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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114730285B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202080080115.X
申请日：2020-10-26
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 本发明的方面公开了一种用于控制非易失性存储器单元阵列的操作的方法、计算机程序产品和系统，该非易失性存储器单元阵列包括：选择性地可配置用于单比特存储和多比特存储的单元。该方法包括存储器控制器选择性地配置阵列用于在混合模式和多比特模式中操作，在混合模式中阵列包括被配置用于单比特存储的单元和被配置用于多比特存储的单元两者，并且在多比特模式中阵列中的所有单元被配置用于多比特存储的。该方法还包括：存储器控制器在对应于阵列容量使用的阵列的混合和多比特模式配置之间动态地切换，阵列容量使用遍历与增强阵列的耐久性相关联的限定的阈值等级。
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公开(公告)号：CN117441164A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202280039339.5
申请日：2022-05-24
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F12/0806
Abstract: 数据存储系统提供大容量非易失性存储器中的持久存储。数据存储系统的控制器接收主机写入命令并将相关联的主机写入数据缓冲在非易失性存储器中的第一写入高速缓存和易失性存储器中的镜像的第二写入高速缓存两者中。所述控制器使所述主机写入数据从所述第二写入高速缓存而不是所述第一写入高速缓存降级到所述大容量非易失性存储器。所述控制器通过参考所述第二写入高速缓存服务所述大容量非易失性存储器内的请求数据重定位的重定位写入命令。服务所述重定位写入命令包括：将重定位写入数据缓冲在所述第二写入高速缓存中而不是所述第一写入高速缓存中，以及将所述重定位写入数据从所述第二写入高速缓存降级到所述大容量非易失性存储器。
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公开(公告)号：CN114730285A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080080115.X
申请日：2020-10-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F12/00
Abstract: 本发明的方面公开了一种用于控制非易失性存储器单元阵列的操作的方法、计算机程序产品和系统，该非易失性存储器单元阵列包括：选择性地可配置用于单比特存储和多比特存储的单元。该方法包括存储器控制器选择性地配置阵列用于在混合模式和多比特模式中操作，在混合模式中阵列包括被配置用于单比特存储的单元和被配置用于多比特存储的单元两者，并且在多比特模式中阵列中的所有单元被配置用于多比特存储的。该方法还包括：存储器控制器在对应于阵列容量使用的阵列的混合和多比特模式配置之间动态地切换，阵列容量使用遍历与增强阵列的耐久性相关联的限定的阈值等级。
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公开(公告)号：CN114631147A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202080074453.2
申请日：2020-10-16
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 根据一种方法，一种计算机实现的方法用于校准存储器块的读取电压。该计算机实现的方法包括：确定其中包括一个以上字线的块的当前操作状态，并且其中一个以上读取电压与所述字线中的每一个相关联。此外，对于块中的字线中的每一个：选择与给定字线相关联的读取电压之一作为参考读取电压，并且计算参考读取电压的绝对移位值。确定与给定字线相关联的剩余读取电压中的每一个的相对移位值，其中，相对于参考读取电压确定相对移位值。此外，使用绝对移位值和相应相对移位值中的每一个来调整与给定字线相关联的读取电压中的每一个。
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公开(公告)号：CN114556303A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080073128.4
申请日：2020-10-16
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 根据一种方法，一种计算机实现的方法包括：通过计算给定页的第一数目的独立读取电压偏移值，使用第一校准方案来校准块中的给定页(606)。尝试读取经校准的给定页(608)，且响应于确定在尝试读取经校准的给定页时发生错误校正码失败，使用第二校准方案来重新校准块中的给定页(612)。第二校准方案被配置为计算给定页的第二数目的独立读取电压偏移值。还尝试读取重新校准的给定页(614)。响应于确定在尝试读取重新校准的给定页时确实发生错误校正码失败，发送用于重定位存储在给定页中的数据的一个或多个指令(618)。
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