公开(公告)号：CN109791943A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201680089743.8

申请日：2016-09-30

申请人： 英特尔公司

发明人： H.C.乔治 ,  R.皮拉里塞蒂 ,  N.K.托马斯 ,  J.M.罗伯茨 ,  J.S.克拉克

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80

CPC分类号： H01L29/122 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/82

摘要： 本文公开了具有单电子晶体管（SET）检测器的量子点器件。在一些实施例中，量子点器件可包含：量子点形成区域；设置在量子点形成区域上的一组栅极，其中该组栅极至少包含第一、第二和第三栅极，间隔物设置在第一栅极和第二栅极的多侧上，其中第一间隔物设置在第一栅极接近于第二栅极的一侧上，并且与第一间隔物物理分离的第二间隔物设置在第二栅极接近于第一栅极的一侧上，并且第三栅极设置在第一栅极和第二栅极之间，并在第一间隔物和第二间隔物之间延伸；以及接近于该组栅极设置在量子点形成区域上的SET。

公开(公告)号：CN109285882A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201710636279.6

申请日：2017-07-19

申请人： 刘梅

发明人： 刘梅

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7781 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66431

摘要： 本发明属于半导体器件领域，特别涉及一种高电子迁移率晶体管。针对氮化镓基高电子迁移率晶体管的自热效应进行优化设计，其技术方案为：一种高电子迁移率晶体管，包括衬底、衬底以上依次生长的成核层、沟道层、势垒层，以及势垒层上的源极、栅极、漏极、源极与栅极之间及栅极与漏极之间的钝化层；其特征在于，栅极与钝化层之间还设有高热导率材料层，高热导率材料层与势垒层接触。本发明通过高热导率材料层将栅极附近有源区的热能传导到器件的表面，从而有效降低器件有源区的温度，实现器件沟道温度的降低，改善器件的电气特性，使得器件可以在更高温度、更高功率下正常工作，提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN107046053A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201710051154.7

申请日：2017-01-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈柏智 ,  余俊磊 ,  张耀中 ,  蔡俊琳

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/201

摘要： 本发明实施例提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、位于衬底上方的第一Ⅲ‑Ⅴ族化合物层、位于第一Ⅲ‑Ⅴ族化合物层上方的第二Ⅲ‑Ⅴ族化合物层、位于第二Ⅲ‑Ⅴ族化合物层上方的第三Ⅲ‑Ⅴ族化合物层、位于第三Ⅲ‑Ⅴ族化合物层上方的源极区和位于第三Ⅲ‑Ⅴ族化合物层上方的漏极区。第三Ⅲ‑Ⅴ族化合物层的铝百分比大于第二Ⅲ‑Ⅴ族化合物层的铝百分比。本发明大体涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104134668B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201310160970.3

申请日：2013-05-03

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 朱慧珑

IPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7883 ,  G11C16/10 ,  G11C16/24 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7855

摘要： 本申请公开了一种存储器件及其制造方法和存取方法。一示例存储器件可以包括：衬底；在衬底上形成的背栅；晶体管，包括：在衬底上在背栅的相对两侧形成的鳍；以及在衬底上形成的栅堆叠，所述栅堆叠与鳍相交；以及在背栅的底面和侧面上形成的背栅介质层，其中，在栅堆叠的一侧，背栅介质层在面对鳍的区域处具有减薄部分。

公开(公告)号：CN106415846A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201480078732.0

申请日：2014-06-13

申请人： 英特尔公司

发明人： K·俊 ,  S·达斯古普塔 ,  A·X·利万德 ,  P·莫罗

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/7806 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7781

摘要： 一种方法包括：在牺牲衬底上的极性化合物半导体层上形成阻挡层；将牺牲衬底耦合到载体衬底以形成复合结构，其中，阻挡层布置在极性化合物半导体层与载体衬底之间；将牺牲衬底从复合结构分离以暴露出极性化合物半导体层；以及形成至少一个电路器件。一种装置包括：在衬底上的阻挡层；在阻挡层上的晶体管器件；以及布置在阻挡层与晶体管器件之间的极性化合物半导体层，极性化合物半导体层包括其中的二维电子气。

公开(公告)号：CN103518255B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201280022183.6

