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公开(公告)号：CN118084484A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410190530.0
申请日：2024-02-20
Applicant: 国网智能电网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC: C04B35/475 , H01G4/12 , C04B35/622
Abstract: 一种高熵钙钛矿陶瓷材料及其制备方法和电容器，属于钙钛矿陶瓷材料技术领域。本发明高熵钙钛矿陶瓷材料，化学组成为(Bi0.4‑xLnxNa0.2K0.2Ba0.2)TiO3，其中，镧系元素Ln包括La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd中的至少一种；0
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公开(公告)号：CN102424580A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110255952.4
申请日：2011-09-01
Applicant: 华北电力大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了属于压电陶瓷领域的一种锗掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其低温烧结制备方法。锗掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的组成为(KaNabLic)(TadNb1-d)O3+xGeO2，其中a、b、c、d、x分别代表K、Na、Li、Ta组成元素的摩尔分数以及GeO2的质量分数，其数值范围是：0.4≤a≤0.6，0.4≤b≤0.6，0≤c≤0.1，0≤d≤0.2，0＜x≤2％。其制备方法包括原料的烘干、称量、混合、焙烧、成型、烧结、被银、极化等。本发明的优点在于：通过掺杂GeO2有效的降低了铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的烧结温度，在900～1040℃的低温范围内合成了性能较好的陶瓷样品。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1844441A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610011834.8
申请日：2006-04-30
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明提供了一种原位生成超细晶二硅化钼涂层的方法，属于原位生成超细晶二硅化钼涂层技术领域。采用冲击大电流直接加热钼箔包裹硅粉末的粉芯箔，利用电热及电爆炸产生的瞬态超高温原位生成二硅化钼，并使二硅化钼熔滴以3000－5000m/s的超高速从喷枪出口喷射至基体表面，形成具有冶金结合的二硅化钼涂层，涂层的晶粒尺寸在100－1000nm范围。解决了热喷涂法原位生成超细晶二硅化钼涂层的技术难点，使涂层与基体达到冶金结合；并具有成本低、制备工艺较简单。
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公开(公告)号：CN117107288A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311069268.6
申请日：2023-08-23
Applicant: 华北电力大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/089 , C25B11/054 , C25B1/04 , C25D3/56
Abstract: 本发明属于电催化领域，涉及一种P掺杂NiCo基非贵金属催化剂及其制备方法，具体公开一种用于工业碱性水电解析氢反应的P掺杂NiCo基非贵金属催化剂。在碱性电解水(海水)体系中，不使用任何贵金属即可高效稳定地催化阴极析氢反应，并能实现大规模一体化制备。不仅解决成本高昂、自支撑催化材料大规模制备困难的问题，还兼备催化活性与稳定性强的效果，适于推广与应用。
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公开(公告)号：CN114573339B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202210336810.9
申请日：2022-03-31
Applicant: 华北电力大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供一种高储能密度无铅高熵钙钛矿陶瓷及制备方法、以及电容器。其中，制备方法包括如下步骤：步骤1，制备Sr(Mg1/3NbyTa2/3‑y)O3粉体，其中，0≤y≤2/3；步骤2，称取Bi2O3、Na2CO3、K2CO3、BaCO3、TiO2，以及Sr(Mg1/3NbyTa2/3‑y)O3粉体，按照(1‑x)Bi0.4Na0.2K0.2Ba0.2TiO3‑xSr(Mg1/3NbyTa2/3‑y)O3的化学计量进行配比并混合，其中0
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公开(公告)号：CN114573339A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210336810.9
申请日：2022-03-31
Applicant: 华北电力大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供一种高储能密度无铅高熵钙钛矿陶瓷及制备方法、以及电容器。其中，制备方法包括如下步骤：步骤1，制备Sr(Mg1/3NbyTa2/3‑y)O3粉体，其中，0≤y≤2/3；步骤2，称取Bi2O3、Na2CO3、K2CO3、BaCO3、TiO2，以及Sr(Mg1/3NbyTa2/3‑y)O3粉体，按照(1‑x)Bi0.4Na0.2K0.2Ba0.2TiO3‑xSr(Mg1/3NbyTa2/3‑y)O3的化学计量进行配比并混合，其中0
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公开(公告)号：CN100417742C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200610011834.8
申请日：2006-04-30
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明提供了一种原位生成超细晶二硅化钼涂层的方法，属于原位生成超细晶二硅化钼涂层技术领域。采用冲击大电流直接加热钼箔包裹硅粉末的粉芯箔，利用电热及电爆炸产生的瞬态超高温原位生成二硅化钼，并使二硅化钼熔滴以3000-5000m/s的超高速从喷枪出口喷射至基体表面，形成具有冶金结合的二硅化钼涂层，涂层的晶粒尺寸在100-1000nm范围。解决了热喷涂法原位生成超细晶二硅化钼涂层的技术难点，使涂层与基体达到冶金结合；并具有成本低、制备工艺较简单。
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