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公开(公告)号：CN204694785U
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201520003034.6
申请日：2015-01-05
申请人： 国网上海市电力公司 , 上海致达智利达系统控制有限责任公司
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本实用新型公开了一种运用IEC61850通讯协议配电设备状态检测装置，包括电源模块、主控模块、总线模块、通用检测模块和专业检测模块；所述总线模块为底板形式，用于提供电源总线、并行信号总线和串行通讯总线，所述电源模块、主控模块、通用检测模块和专业检测模块通过插板方式插入总线模块的底板上；所述配电设备状态检测装置首先根据配电设备管理的需要，对一次系统进行描述，定位被检设备的电力系统位置；然后再根据配电设备状态信息的特点，对检测数据进行对象建模，包括分配IED、逻辑设备、逻辑节点和定义各逻辑节点数据对象；最后将建模文件导入装置内部的IEC61850转换卡，使装置成为IEC61850服务器对外通讯。
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公开(公告)号：CN113514856A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110388651.2
申请日：2021-04-12
摘要： 本发明提供了一种周跳检测方法、装置、电子设备及可读储存介质，其中，周跳检测方法，包括：获取目标历元的初始观测值，所述初始观测值包括N个第一卫星中每一所述第一卫星对应的位置参数与残差，N为大于1的整数；依据所述初始观测值，从所述N个第一卫星中确定出第二卫星，所述第二卫星为初始判定存在周跳的第一卫星；依据每一所述第二卫星对应的频点的数量，确定M个循环，M为大于1的整数；在所述M个循环中，依据所述第二卫星的数量、以及与所述第二卫星对应的位置参数与残差，检测所述初始观测值是否存在周跳。本发明能够有效降低周跳的虚假判断，避免了模糊度参数频繁的初始化，从而有助于提高卫星定位性能。
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公开(公告)号：CN110343233A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910568396.2
申请日：2019-06-27
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： C08G18/76 , C08G18/66 , C08G18/42 , C08G18/36 , C08G18/10 , C08G18/08 , C08K5/12 , C08K5/11 , C08K5/109 , C08K5/1515
摘要： 本发明公开了电工材料技术领域的一种高绝缘聚氨酯灌封料及其制备方法和应用。本发明高绝缘聚氨酯灌封料，以所述高绝缘聚氨酯灌封料的总质量计，包括如下组分：8～70wt％的长支链聚酯二元醇、5～50wt％的异氰酸酯、5～35wt％的憎水剂、2～37.8wt％的活性降粘剂、3～30wt％的交联剂、0.1～2.5wt％的防老剂、0.1～0.7wt％的消泡剂和0.1～3wt％的催化剂。添加憎水剂，可以极大减少材料的极性，减少材料吸水率、耐水解性能，提高灌封料在高绝缘工况中的稳定性。添加活性降粘剂，可以降低灌封料的粘度，且活性降粘剂的用量少，效果好，固化后容易挥发，收缩率低。本发明提供的高绝缘聚氨酯灌封料粘度低、工艺性好、拉伸强度大、耐碱解、耐老化、吸水率低，可满足苛刻应用工况环境要求。
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公开(公告)号：CN104465721B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201410737773.8
申请日：2014-12-05
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/205
摘要： 本发明提供了一种碳化硅外延材料。所述碳化硅外延材料包括：N+碳化硅单晶衬底层，位于衬底下面的P+支撑层和位于衬底表面的N‑漂移层，其制备方法包括以下步骤：1、N+型衬底的准备；2、对N+型衬底的背面化学机械抛光；3、在背面进行P+支撑层的生长；4、N+型衬底正面的减薄；5、正面化学机械抛光；6、在正面进行N‑型漂移层的生长。相对于传统碳化硅外延材料而言，采用本发明提供的外延材料P+支撑层电阻率低并且均匀性高，满足高压器件的需求。同时，该外延材料缺陷少，制作方法简单，工艺重复性好，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN108491568A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810118805.4
申请日：2018-02-06
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明提供了一种取向硅钢叠片损耗计算方法及系统，该取向硅钢叠片损耗计算方法包括：获取待测磁化工况信息、取向硅钢叠片的总有效质量m和取向硅钢叠片的单片厚度d、温度T及密度ρ；获取磁化工况中波形为正弦时取向硅钢叠片的比总损耗测试数据，并根据比总损耗测试数据确定磁滞损耗计算系数；根据计算系数及待测磁化工况信息，计算取向硅钢叠片的磁滞损耗；根据待测磁化工况信息、单片厚度d、温度T及密度ρ，计算取向硅钢叠片的涡流损耗；根据总有效质量m、磁滞损耗及涡流损耗计算取向硅钢叠片的总损耗。通过实施本发明，提高了计算结果的准确度，从而为取向硅钢叠片的科学研究及实际应用提供准确的数据基础。
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公开(公告)号：CN107180303A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710334365.1
