公开(公告)号：CN101317273B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200680044055.6

申请日：2006-12-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·A·曼德尔曼 ,  程慷果 ,  路易斯·L-C·许 ,  杨海宁

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823437 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78618 ,  H01L2029/7858 ,  Y10S438/96

Abstract: 一种制造finFET的方法，包括步骤：(1)提供衬底；以及(2)在衬底上形成finFET的至少一个源极/漏极扩散区。每个源极/漏极扩散区包括(a)未形成硅化物的硅的内部区域；以及(b)在未形成硅化物的硅的区域的顶面和侧壁上形成的硅化物。

公开(公告)号：CN101317273A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200680044055.6

申请日：2006-12-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·A·曼德尔曼 ,  程慷果 ,  路易斯·L-C·许 ,  杨海宁

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823437 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78618 ,  H01L2029/7858 ,  Y10S438/96

Abstract: 一种制造finFET的方法，包括步骤：(1)提供衬底；以及(2)在衬底上形成finFET的至少一个源极/漏极扩散区。每个源极/漏极扩散区包括(a)未形成硅化物的硅的内部区域；以及(b)在未形成硅化物的硅的区域的顶面和侧壁上形成的硅化物。