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公开(公告)号：CN103050979B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210464798.6
申请日：2012-11-16
申请人： 国网智能电网研究院 , 重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC分类号： H02J3/18
CPC分类号： Y02E40/30
摘要： 本发明涉及电力系统领域，具体涉及一种电网静止无功补偿器连接母线电压的计算方法。包括下述步骤：（1）定义变压器短路容量SdT；（2）定义静止无功补偿器SVC连接母线电压升高或降低系数ku；（3）确定静止无功补偿器SVC投入后连接母线的电压US。该方法通过定义变压器短路容量及静止无功补偿器SVC母线电压升高或降低系数，简便计算静止无功补偿器SVC连接母线的运行电压，综合考虑电网、静止无功补偿器SVC及其它变电站补偿设备的多种运行方式，得到静止无功补偿器SVC所接母线的最高和最低运行电压，正确选择静止无功补偿器SVC设备参数，作为设备安全、适应性论证提供依据。
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公开(公告)号：CN103050979A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210464798.6
申请日：2012-11-16
申请人： 国网智能电网研究院 , 重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC分类号： H02J3/18
CPC分类号： Y02E40/30
摘要： 本发明涉及电力系统领域，具体涉及一种电网静止无功补偿器连接母线电压的计算方法。包括下述步骤：（1）定义变压器短路容量SdT；（2）定义静止无功补偿器SVC连接母线电压升高或降低系数ku；（3）确定静止无功补偿器SVC投入后连接母线的电压US。该方法通过定义变压器短路容量及静止无功补偿器SVC母线电压升高或降低系数，简便计算静止无功补偿器SVC连接母线的运行电压，综合考虑电网、静止无功补偿器SVC及其它变电站补偿设备的多种运行方式，得到静止无功补偿器SVC所接母线的最高和最低运行电压，正确选择静止无功补偿器SVC设备参数，作为设备安全、适应性论证提供依据。
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公开(公告)号：CN104021104B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201410262251.7
申请日：2014-06-12
IPC分类号： G06F13/40
摘要： 本发明提供一种基于双总线结构的协同系统及其通信方法，所述系统包括主控模块、安全协处理模块和存储器；所述主控模块应用程序、数据与安全协处理模块应用程序、数据分别存储于两块存储器中，分别挂载在主控总线与安全模块总线上。所述方法包括(1)主控模块与安全协处理模块通过SPI总线进行通信；(2)主控模块发起安全加解密或签名验签操作；(3)发送安全处理命令；(4)送入命令操作数据对象并等待处理后的数据反馈。本发明双总线结构适用于对于安全运算频繁调用的应用之中，减少了总线拥塞程度，提高了访存带宽，提供了安全性，通过对于安全协处理模块的通信方式的约定以及访问控制保障系统关键数据的安全完整。
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公开(公告)号：CN103872144B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410081630.6
申请日：2014-03-06
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本发明涉及一种软快恢复二极管及其制造方法。二极管包括N型本征区、背N+缓冲区、阳极金属层和阴极金属层，背N+缓冲区设置于N型本征区的背面，在N型本征区的正面和阳极金属层之间设有P型发射区，在阳极金属层的两端对称设有掩蔽氧化层，在有源区的边界处设有P型高阻区，在有源区的中心处设有P+欧姆接触层；全局寿命控制区设置于二极管的整体，覆盖二极管的所有结构层；在二极管的轴向方向上，局域寿命控制层位于P型发射区内靠近P+欧姆接触层的位置上，在二极管的垂直于轴向的方向上，局域寿命控制层位于P型发射区和P型高阻区组成的平面内。本发明通过采用全局加局域寿命控制方式，实现器件的软快恢复特性；通过增加高阻区，提高器件的抗雪崩能力。
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公开(公告)号：CN104133656A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410360280.7
申请日：2014-07-25
IPC分类号： G06F7/535
