1553B数模混合电路的仿真方法、装置、设备及介质

    公开(公告)号:CN118133730A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410456969.3

    申请日:2024-04-16

    IPC分类号: G06F30/327 G06F30/367

    摘要: 本申请公开了一种1553B数模混合电路的仿真方法、装置、设备及介质。该方法包括:通过VHDL语言根据表征模拟电路中每个模拟器件逻辑功能的模拟信号对应的数字信号对所有模拟器件的逻辑功能进行仿真,建立模拟电路的第一仿真模型;通过VHDL语言对数字电路的每个数字器件的逻辑功能进行仿真,建立数字电路的第二仿真模型;根据第一MOSFET结构在不同总剂量效应影响下的第一参数,校正第一仿真模型中受总剂量效应影响的参数,根据第二MOSFET结构在不同总剂量效应影响下的第二参数,校正第二仿真模型中受总剂量效应影响的参数;结合校正后的第一仿真模型与第二仿真模型,生成1553B数模混合电路的仿真模型。

    基于半导体材料辐射效应多尺度模拟的数据库系统

    公开(公告)号:CN116401293A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310444729.7

    申请日:2023-04-23

    摘要: 本发明公开了一种基于半导体材料辐射效应多尺度模拟的数据库系统,包括表示层、服务层、处理层和数据存储层;服务层和处理层根据用户的指令检索调取数据存储层中的数据,实现了对质子、中子与γ射线辐射不同半导体材料的初级产物、基于分子动力学模拟的初始缺陷分布以及缺陷长时间演化后的稳定结果的快速检索,并将结果在表示层展示。解决了半导体材料和器件辐射位移损伤效应数据参考少、不集中、关联性差等应用瓶颈问题;其次,通过设置在线绘图单元,对用户上传的多尺度模拟结果进行解析并生成对应图表,用户可以清晰地查看未进行分析的数据所展现的结果并下载至本地,另外,通过设置两种检索方法,大大减少了人工检索多篇文献和查看结果的时间,提高了科研效率。

    一种电子学系统总剂量效应的系统级仿真方法

    公开(公告)号:CN112232007B

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202011099076.6

    申请日:2020-10-14

    摘要: 本发明公开了一种电子学系统总剂量效应的系统级仿真方法,利用电子学系统内部不同芯片的电路模型及IBIS模型,通过仿真和实验的手段确定总剂量效应对每个模型单独的影响,之后将各个子模型的总剂量效应模型连接起来得到整个电子学系统在总剂量效应下的完整模型,给定输入信号即可得到整个电子学系统在总剂量效应影响下的输出响应。本方法在Verilog‑AMS模型、Verilog模型、SPICE模型以及IBIS模型的基础上都根据总剂量效应的影响进行了修正,同时利用MATLAB或Python实现了子模块之间数据的转换和传递,将各个模型耦合起来形成一个完整的电子学系统模型,实现了系统级的总剂量效应的模拟仿真。同时还编写了单个模块以及整个系统的故障评价程序,用于研究总剂量效应影响的规律。

    一种快速准确定位放射源的探测器装置及定位方法

    公开(公告)号:CN110794443B

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201911013417.0

    申请日:2019-10-23

    IPC分类号: G01T1/02

    摘要: 本发明公开了一种快速准确定位放射源的探测器装置及定位方法,通过该装置可以快速准确地定位放射源,主要用于寻找丢失的放射源。通过该装置,达到提高放射源丢失事故处理效率,减少辐射对工作人员损害的目的。该装置包括电路电子模块,固定螺栓,带有螺纹孔的圆环,端盖屏蔽结构,放射性探测器,放射性探测器的固定座,主体屏蔽结构,基座屏蔽结构。本发明装置通过多个探测器与屏蔽结构的合理结合,对不同方向的剂量率进行准确测量,并采用电路电子系统对不同方向的剂量率进行计算,最终准确得出放射源的方位。通过该装置,达到提高放射源丢失事故处理效率,减少辐射对工作人员损害的目的。

    一种电子学系统总剂量效应的系统级仿真方法

    公开(公告)号:CN112232007A

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN202011099076.6

    申请日:2020-10-14

    摘要: 本发明公开了一种电子学系统总剂量效应的系统级仿真方法,利用电子学系统内部不同芯片的电路模型及IBIS模型,通过仿真和实验的手段确定总剂量效应对每个模型单独的影响,之后将各个子模型的总剂量效应模型连接起来得到整个电子学系统在总剂量效应下的完整模型,给定输入信号即可得到整个电子学系统在总剂量效应影响下的输出响应。本方法在Verilog‑AMS模型、Verilog模型、SPICE模型以及IBIS模型的基础上都根据总剂量效应的影响进行了修正,同时利用MATLAB或Python实现了子模块之间数据的转换和传递,将各个模型耦合起来形成一个完整的电子学系统模型,实现了系统级的总剂量效应的模拟仿真。同时还编写了单个模块以及整个系统的故障评价程序,用于研究总剂量效应影响的规律。

