公开(公告)号：CN117607529A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311481637.2

申请日：2023-11-06

申请人： 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 ,  重庆大学 ,  国网宁夏电力有限公司 ,  国网宁夏电力有限公司石嘴山供电公司

发明人： 孙尚鹏 ,  马飞越 ,  王博 ,  相中华 ,  黎炜 ,  杨庆 ,  柯锟 ,  邱震辉 ,  周江霖 ,  潘亮亮 ,  倪辉 ,  陈磊 ,  白涛 ,  刘宁波 ,  张福荣

IPC分类号： G01R19/25

摘要： 本发明公开一种双差分非侵入式电压测量方法、介质及系统，包括：在待测导线的两侧相对设置第一差分耦合式传感器和第二差分耦合式传感器，第一差分耦合式传感器包括相对的第一感应电极和第二感应电极，第一差分放大器，第二差分耦合式传感器包括相对的第三感应电极和第四感应电极，第二差分放大器；将第一感应电极和第二感应电极输出的电压通过第一差分放大器进行差分放大后输出第一电压，将第三感应电极和第四感应电极输出的电压通过第二差分放大器进行差分放大后输出第二电压；将第一电压和第二电压通过第三差分放大器进行差分放大后输出第三电压；将第三电压对时间积分，得到暂态电压波形。本发明测量精度高，适应断路器宽频带的变化需求。

公开(公告)号：CN117706160A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311648280.2

申请日：2023-12-04

申请人： 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 ,  国网宁夏电力有限公司 ,  重庆大学

发明人： 马飞越 ,  牛勃 ,  孙尚鹏 ,  倪辉 ,  黎炜 ,  相中华 ,  杨庆 ,  邱震辉 ,  柯琨

IPC分类号： G01R19/00 ,  G01R15/06 ,  G06F18/243

摘要： 本发明提供了一种自构电场式非侵入式电压测量装置及其设计方法，属于电压测量装置技术领域，该装置包括屏蔽圆环、第一感应片、第二感应片以及电场传感器，所述第一感应片包括第一平面片和第一曲面片，所述第二感应片包括第二平面片和第二曲面片，其中，所述第一曲面片和所述第二曲面片均为所述屏蔽圆环的同心圆弧面，所述第一平面片和所述第二平面片与所述屏蔽圆环圆心的连线垂直于所述第一平面片、以及所述第二平面片，所述第一平面片与所述第二平面片平行且所述电场传感器设置在所述第一平面片和所述第二平面片之间；所述屏蔽圆环内部填充有绝缘材料，用于固定第一感应片、第二感应片和电场传感器，并将待测导线固定在所述屏蔽圆环的中心。

公开(公告)号：CN117706160B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202311648280.2

申请日：2023-12-04

申请人： 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 ,  国网宁夏电力有限公司 ,  重庆大学

发明人： 马飞越 ,  牛勃 ,  孙尚鹏 ,  倪辉 ,  黎炜 ,  相中华 ,  杨庆 ,  邱震辉 ,  柯琨

IPC分类号： G01R19/00 ,  G01R15/06 ,  G06F18/243

摘要： 本发明提供了一种自构电场式非侵入式电压测量装置及其设计方法，属于电压测量装置技术领域，该装置包括屏蔽圆环、第一感应片、第二感应片以及电场传感器，所述第一感应片包括第一平面片和第一曲面片，所述第二感应片包括第二平面片和第二曲面片，其中，所述第一曲面片和所述第二曲面片均为所述屏蔽圆环的同心圆弧面，所述第一平面片和所述第二平面片与所述屏蔽圆环圆心的连线垂直于所述第一平面片、以及所述第二平面片，所述第一平面片与所述第二平面片平行且所述电场传感器设置在所述第一平面片和所述第二平面片之间；所述屏蔽圆环内部填充有绝缘材料，用于固定第一感应片、第二感应片和电场传感器，并将待测导线固定在所述屏蔽圆环的中心。

公开(公告)号：CN116125123A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310041219.5

申请日：2023-01-11

申请人： 重庆大学

发明人： 杨庆 ,  柯锟 ,  廖伟 ,  邱震辉

IPC分类号： G01R19/00 ,  G01R31/08

摘要： 本发明实施例公开了一种基于近端积分反演的非侵入式电压测量方法，包括：在被测设备周围选择参考点，将被测设备和参考点之间的铅垂线作为被测电场的积分区间[0，H]，并对积分区间[0，H]的积分上限H和积分下限0进行归一化处理，得到归一化的积分节点位置；基于归一化的积分节点位置，将积分区间[0，H]划定为弱场区[0，kH]和强场区[kH，H]，选定强场区舍弃弱场区，将强场区作为有效积分区间；在有效积分区间上布置电场传感器阵列；获取传感器阵列在有效积分区间上的电场强度，采用电场积分法确定被测设备的电压。本发明在测量过程中能够提高数据的有效度，大幅度降低其它不利因素的影响，进而可以对被测设备对象的电压值进行精准测量。

公开(公告)号：CN116040577A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202310039782.9

申请日：2023-01-11

申请人： 重庆大学

发明人： 杨庆 ,  柯锟 ,  廖伟 ,  邱震辉

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H10N30/30 ,  H10N30/85 ,  G01R33/00

摘要： 本发明实施例公开了一种制备压电驱动MEMS电场传感器的工艺方法，对SOI片双面热氧化；在SOI片正面的绝缘层上制备粘接层和下驱动电极层；在下驱动电极层上制备压电材料层；在压电材料层上制备上驱动电极层，并剥离上驱动电极层；刻蚀压电材料层；刻蚀下驱动电极层和粘接层；刻蚀SOI片正面的绝缘层；在SOI片正面的顶硅层上制备感应电极焊盘；刻蚀SOI片正面的顶硅层；在SOI片正面旋涂保护材料；去除SOI片背面的绝缘层，并刻蚀SOI片的底硅层和埋氧层；去除SOI片正面的保护材料，得到MEMS电场传感器。本发明制备工艺简单、成本低，利于大规模生产。