公开(公告)号：CN119927202A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510126876.9

申请日：2025-01-27

Applicant: 西安交通大学 ,  国网河南省电力公司电力科学研究院

Inventor： 王章洁 ,  孟冬雪 ,  李超 ,  赵永峰 ,  王朝华

IPC: B22F1/12 ,  B22F10/28 ,  B33Y70/10 ,  B33Y10/00

Abstract: 一种利用选区激光熔化制备Cu‑TiB2复合材料的方法，所述Cu‑TiB2复合材料，按质量比计，原料包括纯Cu粉末：TiB2粉末＝(97‑99.5)：(0.5‑3)；制备方法为：称取一定配比的纯Cu粉末和TiB2粉末，进行球磨混合，得到Cu‑TiB2复合材料粉末；确定选区激光熔化的工艺参数，将Cu‑TiB2复合材料粉末在铜基板上进行选区激光熔化，得到Cu‑TiB2复合材料块体；制备的Cu‑TiB2复合材料用于工作温度较高且需要高导电性的接触材料或高压开关的电触头材料或航空航天高性能导电材料；本发明解决了纯铜高激光反射率而导致的低致密度的问题，在提高纯铜力学性能的同时保持较好的电导率，获得力学性能和导电性能均匀的高强高导复合材料。

公开(公告)号：CN118422002A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410506214.X

申请日：2024-04-25

Applicant: 国网河南省电力公司电力科学研究院 ,  西安交通大学

Inventor： 赵永峰 ,  王章洁 ,  孟冬雪 ,  陈二强 ,  杜君莉 ,  李超 ,  牛金豪 ,  王朝华

IPC: C22C9/00 ,  C22C32/00 ,  B22F1/16 ,  B22F1/052 ,  B22F9/04 ,  B22F10/28 ,  C22C1/05 ,  B60L5/20 ,  H01H1/025

Abstract: 一种与异质材料连接的WC增强Cu基复合材料、制备方法及其应用，原料包括微米级的Cu粉末，以及包裹在微米级Cu粉末表面的纳米级的WC粉末，按质量比计，Cu粉末：WC粉末＝(94‑98.5)：(1.5‑6)；制备方法：气体雾化法制备Cu粉末、向Cu粉末中加入WC粉末进行球磨、利用选区激光熔化(SLM)制备与异质材料连接的WC增强Cu基复合材料；本发明解决了纳米级的WC粉在Cu基中存在宏观上不均匀性以及粉末冶金法致使WC阻碍了Cu粉颗粒间的的结合，容易形成孔隙，一定程度上降低了材料密度，导致Cu‑WC复合材料致密度低、气体含量高、电导率低的问题，具有成本低、应用范围广、工艺路线简单的特点，大幅度提高了Cu基材料复合材料整体的硬度，屈服强度以及抗室温软化等性能。