公开(公告)号：CN101281918B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200710186933.4

申请日：2007-11-15

申请人： 国际商业机器公司 ,  伊士曼柯达公司

发明人： 约翰·J.·埃利斯-莫纳罕 ,  马克·D.·贾菲 ,  理查德·J.·雷塞尔 ,  詹姆士·W.·阿迪克森 ,  爱德华·T.·纳尔逊 ,  查尔斯·V.·斯坦堪匹阿诺 ,  罗伯特·M.·格伊达施

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/822 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： 本发明提供一种具有双功函数转移栅极器件的CMOS有源像素传感器(APS)单元结构及其制造方法。转移栅极器件包括形成于基片上的电介质层以及形成于电介质层上的双功函数栅极导体层，该双功函数栅极导体层包括第一导电类型掺杂区和接邻的第二导电类型掺杂区。转移栅极器件限定了将通过感光器件累积的电荷转移到扩散区的沟道区。硅化物结构形成于双功函数栅极导体层顶部，用于将第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区进行电耦合。在一个实施例中，硅化物接触在面积尺寸上小于所述双功函数栅极导体层的面积尺寸。硅化物带的存在防止二极管行为允许栅极的一侧或另一侧浮动到不确定的电压。

公开(公告)号：CN101281918A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200710186933.4

申请日：2007-11-15

申请人： 国际商业机器公司 ,  伊士曼柯达公司

发明人： 约翰·J.·埃利斯-莫纳罕 ,  马克·D.·贾菲 ,  理查德·J.·雷塞尔 ,  詹姆士·W.·阿迪克森 ,  爱德华·T.·纳尔逊 ,  查尔斯·V.·斯坦堪匹阿诺 ,  罗伯特·M.·格伊达施

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/822 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： 本发明提供一种具有双功函数转移栅极器件的CMOS有源像素传感器(APS)单元结构及其制造方法。转移栅极器件包括形成于基片上的电介质层以及形成于电介质层上的双功函数栅极导体层，该双功函数栅极导体层包括第一导电类型掺杂区和接邻的第二导电类型掺杂区。转移栅极器件限定了将通过感光器件累积的电荷转移到扩散区的沟道区。硅化物结构形成于双功函数栅极导体层顶部，用于将第一导电率类型掺杂区和第二导电率类型掺杂区进行电耦合。在一个实施例中，硅化物接触在面积尺寸上小于所述双功函数栅极导体层的面积尺寸。硅化物带的存在防止二极管行为允许栅极的一侧或另一侧浮动到不确定的电压。