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公开(公告)号：CN118624373A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410654418.8
申请日：2024-05-24
Applicant: 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 西安交通大学
Abstract: 一种力电磁耦合场下的金属材料强度与应变测量装置及测量方法，装置包括万能拉伸机，万能拉伸机内，上下对称设有支架，上下支架之间设置有电磁屏蔽罩，电磁屏蔽罩放置于电磁屏蔽罩移动支撑平台上，所述电磁屏蔽罩内设置有电磁施加模块，电磁屏蔽罩移动支撑平台上设置有电磁推拉滑轨，通过电磁推拉滑轨使电磁屏蔽罩内的电磁施加模块处于工作位置或停靠位置；采用直流励磁型电磁铁，提供特斯拉级别的强磁场，并配有电磁场屏蔽罩，避免强电磁场对万能拉伸机传感元件及控制系统的影响；选用特制的不受电磁场影响的不锈钢拉伸夹具与拉杆，避免影响试样周围的磁场强度的均匀性，拉杆与万能拉伸机之间采用陶瓷绝缘材料链接，可以在拉伸过程中施加电流；同时配置视频引伸计，试验无需额外与力学传感器相连接，避免强磁场对应变计的干扰，可实现没有传感器的限制下试样全场应变的测量；具有结构合理、操作方便、实用高效的优点。
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公开(公告)号：CN119913442A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510126882.4
申请日：2025-01-27
Applicant: 西安交通大学 , 国网河南省电力公司电力科学研究院
Abstract: 一种静磁场调整半硬铜残余应力的方法，将半硬铜样品放入静磁场进行静磁场处理；本发明通过将半硬铜样品在磁化腔室进行静磁场处理，利用超导磁体提供的静磁场调控半硬铜残余应力，避免了因脉冲磁场的涡流焦耳热效应导致的材料软化；本发明通过外部引入静磁场调整半硬铜残余应力，具有步骤简单、处理效率高、绿色无污染等优点。
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公开(公告)号：CN119927202A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510126876.9
申请日：2025-01-27
Applicant: 西安交通大学 , 国网河南省电力公司电力科学研究院
Abstract: 一种利用选区激光熔化制备Cu‑TiB2复合材料的方法，所述Cu‑TiB2复合材料，按质量比计，原料包括纯Cu粉末：TiB2粉末＝(97‑99.5)：(0.5‑3)；制备方法为：称取一定配比的纯Cu粉末和TiB2粉末，进行球磨混合，得到Cu‑TiB2复合材料粉末；确定选区激光熔化的工艺参数，将Cu‑TiB2复合材料粉末在铜基板上进行选区激光熔化，得到Cu‑TiB2复合材料块体；制备的Cu‑TiB2复合材料用于工作温度较高且需要高导电性的接触材料或高压开关的电触头材料或航空航天高性能导电材料；本发明解决了纯铜高激光反射率而导致的低致密度的问题，在提高纯铜力学性能的同时保持较好的电导率，获得力学性能和导电性能均匀的高强高导复合材料。
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公开(公告)号：CN118422002A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410506214.X
申请日：2024-04-25
Applicant: 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 西安交通大学
IPC: C22C9/00 , C22C32/00 , B22F1/16 , B22F1/052 , B22F9/04 , B22F10/28 , C22C1/05 , B60L5/20 , H01H1/025
Abstract: 一种与异质材料连接的WC增强Cu基复合材料、制备方法及其应用，原料包括微米级的Cu粉末，以及包裹在微米级Cu粉末表面的纳米级的WC粉末，按质量比计，Cu粉末：WC粉末＝(94‑98.5)：(1.5‑6)；制备方法：气体雾化法制备Cu粉末、向Cu粉末中加入WC粉末进行球磨、利用选区激光熔化(SLM)制备与异质材料连接的WC增强Cu基复合材料；本发明解决了纳米级的WC粉在Cu基中存在宏观上不均匀性以及粉末冶金法致使WC阻碍了Cu粉颗粒间的的结合，容易形成孔隙，一定程度上降低了材料密度，导致Cu‑WC复合材料致密度低、气体含量高、电导率低的问题，具有成本低、应用范围广、工艺路线简单的特点，大幅度提高了Cu基材料复合材料整体的硬度，屈服强度以及抗室温软化等性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116162875A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310244503.2
