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公开(公告)号：CN110196350A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910411826.X
申请日：2019-05-17
Applicant: 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 陕西中试电力科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 西安交通大学
Abstract: 本发明公开一种套管末屏接地装置、泄漏电流采集系统及方法，包括安装在套管上的连接座，所述连接座内为空腔，安装在套管的末屏下；所述连接座的空腔内设置有接线锥，接线锥的一端固定在连接座上，另一端与末屏引线柱相连；所述接线锥上安装有电流互感器，所述电流互感器的通过与安装在连接座顶部的外接航空插头连接实现供电和数据传输，本发明的结构设计合理，在对已投运套管末屏改造时，只需将原有末屏接地外壳替换为本发明中的套管末屏接地装置，拧紧螺钉，末屏引线柱与接线锥经斜口弹簧可靠连接，从而将末屏与套管金属外壳连接，保证了套管末屏的可靠接地。
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公开(公告)号：CN113283176A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110655183.0
申请日：2021-06-11
Applicant: 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 西安交通大学
IPC: G06F30/27 , G06N3/12 , G06F111/06
Abstract: 本发明公开了一种介电响应扩展德拜模型的优化方法及系统，所述方法包括以下步骤：构建获得基于介电响应扩展德拜模型的优化目标函数；利用遗传算法对介电响应扩展德拜模型进行参数求解，获得粗略解；将所述粗略解作为初值，利用高斯‑牛顿算法对介电响应扩展德拜模型进行参数优化，获得参数优化后的介电响应扩展德拜模型；基于所述参数优化后的介电响应扩展德拜模型，利用拟合优度确定介电响应扩展德拜模型RC支路数，完成介电响应扩展德拜模型优化。利用本发明方法得到的扩展德拜模型参数精准，能够有效解决现阶段介电响应扩展德拜等效模型匹配精度低、对不同测试对象适用性弱、模型稳定性差等技术难题。
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公开(公告)号：CN113283176B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202110655183.0
申请日：2021-06-11
Applicant: 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 西安交通大学
IPC: G06F30/27 , G06N3/126 , G06F111/06
Abstract: 本发明公开了一种介电响应扩展德拜模型的优化方法及系统，所述方法包括以下步骤：构建获得基于介电响应扩展德拜模型的优化目标函数；利用遗传算法对介电响应扩展德拜模型进行参数求解，获得粗略解；将所述粗略解作为初值，利用高斯‑牛顿算法对介电响应扩展德拜模型进行参数优化，获得参数优化后的介电响应扩展德拜模型；基于所述参数优化后的介电响应扩展德拜模型，利用拟合优度确定介电响应扩展德拜模型RC支路数，完成介电响应扩展德拜模型优化。利用本发明方法得到的扩展德拜模型参数精准，能够有效解决现阶段介电响应扩展德拜等效模型匹配精度低、对不同测试对象适用性弱、模型稳定性差等技术难题。
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公开(公告)号：CN110196356A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910411814.7
申请日：2019-05-17
Applicant: 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 西安交通大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了一种无源式频域介电谱在线测量与分析系统奖罚，包括电压数据采集系统、电流数据采集系统和主机，其中：所述电压数据采集系统利用CVT高压臂和低压臂的分压作用进行电压数据采集，所述电压数据采集系统包括电压数据采集模块，电压数据采集模块的数据采集端连接至高压臂电容C1和低压臂电容C2之间，电压数据采集模块的输出端通过光纤连接至主机；本发明非侵入性地利用电网扰动和系统本身的高次谐波作为不同频率的激励源，获得相应激励下的响应电流，对设备的FDS数据进行有效分析，从而实现电力设备油纸绝缘状态的在线监测与评估。
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公开(公告)号：CN111935661A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010578848.8
申请日：2020-06-23
Applicant: 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 国网陕西省电力公司延安供电公司
Abstract: 本发明涉及一种基于无线数据APN专网技术的智能监测系统及方法，属于变电监控技术领域。包括下位机、上位机和监测单元；所述监测单元包括蓄电池监测终端、充电装置监控终端、绝缘监测终端，所述监测单元通过RS232或RJ45连接下位机，所述下位机通过无线APN与远端服务器连接，所述上位机获取服务器数据并解析后显示。本发明利用无线APN通信技术对数量庞大的站内直流电源设备实时监控，并通过PC机实时查看设备各种数据，从而确定设备运行状态，提高对站内设备的维护效率，确保变电系统系统安全运行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110794344B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201911063929.8