申请日：2012-02-14

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 邱馨莹 ,  汉述仁 ,  H·T·毛纳

IPC分类号： H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7781 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66462 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0558

摘要： 具有由诸如碳纳米管或石墨烯的碳纳米结构形成的沟道并且具有减小沟道的未选通区域中的寄生电阻的带电单层的碳晶体管器件，以及制造具有用于减小寄生电阻的带电单层的碳晶体管器件的方法。例如，碳场效应晶体管包括：形成在绝缘层上的包含碳纳米结构的沟道；形成在所述沟道上的栅极结构；共形地覆盖所述栅极结构以及所述沟道的与所述栅极结构邻近的部分的DNA单层；共形地形成在所述DNA单层上的绝缘隔离物；以及通过所述沟道连接的源极接触和漏极接触。

公开(公告)号：CN105723500A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201380080947.1

申请日：2013-12-16

申请人： 英特尔公司

发明人： S·M·塞亚 ,  R·科特利尔 ,  H·W·肯内尔 ,  A·S·默西 ,  G·A·格拉斯 ,  K·J·库恩 ,  T·加尼

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7782

摘要： 本文的实施例提供了涉及不具有弛豫衬底的应变NMOS和PMOS器件的半导体器件和方法，以及因此合并这样的半导体器件和方法的系统。

公开(公告)号：CN102471069B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201080029846.8

申请日：2010-06-15

申请人： 诺基亚公司

发明人： A·M·卡凯南 ,  S·哈奎 ,  A·库利 ,  P·M·帕萨南 ,  L·M·J·卡凯南 ,  M·A·雨西塔洛 ,  R·K·勒蒂涅米

IPC分类号： C01B31/04 ,  C01B31/02 ,  H01L21/203 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/042 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66022 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684 ,  Y10T428/24058 ,  Y10T428/30

摘要： 根据本发明的示例实施方式，一种器件包括一个或多个多孔石墨烯层，每个石墨烯多孔层包括多个细孔。该器件可以形成柔性的、和/或可伸展的、和/或透明电子器件中的至少一部分。

公开(公告)号：CN103295912B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201310189470.2

申请日：2013-05-21

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 李佳 ,  冯志红 ,  蔚翠 ,  刘庆彬 ,  何泽召 ,  王晶晶

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66045 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/7781

摘要： 本发明公开了一种基于自对准技术的石墨烯晶体管制造方法，涉及半导体器件的制造方法技术领域。在衬底上形成石墨烯材料，在石墨烯材料上形成一层金属薄膜，利用平版印刷术形成所需要的光刻胶图形，去除未被光刻胶覆盖的地方的金属，去除未被光刻胶覆盖的地方的石墨烯，形成设计的石墨烯晶体管有源区。形成设计的源、栅和漏的金属电极，源和漏的金属电极与有源区的金属相连，并在源漏之间利用平版印刷术形成所需要的栅光刻胶图形，腐蚀掉暴漏出来的金属，在暴漏出来的石墨烯表面形成种子层，在种子层上形成栅介质，然后在栅介质上形成栅金属，最终形成石墨烯晶体管。所述方法减小栅源和栅漏之间的间距，从而提高石墨烯晶体管的性能。

公开(公告)号：CN102893387B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201180024337.0

申请日：2011-04-26

申请人： 国际商业机器公司

发明人： K·陈 ,  Y-M·林 ,  P·阿沃里斯 ,  D·B·法默

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L27/06 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L21/50 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供基于石墨烯沟道的器件及其制造技术。在一方面，一种半导体器件包括：第一晶片，其具有形成于第一衬底上的至少一个石墨烯沟道、包围所述石墨烯沟道的第一氧化物层、以及接到所述石墨烯沟道并延伸穿过所述第一氧化物层的源极接触和漏极接触；以及第二晶片，其具有形成于第二衬底中的CMOS器件层、包围所述CMOS器件层的第二氧化物层、以及接到所述CMOS器件层并延伸穿过所述第二氧化物层的多个接触，所述晶片通过所述氧化物层之间的氧化物与氧化物接合而被接合在一起。接到所述CMOS器件层的所述多个接触中的一个或多个接触与所述源极接触和漏极接触相接触。接到所述CMOS器件层的所述多个接触中的一个或多个另外的接触为用于所述石墨烯沟道的栅极接触。