一种基于半导体器件的电场强度测量方法

    公开(公告)号:CN113406404B

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202110596719.6

    申请日:2021-05-31

    IPC分类号: G01R29/14 G01R31/26

    摘要: 本发明公开了基于半导体器件的电场强度测量方法,包括:S1、从已测得击穿场强的多个不同型号的半导体器件中选择两种不同型号的半导体器件,编号Slow、Shigh,对应的击穿场强Dlow、Dhigh;其中,Slow能被待测位置处的场强击穿,Shigh不能被待测位置处的场强击穿;S2、判断Slow与Shigh之间的击穿场强之差是否小于测量允许误差,若小于,则待测位置处的场强为(Dhigh+Dlow)/2;若不小于,则进入步骤S3;S3、从已测得击穿场强的多个不同型号的半导体器件中选择击穿场强为半导体器件Slow与Shigh的击穿场强均值的半导体器件Smid,并放置在待测位置处;S4、判断Smid是否被击穿:若被击穿,则将Smid作为更新的半导体器件Slow并返回步骤S2;若未被击穿,则将Smid作为更新的半导体器件Shigh并返回步骤S2。

    一种基于半导体器件的电场强度测量方法

    公开(公告)号:CN113406404A

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN202110596719.6

    申请日:2021-05-31

    IPC分类号: G01R29/14 G01R31/26

    摘要: 本发明公开了基于半导体器件的电场强度测量方法,包括:S1、从已测得击穿场强的多个不同型号的半导体器件中选择两种不同型号的半导体器件,编号Slow、Shigh,对应的击穿场强Dlow、Dhigh;其中,Slow能被待测位置处的场强击穿,Shigh不能被待测位置处的场强击穿;S2、判断Slow与Shigh之间的击穿场强之差是否小于测量允许误差,若小于,则待测位置处的场强为(Dhigh+Dlow)/2;若不小于,则进入步骤S3;S3、从已测得击穿场强的多个不同型号的半导体器件中选择击穿场强为半导体器件Slow与Shigh的击穿场强均值的半导体器件Smid,并放置在待测位置处;S4、判断Smid是否被击穿:若被击穿,则将Smid作为更新的半导体器件Slow并返回步骤S2;若未被击穿,则将Smid作为更新的半导体器件Shigh并返回步骤S2。

    一种人工积污装置及方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113049432A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202110311503.0

    申请日:2021-03-24

    IPC分类号: G01N5/00 B05B15/00

    摘要: 一种人工积污装置及方法,该装置包括污秽粒子分散区、污秽粒子沉降区、隔板以及风扇,所述污秽粒子分散区位于所述污秽粒子沉降区的上方,所述隔板将所述污秽粒子分散区与所述污秽粒子沉降区分隔开,待积污对象放置在所述污秽粒子沉降区中,所述风扇设置于所述污秽粒子分散区中,用于吹风以使污秽粒子在所述污秽粒子分散区中均匀分散,所述隔板为可移除或可打开式结构,当所述隔板被移除或打开时,在所述污秽粒子分散区中均匀分散的污秽粒子进入所述污秽粒子沉降区,并以自然沉降方式附着于待积污对象上。本发明实现以自然沉降方式使污秽粒子均匀附着于电路板上,避免额外人工操作的干扰,提高电路板积污的一致性。

    一种超大伞径的硬质绝缘子及其制备方法

    公开(公告)号:CN118609924A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202411083179.1

    申请日:2024-08-08

    摘要: 本发明公开了一种超大伞径的硬质绝缘子及其制备方法。所述超大伞径的硬质绝缘子包括芯棒、伞裙、护套和金具,所述伞裙和所述护套一体成型并包裹于所述芯棒的外表面,所述金具为球头‑球窝结构,所述球头和所述球窝分别固定于所述芯棒的两端,所述伞裙的直径在600mm以上,所述伞裙和所述护套由硬质绝缘材料制成,所述硬质绝缘材料包括如下重量份的各组分:环氧树脂:90份‑110份;固化剂:90份‑110份;无机填料:100份‑300份;改性剂:5份‑10份。本发明的超大伞径的硬质绝缘子具有出色的性能,可有效提高输电线路的运行可靠性。

    脂环族环氧树脂基组合物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117986807A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202410146346.6

    申请日:2024-01-31

    IPC分类号: C08L63/00 C08L83/04

    摘要: 本申请提出一种脂环族环氧树脂基组合物及其制备方法和应用。本申请首先将聚硅氧烷和脂环族环氧树脂制备成有机硅预聚体,再将有机硅预聚体与脂环族环氧树脂共混,并利用聚硅氧烷与脂族环氧树脂不相容、自发分层的固有属性,使得在共混时有机硅预聚体中的脂环族环氧树脂与外部的脂环族环氧树脂形成共价连接,从而使得有机硅预聚体与外部的脂环族环氧树脂之间部分相容、自然过渡而无宏观界面层。本申请的脂环族环氧树脂基组合物,在不牺牲脂环族环氧树脂基体‑芯棒界面性能的前提下,还能协同实现材料表面憎水与脂环族环氧树脂‑有机硅预聚体层间无宏观界面的效果。