    一种消除存储器件总剂量效应的数据取反方法

    公开(公告)号:CN101599030A

    公开(公告)日:2009-12-09

    申请号:CN200910023281.1

    申请日:2009-07-10

    发明人: 贺朝会 李永宏

    IPC分类号: G06F11/00

    摘要: 本发明属于计算机技术领域,具体涉及一种消除存储器件总剂量效应的数据取反方法,步骤如下:1)对计算机内部寄存器发送第一次取反指令;得到原始数据的取反数据;2)对计算机内部寄存器发送第二次取反指令,将取反后的数据恢复为原来数据;3)把外部存储器的原始数据读到主控计算机中;4)发送第一次写指令,给外部存储器的存储单元的每个字节写入“55H”;5)发送第二次写指令,给外部存储器的存储单元的每个字节写入“AAH”;6)把存入主控计算机中的原始数据又重新写入外部存储器,恢复原来数据。本发明对内部寄存器和外部存储器的存储单元中的数据进行取反操作的方法,可以有效消除总剂量效应对存储器件的影响。

    一种双GM计数管宽量程伽马剂量计及监测方法

    公开(公告)号:CN114755708B

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202210423297.7

    申请日:2022-04-21

    IPC分类号: G01T1/18 G01T1/02 G01T7/00

    摘要: 本发明提供一种双GM计数管宽量程伽马剂量计及监测方法,该伽马剂量计包括低压电源、高压电源、高量程GM计数管、低量程GM计数管、阳极负载、阴极负载、信号调理电路、量程切换电路、单片机工作系统、通讯模块以及上位机。其中,信号调理电路将GM计数管产生的电流脉冲信号转化为规则的电压脉冲信号;量程切换电路用于控制GM计数管的开通和关断;单片机工作系统用于脉冲计数采集、剂量率转化以及自动控制量程切换。本发明实现了对GM计数管输出信号的高效处理,采用在GM计数管阴极串联三极管的方式简单可靠地控制GM计数管通断,并且采用量程滞回判断的逻辑,实现双GM计数管的自动稳定切换,能够有效拓宽伽马剂量计的线性探测量程,提高仪器性能。

    一种基于IBIS模型模拟系统级封装剂量率效应的方法

    公开(公告)号:CN110750949A

    公开(公告)日:2020-02-04

    申请号:CN201910704149.0

    申请日:2019-07-31

    摘要: 本发明公开了一种基于IBIS模型模拟系统级封装剂量率效应的方法,别是瞬时剂量率效应。利用系统级封装内部不同子芯片的IBIS模型和版图布线的电气特性,通过信号完整性仿真检测各集成电路中敏感引脚、敏感网络和信号响应;并给出了评估瞬时剂量率效应导致的辐射脉冲在系统级封装内不同子芯片之间的传播的一般方法。本方法将在IBIS模型的基础上,实现瞬时电流信号传递的较高精度模拟,同时巧妙地避开了SPICE模型因包含了芯片详细的内部信息而不便公开以至于难以获得的困难以及仿真速度慢的情况。

    一种可连续改变施力大小的测力装置及测力方法

    公开(公告)号:CN105716765B

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201610069446.9

    申请日:2016-02-01

    IPC分类号: G01N19/04

    摘要: 本发明公开了一种可连续改变施力大小的测力装置及测力方法,该装置包括底座,固定在底座上的立柱,穿过立柱螺纹孔的螺栓,和螺栓连接的扣环,通过万向扣与扣环连接的测力计,通过万向扣与测力计连接的弹簧,测力时,弹簧与待测物体连接;该装置的基本原理在于通过螺栓旋进/旋出实现稳定连续地改变弹簧的形变,从而稳定连续地改变施力大小;测力计测量端和施力弹簧相连保证了测力计的示数即为施力弹簧的施力大小,因此能够实时测量施力大小;该装置特别适用于测量未知特征力大小的场合。

    集测厚仪、密度计和料位计于一体的测量装置及测量方法

    公开(公告)号:CN106197550B

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201610681995.1

    申请日:2016-08-17

    IPC分类号: G01D21/02

    摘要: 本发明公开了一种集测厚仪、密度计和料位计于一体的测量装置及测量方法,该装置由底座、升降平台、方斗状容器、放射源、探测器、带有刻度尺的圆柱型套筒、升降平台支撑柱组成;升降平台由马达控制,升降平台下方的刻度尺用来显示方斗状容器内液位高度,容器上方“方斗”用来进行测厚仪实验演示;该装置通过改变容器内溶液密度来进行密度计实验演示;本发明可以满足国内高效核科学与技术专业对核仪表课程实验教学的迫切需求,还可以推广到生产单位,产生经济效益。