电缆沟道用换气装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105743050A

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201610168056.7

    申请日:2016-03-23

    CPC classification number: H02G9/02 F04D25/12 F04D29/00

    Abstract: 本发明属于电力辅助设备领域,涉及电缆沟道,尤其涉及一种电缆沟道用换气装置。包括用于放置在电缆井内呈管状的本体,所述本体顶端的侧壁上设置有支撑提手,所述本体内设置有换气风扇,所述换气风扇设置在本体内部的顶端,所述换气风扇包括固定在本体内壁上的支撑架以及设置在支撑架上的驱动电机,所述驱动电机的动力端连接有风扇,所述风扇与本体轴向方向垂直设置,所述换气风扇的下方间隔设置有辅助风轮。本发明通过提供一种电缆沟道用换气装置,利用与水平面平行设置的换气风扇以及辅助风轮的配合,达到快速抽气、换气的目的,同时,本发明结构简单、加工方便、成本低廉且使用效果好。

    一种电力线路检测装置
    3.
    实用新型

    公开(公告)号:CN205665331U

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201620534243.8

    申请日:2016-06-03

    Abstract: 本实用新型公开了一种电力线路检测装置,包括发送装置和接收装置,所述发送装置包括依次电连接的信号采集模块、信号滤波模块、积分比较模块和第一声光显示模块,所述信号滤波模块和积分比较模块均通过电导体连接有无线信号发送模块,所述接收装置包括无线信号接收模块,所述无线信号接收模块通过电导体连接有第一接收模块和第二接收模块,且第一接收模块和第二接收模块均通过电导体连接有EPGA模块。本实用新型结构简单,设计巧妙,使用方便,利用FPGA的高速、可编程的特点,结合无线传输理论及电磁兼容原则,具有实用、可靠、低成本、全方位、精度高的特点,并且有效的解决了接线检测产生的麻烦,降低了操作危险性。

    电缆沟道用换气装置
    4.
    实用新型

    公开(公告)号:CN205646735U

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201620225895.3

    申请日:2016-03-23

    Abstract: 本实用新型属于电力辅助设备领域,涉及电缆沟道,尤其涉及一种电缆沟道用换气装置。包括用于放置在电缆井内呈管状的本体,所述本体顶端的侧壁上设置有支撑提手,所述本体内设置有换气风扇,所述换气风扇设置在本体内部的顶端,所述换气风扇包括固定在本体内壁上的支撑架以及设置在支撑架上的驱动电机,所述驱动电机的动力端连接有风扇,所述风扇与本体轴向方向垂直设置,所述换气风扇的下方间隔设置有辅助风轮。本实用新型通过提供一种电缆沟道用换气装置,利用与水平面平行设置的换气风扇以及辅助风轮的配合,达到快速抽气、换气的目的,同时,本实用新型结构简单、加工方便、成本低廉且使用效果好。

    一种垂直型半导体器件的双面终端结构

    公开(公告)号:CN106505092B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN201610685489.X

    申请日:2016-08-18

    Abstract: 本发明提供一种垂直型半导体器件的双面终端结构,所述垂直型半导体器件为双极型晶体管、晶闸管、MOSFET、IGBT、MOSFET派生器件、IGBT派生器件或晶闸管派生器件;所述双面终端结构包括元胞区、终端区、阴极、门极和阳极;所述终端区包括正面终端和背面终端;所述正面终端和背面终端环绕在所述元胞区周围,所述阴极和门极沉积在所述元胞区的正面,所述阳极沉积在所述元胞区的背面。本发明提供的垂直型半导体器件的双面终端结构,在传统的正面终端基础上增加了背面终端结构,形成了双面终端结构,在不增加终端面积的前提下,提高了终端的整体耐压能力,提高了终端结构的效率。

    RC-IGBT器件的背面结构制备方法

    公开(公告)号:CN107706109A

    公开(公告)日:2018-02-16

    申请号:CN201711017441.2

    申请日:2017-10-26

    Abstract: 本发明涉及一种RC-IGBT器件的背面结构制备方法,其包括如下步骤:步骤1、提供制备有正面元胞结构的RC-IGBT晶圆;步骤2、进行P型杂质离子注入;步骤3、激活注入到RC-IGBT晶圆背面的P型杂质离子;步骤4、向上述RC-IGBT晶圆背面注入N型杂质离子;步骤5、将激活基片键合在上述RC-IGBT晶圆的背面;步骤6、在RC-IGBT晶圆背面形成所需图形化分布的P型掺杂区域与N型掺杂区域;步骤7、将激活基片与RC-IGBT晶圆的背面分离,并对上述RC-IGBT晶圆的背面金属化。本发明工艺步骤简单,能够省去RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序,有效缩短RC-IGBT晶圆的加工周期,降低加工成本,与现有工艺兼容,安全可靠。

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