高压固态半导体开关器件及提高该电压利用率方法和应用

    公开(公告)号:CN113783173A

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202110977779.2

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 高压固态半导体开关器件及提高该电压利用率方法和应用,包括高压固态半导体开关器件,所述每一个高压固态半导体开关器件的集电极与发射极之间并联一个模块化间隙避雷器;所述模块化间隙避雷器包括压敏电阻MOV与可击穿间隙串联组成。与现有半导体固态开关中由纯MOV构成的限压电路相比,本发明在保障固态半导体开关器件安全的前提下,与MOV串联的可击穿间隙可以在静态时额外分担一部分直流电压,从而提高固态半导体开关器件的额定直流电压VDC,有效提高器件电压利用率。在固态半导体开关器件的关断暂态,与MOV串联的可击穿间隙击穿并呈现低阻态,然后避雷器吸收故障能量并限制半导体开关器件电压,从而保护固态半导体开关器件。

    一种IGBT模块的键合线断裂状态监测方法及装置

    公开(公告)号:CN114002575A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202111293944.9

    申请日:2021-11-03

    Abstract: 本发明公开了一种IGBT模块的键合线断裂状态监测方法及装置。该方法包括:采集IGBT模块中下桥IGBT器件的集电极电压;当判断所述集电极电压到零时,对当前集电极电压负向过冲进行采样;建立所述IGBT模块健康状态时集电极电压负向过冲的基准值;将所述当前集电极电压负向过冲和所述基准值进行比较;根据比较结果确定所述IGBT模块的运行状态。利用半桥结构动作器件关断过程的集电极电压负向过冲监测IGBT芯片失效,该方法受电容电压变化影响小,且在不同的负载电流下依然可以保持较高的变化率,能够对IGBT模块发射极键合线部分断裂进行有效监测。

    一种IGBT模块的键合线断裂状态监测方法及装置

    公开(公告)号:CN114002575B

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202111293944.9

    申请日:2021-11-03

    Abstract: 本发明公开了一种IGBT模块的键合线断裂状态监测方法及装置。该方法包括:采集IGBT模块中下桥IGBT器件的集电极电压;当判断所述集电极电压到零时,对当前集电极电压负向过冲进行采样;建立所述IGBT模块健康状态时集电极电压负向过冲的基准值;将所述当前集电极电压负向过冲和所述基准值进行比较;根据比较结果确定所述IGBT模块的运行状态。利用半桥结构动作器件关断过程的集电极电压负向过冲监测IGBT芯片失效,该方法受电容电压变化影响小,且在不同的负载电流下依然可以保持较高的变化率,能够对IGBT模块发射极键合线部分断裂进行有效监测。

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