申请日：2019-11-04
Applicant: 国网陕西省电力公司铜川供电公司 , 西安交通大学 , 国家电网有限公司
IPC: G01R31/72
Abstract: 本发明公开了一种剔除套管影响的变压器绕组变形的频率响应试验方法，本发明公开了一种剔除套管影响的变压器绕组变形的阻抗频率响应试验方法，具体包括一种新的变压器绕组阻抗频率特性的试验接线及计算方法。在本方法中，绕组的一端接地；在另一端实际连接不可拆卸的套管，在套管输入端由扫频正弦信号源激励，并同时测量激励电压和电流，以及套管电容屏的电流；利用套管对地等效阻抗来计算套管等效电路，去除套管压降和电容屏的对地分流来剔除套管的影响，计算得到绕组的阻抗曲线。本方法能够准确测量高电压等级的变压器和电抗器绕组状态。
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公开(公告)号：CN110794344A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911063929.8
申请日：2019-11-04
Applicant: 国网陕西省电力公司铜川供电公司 , 西安交通大学 , 国家电网有限公司
IPC: G01R31/72
Abstract: 本发明公开了一种剔除套管影响的变压器绕组变形的频率响应试验方法，本发明公开了一种剔除套管影响的变压器绕组变形的阻抗频率响应试验方法，具体包括一种新的变压器绕组阻抗频率特性的试验接线及计算方法。在本方法中，绕组的一端接地；在另一端实际连接不可拆卸的套管，在套管输入端由扫频正弦信号源激励，并同时测量激励电压和电流，以及套管电容屏的电流；利用套管对地等效阻抗来计算套管等效电路，去除套管压降和电容屏的对地分流来剔除套管的影响，计算得到绕组的阻抗曲线。本方法能够准确测量高电压等级的变压器和电抗器绕组状态。
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公开(公告)号：CN118627461A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410514777.3
申请日：2024-04-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明提供一种图像传感类电子系统总剂量效应跨层次仿真方法、系统、设备及介质，以CMOS图像传感类电子系统为目标研究对象，以组成CMOS图像传感类电子系统的基础单元包括CMOS图像传感器内部的4T PPD像素单元、NMOS和PMOS晶体管、典型电路和典型功能模块为着手点，可模拟不同辐射参数下的系统响应，对系统内部各模块进行针对性的仿真模拟，可深入分析CMOS图传感类电子系统的总剂量效应响应，极大的弥补了实验的诸多缺点，其次，本发明提出仿真方法从器件层次到电路层次再到系统层次，属于跨层次的总剂量效应模拟仿真，为未来空间环境中电子系统的辐射效应研究提供具有价值的理论参考。
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公开(公告)号：CN118428300A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410576712.1
申请日：2024-05-10
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/367 , G06F115/12 , G06F113/18
Abstract: 本发明公开了一种瞬时剂量率效应PI‑SI的仿真方法、系统与设备，涉及仿真电路技术领域，包括如下步骤：根据系统设计结构划分获取封装电子系统SiP内部各个电源分布网络；提取各个电源分布网络与芯片互联拓扑结构的S参数，检验S参数的正确性，在S参数正确时，将S参数与对应的IBIS模型连接；通过IBIS模型、芯片电源模型构建无辐射情况下的电源‑信号联合仿真模型，并对电源‑信号联合仿真模型添加瞬态光电流；查看各个电源分布网络造成的噪声波形和瞬态光电流的注入波形图，建立剂量率与信号的关系，预估信号的失效阈值。本发明可仿真分析不同电子学系统的电源分布网络，仿真模型容易获取，且避免了复杂的器件参数运算。
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公开(公告)号：CN116371466B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202310178702.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: B01J31/06 , B01J35/33 , B01J35/45 , B01J35/51 , B01J37/00 , C07C201/12 , C07C205/45 , C08G77/04 , C08J9/26
Abstract: 本发明公开了一种分子印迹聚合物修饰的磁性固定化色氨酸催化剂及其制备方法和应用，该方法以磁性Fe3O4纳米球为载体，在其表面固定色氨酸催化剂，然后采用溶胶‑凝胶技术，以苯基三甲氧基硅烷(PTMOS)和正辛基三甲氧基硅烷(OTMS)为功能单体，正硅酸乙酯(TEOS)为交联剂在其表面修饰具有底物选择性的分子印迹聚合物。该分子印迹聚合物的修饰使该催化剂具备底物选择性能力，能够在复杂反应体系中选择性催化与模板匹配的底物分子，一定程度上解决了有机合成中催化剂选择性不足的难题，具有广阔的应用前景。
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