合型介晶体。