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公开(公告)号：CN102906632A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180024639.8
申请日：2011-05-24
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： G02F1/0121 , G02F1/025 , G02F1/0356 , G02F2201/127 , G02F2201/20 , G02F2202/10
摘要： 一种传输线（304），包括形成电路径（203）的多个区段以及通过所述区段的连续光学波导（205）。多个分离电感器（102）被形成在相邻区段之间并连接所述相邻区段。所述电感器（102）被形成在集成电路的多个金属层中，以便平衡包含在所述光学波导（205）上形成的所述传输线（304）的光学调制器的电容，由此获得所述传输线的预定特征阻抗。使用延迟锁定回路（305）控制变容器（302）以匹配光学信号和电信号的延迟。可以使用光学波导区段（210）来匹配所述延迟。
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公开(公告)号：CN103890625B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201280039702.X
申请日：2012-07-27
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G02B6/32 , H01L21/302
CPC分类号： G02B6/32 , G02B6/30 , G02B6/4204 , G02B6/4244 , G02B6/425 , H01L21/302
摘要： 公开了一种光子集成电路装置。所述装置包括光子芯片（200）和透镜阵列耦合元件（100）。所述光子芯片包括在所述光子芯片的侧边缘表面处的波导（202）。所述透镜阵列耦合元件安装在所述光子芯片的顶面上以及所述侧边缘表面上。所述耦合元件包括被配置成修改进入或离开所述波导的光的光斑尺寸的透镜阵列（102）。所述耦合元件还包括在所述耦合元件的与所述透镜阵列相反并且邻接所述光子芯片的顶面的一侧上的突出部（104）。所述突出部包括垂直限位表面（112），所述垂直限位表面（112）具有被配置成将所述波导的边缘与所述透镜阵列的焦距水平对准并且将所述透镜阵列的焦点与所述波导的所述边缘垂直对准的深度。
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公开(公告)号：CN103890625A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280039702.X
申请日：2012-07-27
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G02B6/32 , H01L21/302
CPC分类号： G02B6/32 , G02B6/30 , G02B6/4204 , G02B6/4244 , G02B6/425 , H01L21/302
摘要： 本发明公开了一种光子集成电路装置。所述装置包括光子芯片（200）和透镜阵列耦合元件（100）。所述光子芯片包括在所述光子芯片的侧边缘表面处的波导（202）。所述透镜阵列耦合元件安装在所述光子芯片的顶面上以及所述侧边缘表面上。所述耦合元件包括被配置成修改进入或离开所述波导的光的光斑尺寸的透镜阵列（102）。所述耦合元件还包括在所述耦合元件的与所述透镜阵列相反并且邻接所述光子芯片的顶面的一侧上的突出部（104）。所述突出部包括垂直限位表面（112），所述垂直限位表面（112）具有被配置成将所述波导的边缘与所述透镜阵列的焦距水平对准并且将所述透镜阵列的焦点与所述波导的所述边缘垂直对准的深度。
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公开(公告)号：CN102906632B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180024639.8
申请日：2011-05-24
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： G02F1/0121 , G02F1/025 , G02F1/0356 , G02F2201/127 , G02F2201/20 , G02F2202/10
摘要： 一种传输线（304），包括形成电路径（203）的多个区段以及通过所述区段的连续光学波导（205）。多个分离电感器（102）被形成在相邻区段之间并连接所述相邻区段。所述电感器（102）被形成在集成电路的多个金属层中，以便平衡包含在所述光学波导（205）上形成的所述传输线（304）的光学调制器的电容，由此获得所述传输线的预定特征阻抗。使用延迟锁定回路（305）控制变容器（302）以匹配光学信号和电信号的延迟。可以使用光学波导区段（210）来匹配所述延迟。
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公开(公告)号：CN103258735B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310018024.5
申请日：2013-01-17
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/8238 , H01L27/04
CPC分类号： H01L21/76251
摘要： 本发明涉及使用通过衬底去除或者转移的标准绝缘体上硅工艺的硅光子晶片。提供了用于硅光子晶片的处理。接收包括有源硅光子层、薄掩埋氧化物层和硅衬底的硅光子晶片。薄掩埋氧化物层位于有源硅光子层和硅衬底之间。包括有源电层的电CMOS晶片同样被接收。硅光子晶片的有源硅光子层被倒装芯片接合到电CMOS晶片的有源电层。去除硅衬底以暴露薄掩埋氧化物层的背侧表面。低光学折射率衬背晶片被添加到薄掩埋氧化物层的暴露的背侧表面。低光学折射率衬背晶片是玻璃衬底或者硅衬底晶片。硅衬底晶片包括附着到薄掩埋氧化物层的厚氧化物层。
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公开(公告)号：CN103809302A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310355223.5
申请日：2013-08-15
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G02F1/01 , H04B10/516
CPC分类号： G02F1/0121 , G02F1/025 , G02F1/2257
摘要： 本发明涉及一种具有正向和反向偏置二极管的光子调制器，所述调制器包括：正向偏置二极管，其针对功率和面积而优化以执行调谐功能；以及反向偏置二极管，其针对速度而优化以执行调制功能。
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公开(公告)号：CN103258735A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310018024.5
申请日：2013-01-17
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/8238 , H01L27/04
CPC分类号： H01L21/76251
摘要： 本发明涉及使用通过衬底去除或者转移的标准绝缘体上硅工艺的硅光子晶片。提供了用于硅光子晶片的处理。接收包括有源硅光子层、薄掩埋氧化物层和硅衬底的硅光子晶片。薄掩埋氧化物层位于有源硅光子层和硅衬底之间。包括有源电层的电CMOS晶片同样被接收。硅光子晶片的有源硅光子层被倒装芯片接合到电CMOS晶片的有源电层。去除硅衬底以暴露薄掩埋氧化物层的背侧表面。低光学折射率衬背晶片被添加到薄掩埋氧化物层的暴露的背侧表面。低光学折射率衬背晶片是玻璃衬底或者硅衬底晶片。硅衬底晶片包括附着到薄掩埋氧化物层的厚氧化物层。
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