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公开(公告)号：CN103374195A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310139416.7
申请日：2013-04-22
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： C08K3/22 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08F293/005 , C08F2438/01 , C08K2201/01 , C08L53/00 , H01F1/0054
摘要： 本发明涉及通过嵌段共聚物稳定的水溶性亚铁磁体。具体地说，本发明涉及水溶性聚合物复合物，其包含水溶性嵌段共聚物和磁性纳米粒子，其中该水溶性聚合物复合物在没有施加磁场的情况下在环境温度下具有非零的净磁矩。该水溶性嵌段共聚物优选是二嵌段或三嵌段共聚物，且该磁性纳米粒子优选是亚铁磁性或铁磁性纳米粒子。该水溶性复合物可以被反应性基团衍生化，并与生物分子结合。本发明保护范围涵盖的示例性水溶性聚合物复合物包括PEG112-b-PAA40改性的CoFe2O4；NH2-PEG112-b-PAA40改性的CoFe2O4；PNIPAM68-b-PAA28改性的CoFe2O4；和mPEG-b-PCL-b-PAA改性的CoFe2O4。
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公开(公告)号：CN103518255B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201280022183.6
申请日：2012-02-14
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7781 , B82Y10/00 , H01L29/42364 , H01L29/66462 , H01L51/0048 , H01L51/0529 , H01L51/0558
摘要： 具有由诸如碳纳米管或石墨烯的碳纳米结构形成的沟道并且具有减小沟道的未选通区域中的寄生电阻的带电单层的碳晶体管器件，以及制造具有用于减小寄生电阻的带电单层的碳晶体管器件的方法。例如，碳场效应晶体管包括：形成在绝缘层上的包含碳纳米结构的沟道；形成在所述沟道上的栅极结构；共形地覆盖所述栅极结构以及所述沟道的与所述栅极结构邻近的部分的DNA单层；共形地形成在所述DNA单层上的绝缘隔离物；以及通过所述沟道连接的源极接触和漏极接触。
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公开(公告)号：CN103518255A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201280022183.6
申请日：2012-02-14
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7781 , B82Y10/00 , H01L29/42364 , H01L29/66462 , H01L51/0048 , H01L51/0529 , H01L51/0558
摘要： 具有由诸如碳纳米管或石墨烯的碳纳米结构形成的沟道并且具有减小沟道的未选通区域中的寄生电阻的带电单层的碳晶体管器件，以及制造具有用于减小寄生电阻的带电单层的碳晶体管器件的方法。例如，碳场效应晶体管包括：形成在绝缘层上的包含碳纳米结构的沟道；形成在所述沟道上的栅极结构；共形地覆盖所述栅极结构以及所述沟道的与所述栅极结构邻近的部分的DNA单层；共形地形成在所述DNA单层上的绝缘隔离物；以及通过所述沟道连接的源极接触和漏极接触。
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