申请日：2017-05-12
申请人： 国网上海市电力公司
CPC分类号： G06Q10/0637 , G06N3/126 , G06Q50/06
摘要： 本发明公开了一种基于全寿命周期成本管理的配电网规划方法，包含以下过程：在满足电网安全稳定运行的前提下，给出配电网规划方案全寿命周期成本的计算模型，以全寿命周期成本最小为目标函数，利用聚类排挤小生境遗传算法对配网路径规划进行优化，通过对不同的开关布置方式进行全寿命周期费用对比分析得到全寿命周期最小的配电规划方案。最后通过算例证明该方法的可行性和有效性。本发明为配电网规划、运行和改造以及电力公司的营运效益提供新的分析方法和辅助决策理论依据，优化电网配制的技术，获得经济性最优的规划方案。
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公开(公告)号：CN104465721A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410737773.8
申请日：2014-12-05
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/205
摘要： 本发明提供了一种碳化硅外延材料。所述碳化硅外延材料包括：N+碳化硅单晶衬底层，位于衬底下面的P+支撑层和位于衬底表面的N-漂移层，其制备方法包括以下步骤：1、N+型衬底的准备；2、对N+型衬底的背面化学机械抛光；3、在背面进行P+支撑层的生长；4、N+型衬底正面的减薄；5、正面化学机械抛光；6、在正面进行N-型漂移层的生长。相对于传统碳化硅外延材料而言，采用本发明提供的外延材料P+支撑层电阻率低并且均匀性高，满足高压器件的需求。同时，该外延材料缺陷少，制作方法简单，工艺重复性好，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN114878646B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202210493599.1
申请日：2022-05-07
申请人： 西安交通大学 , 国网智能电网研究院有限公司 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： G01N27/22
摘要： 本发明公开了一种环氧材料的介电松弛分析方法，在DSC实验基础上对高温介电谱实验数据进行拟合计算，用松弛过程δ、松弛过程α和电导损耗拟合出复介电常数，得到表征偶极极化松弛强度的参数Δεα，进而拟合出与极性材料的偶极向量有关的物理量A；电介质介电损耗峰的频率与温度存在联系，通过用Arrhenius公式或Vogel‑Fulcher‑Tammann(VFT)公式对损耗峰频率与温度关系的拟合计算，可得到Tg、分子活化能等用以表征分子链松弛特性的理化参数。
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公开(公告)号：CN113514856B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202110388651.2
申请日：2021-04-12
摘要： 本发明提供了一种周跳检测方法、装置、电子设备及可读储存介质，其中，周跳检测方法，包括：获取目标历元的初始观测值，所述初始观测值包括N个第一卫星中每一所述第一卫星对应的位置参数与残差，N为大于1的整数；依据所述初始观测值，从所述N个第一卫星中确定出第二卫星，所述第二卫星为初始判定存在周跳的第一卫星；依据每一所述第二卫星对应的频点的数量，确定M个循环，M为大于1的整数；在所述M个循环中，依据所述第二卫星的数量、以及与所述第二卫星对应的位置参数与残差，检测所述初始观测值是否存在周跳。本发明能够有效降低周跳的虚(56)对比文件张晶宇.GNSS整数模糊度估计与检验的理论和方法研究《.中国博士学位论文全文数据库 基础科学辑》.2019,1-202.白伟华 等 .星载双频GPS载波相位周跳的实时探测与修复《.数据采集与处理》.2008,593-599.Liu, T., Zhang, B., Yuan, Y., Li, Z.,Wang, N..Multi-GNSS triplefrequencydifferential code bias (DCB)determination with precise pointpositioning (PPP)《.J. Geod》.2019,765–784.Zhang Xiaohong & Li Xingxing《.GPSSolutions》.2011,315–327 .
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公开(公告)号：CN116751397A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310525022.9
申请日：2023-05-11
申请人： 国网智能电网研究院有限公司 , 北京智慧能源研究院 , 国网上海市电力公司 , 天津大学 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明涉及一种增强绝缘特性的聚丙烯薄膜、方法、应用及薄膜电容器，该增强绝缘特性的聚丙烯薄膜制备方法是：制备光催化接枝反应溶液；将光催化接枝反应溶液充分浸润聚丙烯薄膜，构成玻璃板/聚丙烯薄膜/玻璃板的三层组合；将玻璃板/聚丙烯薄膜/玻璃板的三层组合进行光催化接枝处理；将光催化接枝处理后的聚丙烯薄膜取出，进行冲洗并干燥后得到增强绝缘特性的聚丙烯薄膜。本发明通过对聚丙烯薄膜表面接枝强极性官能团，引入了深陷阱，有效抑制了来自于电极的界面电荷注入，从而降低了介电损耗，并提升薄膜的绝缘性能，性能提升效果明显、操作简易且价格成本低廉，并且能够大规模生产制备，可广泛用于薄膜电容器。
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