公开(公告)号：CN103258735B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201310018024.5

申请日：2013-01-17

申请人： 国际商业机器公司

发明人： F·E·多安 ,  B·G·李 ,  A·V·雷利亚科夫 ,  C·L·朔 ,  M·A·陶本布拉特

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L21/76251

摘要： 本发明涉及使用通过衬底去除或者转移的标准绝缘体上硅工艺的硅光子晶片。提供了用于硅光子晶片的处理。接收包括有源硅光子层、薄掩埋氧化物层和硅衬底的硅光子晶片。薄掩埋氧化物层位于有源硅光子层和硅衬底之间。包括有源电层的电CMOS晶片同样被接收。硅光子晶片的有源硅光子层被倒装芯片接合到电CMOS晶片的有源电层。去除硅衬底以暴露薄掩埋氧化物层的背侧表面。低光学折射率衬背晶片被添加到薄掩埋氧化物层的暴露的背侧表面。低光学折射率衬背晶片是玻璃衬底或者硅衬底晶片。硅衬底晶片包括附着到薄掩埋氧化物层的厚氧化物层。

公开(公告)号：CN103258735A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310018024.5

申请日：2013-01-17

申请人： 国际商业机器公司

发明人： F·E·多安 ,  B·G·李 ,  A·V·雷利亚科夫 ,  C·L·朔 ,  M·A·陶本布拉特

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L21/76251

摘要： 本发明涉及使用通过衬底去除或者转移的标准绝缘体上硅工艺的硅光子晶片。提供了用于硅光子晶片的处理。接收包括有源硅光子层、薄掩埋氧化物层和硅衬底的硅光子晶片。薄掩埋氧化物层位于有源硅光子层和硅衬底之间。包括有源电层的电CMOS晶片同样被接收。硅光子晶片的有源硅光子层被倒装芯片接合到电CMOS晶片的有源电层。去除硅衬底以暴露薄掩埋氧化物层的背侧表面。低光学折射率衬背晶片被添加到薄掩埋氧化物层的暴露的背侧表面。低光学折射率衬背晶片是玻璃衬底或者硅衬底晶片。硅衬底晶片包括附着到薄掩埋氧化物层的厚氧化物层。