申请日：2023-03-14
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备成分不均匀性的高熵合金的热处理方法，具体包括以下步骤：将Ni2CoCrFeTi0.2Al0.1高熵合金样品置于高真空淬火炉中分步热处理，样品在1200℃下固溶2小时，然后在水中淬火；之后样品冷轧至厚度减少70％；随后在1200℃再结晶10min，然后在水中淬火；最后在800℃热处理3‑168h，再次在水中淬火。同时，本发明还提供了采用该方法制备的高熵合金，本发明制备的高熵合金体现出了显著的成分不均匀性。
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公开(公告)号：CN116162875B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202310244503.2
申请日：2023-03-14
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备成分不均匀性的高熵合金的热处理方法，具体包括以下步骤：将Ni2CoCrFeTi0.2Al0.1高熵合金样品置于高真空淬火炉中分步热处理，样品在1200℃下固溶2小时，然后在水中淬火；之后样品冷轧至厚度减少70％；随后在1200℃再结晶10min，然后在水中淬火；最后在800℃热处理3‑168h，再次在水中淬火。同时，本发明还提供了采用该方法制备的高熵合金，本发明制备的高熵合金体现出了显著的成分不均匀性。
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公开(公告)号：CN101236189B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810017429.6
申请日：2008-01-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明公开了一种测量电流加载时金属薄膜中应力演变的装置及其方法，设计试样放置装置，依靠金属薄膜与试样放置装置的线接触，实现电流加载，将金属薄膜试样放置到金属材料的放置台的燕尾型的凹槽内，依靠重力金属薄膜试样与金属放置台线接触，保证金属薄膜和金属放置台电导通，金属薄膜在施加电流的过程由于焦耳热和电致蠕变曲率发生变化，再由多数激光应力测量装置测量电流加载时金属薄膜中应力演变。对薄膜试样不施加外力，实现原位测量电流加载时金属薄膜中的应力演变，以分析金属薄膜在热/力/电多耦合场的蠕变变形行为。本发明方法具有简单、精确等优点。
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公开(公告)号：CN101236189A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810017429.6
申请日：2008-01-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种测量电流加载时金属薄膜中应力演变的装置及其方法，设计试样放置装置，依靠金属薄膜与试样放置装置的线接触，实现电流加载，将金属薄膜试样放置到金属材料的放置台的燕尾型的凹槽内，依靠重力金属薄膜试样与金属放置台线接触，保证金属薄膜和金属放置台电导通，金属薄膜在施加电流的过程由于焦耳热和电致蠕变曲率发生变化，再由多数激光应力测量装置测量电流加载时金属薄膜中应力演变。对薄膜试样不施加外力，实现原位测量电流加载时金属薄膜中的应力演变，以分析金属薄膜在热/力/电多耦合场的蠕变变形行为。本发明方法具有简单、精确等优点。
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公开(公告)号：CN114002238A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111046491.X
申请日：2021-09-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20058 , G01N23/20008 , G01N1/28 , G01N1/32 , C23C14/16 , C23C14/02 , C22F1/00 , C21D1/26 , C23C14/04 , C23C14/58
Abstract: 本公开揭示了一种提取CoCrNi中熵合金浅纳米压痕的方法，包括如下步骤：对CoCrNi样品进行退火热处理，将退火热处理后的CoCrNi样品进行打磨和抛光处理；以抛光处理后的CoCrNi样品表面的平整区域作为测试区域，并在该测试区域进行阵列打点以产生纳米压痕阵列；在打点过程中，实时观察纳米压痕阵列中每个纳米压痕的P‑h曲线，当需要表征的压痕发生位移突跳后停止阵列打点；对纳米压痕阵列进行定位，并对纳米压痕阵列中的浅压痕部分进行Pt沉积和切割处理；提取切割后的浅压痕部分，并对所提取的浅压痕部分进行减薄处理。
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