摘要： 本发明涉及一种尾码采用移位和减法运算的浮点数除法器及运算方法，所述除法器包括预处理模块，符号位运算模块，浮点数阶码运算模块，浮点数尾码运算模块，浮点数后处理模块；所述预处理模块、符号位运算模块、浮点数阶码运算模块、浮点数尾码运算模块和浮点数后处理模块相连。所述方法包括(1)进行判0处理和数据分解；(2)计算出商的符号；(3)计算出阶码的商；(4)处理得到尾数除法的商；(5)进行浮点数商的整合和规格化处理。本发明把除法运算转换成移位和减法运算，采循环移位方法，用硬件电路实现，运算的精度高，运算延迟小，可行性好。采用移位方法得到商值，结构简单，便于移植。本发明适合单精度和双精度的浮点数除法器。
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公开(公告)号：CN104125042A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410357404.6
申请日：2014-07-25
摘要： 本发明提供一种硬件解码系统及其实现方法，所述系统包括处理器、数据存储器、采样值解码器和以太网控制器；所述以太网控制器、采样值解码器、数据存储器和处理器依次连接。所述方法包括(1)以太网控制器接收网络物理层PHY发送的采样值帧数据并进行处理；(2)采样值解码器按ASN.1原理对采样值9-2帧数据进行解码，解码后的数据发送给数据存储器；(3)数据存储器将采样值数据集信息按照存储结构体的要求存储；(4)处理器根据需求调用采样值解码数据，进行后续数据处理。本发明可以改善软件解码效率低下的问题，提升解码速率；降低因处理器资源紧张而造成的误码率；提升智能装置在长期应用中的可靠性。
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公开(公告)号：CN103970709A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410177438.7
申请日：2014-04-29
IPC分类号： G06F15/163
摘要： 本发明提供一种FFT协处理器与主处理器通信方法，该方法包括如下步骤：将CPU和DMA控制器均连接到AHB总线；DMA控制器集成AHB总线到APB总线的桥；FFT协处理器集成APB总线的从控制器；FFT协处理器发出中断请求；CPU响应所述中断请求；DMA控制器将FFT的运算结果搬移到系统内存；通信结束。通过本发明提供的方法，解决了慢速FFT协处理器和主处理器数据交换的问题；根据FFT协处理器所需要传输的数据的特点采用DMA进行FFT协处理器与主处理器的数据交换，提高了CPU和总线的利用率。
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公开(公告)号：CN103970532A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410140342.3
申请日：2014-04-09
IPC分类号： G06F9/44
摘要： 本发明提供一种用于IEC61850协议转换设备的VxWorks操作系统的设计方法，其特征在于：包括以下步骤：对VxWorks操作系统进行源码模块设计；对VxWorks操作系统进行源码函数设计；对VxWorks操作系统进行源码编译。本发明提供的用于IEC61850协议转换设备的VxWorks操作系统的设计方法，通过对嵌入式实时操作系统VxWorks操作系统进行特定设计，能够解决IEC61850协议转换设备操作系统占用存储空间过大、冗余模块过多等问题；使用基于此方法设计的VxWorks操作系统的IEC61850协议转换设备，具备结构简单、体积小、功耗低、可靠性高、可根据实际应用需求灵活修改等优点，同时增强了操作系统通信转换的可靠性，降低了电力系统通信的安全隐患。
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公开(公告)号：CN103603048A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310279780.3
申请日：2013-07-04
摘要： 本发明提供一种改进碳化硅外延片均匀性的方法，可用来生长厚度均匀的碳化硅外延片。通过在反应腔体的气流下方安装气流阻挡环，然后将碳化硅衬底置于支撑台上，再将反应腔体内加热到外延所需温度，通入反应气体和载气，最终在碳化硅衬底上形成碳化硅外延层。本发明获得的碳化硅外延片厚度更均匀，且装置简单，为改善传统设备最可行和最为廉价的方法，不需要过多的成本投入，利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103579165A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310538589.6
申请日：2013-11-04
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/492 , H01L23/16 , H01L23/02
CPC分类号： H01L24/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种功率半导体器件，具体涉及一种全压接式功率器件。全压接功率器件由上下电极配合多层材料与硅片实现全压接式接触，消除了因焊接疲劳导致的器件失效。与传统IGBT模块作为单一器件使用相比，芯片紧固力与器件紧固力由不同的器件分别提供，有效提高器件串联使用时的紧固力，不再受功率芯片压力承受极限的限制，满足多个器件串联使用的要求。
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