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公开(公告)号：CN113064041A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201911406353.0
申请日：2019-12-31
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种场效应晶体管的导通电阻测量方法及测量装置，测量方法包括：输入导通电压使待测场效应晶体管导通；对场效应晶体管芯片的多个源极管脚和多个漏极管脚输入相同的测试电流，测量场效应晶体管芯片每一个管脚上对应产生的压降；根据测试电流和压降判断恒流源与场效应晶体管芯片管脚上的加载线之间是否接触良好；根据压降判断电压测量表与场效应晶体管芯片管脚上的测试线之间是否接触良好；当恒流源与加载线之间以及电压测量表与测试线之间均接触良好时，根据测试电流与压降获得待测场效应晶体管的导通电阻。可以很轻易的对测量过程中可能存在的测试误差做出判断，提高测试准确性，且测量方法简单。
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公开(公告)号：CN112782569B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201911094272.1
申请日：2019-11-11
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
发明人： 邴春秋
IPC分类号： G01R31/317
摘要： 本发明公开了一种数字芯片管脚逻辑电平的阈值测试装置及测试方法，测试装置包括：微控制器，提供第一时钟信号和第一数据信号；第一电压源，基于第一电压信号提供第一控制信号；第二电压源，基于第二电压信号提供第二控制信号；逻辑电平转换芯片，根据第一控制信号和第二控制信号输出第二时钟信号和第二数据信号至待测芯片，根据待测芯片能够识别的第二时钟信号和第二数据信号中最大逻辑高电平和最小逻辑低电平获得第一阈值电压和第二阈值电压。能够实现对I2C的逻辑高低电平的阈值测试，且在设计时不需要增加额外的测试电路，降低了芯片设计成本。
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公开(公告)号：CN113972913A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010720301.7
申请日：2020-07-24
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
发明人： 邴春秋
IPC分类号： H03M1/10
摘要： 本发明公开了一种高精度数模转换器的差分线性误差测试系统及测试方法，该系统包括：可编程电源模块，用以向待测数模转换器提供至少一组测试代码，待测数模转换器基于至少一组测试代码输出对应的模拟电压；至少一个运算放大器，每个运算放大器均用于对待测数模转换器的两个输出端输出的模拟电压进行差值运算，并对差值进行放大输出；测试源，用于测量每个运算放大器的输出电压，并基于测量值获得高精度的差分线性误差，其中，每组测试代码中均包括相邻的两个测试代码，且每个运算放大器所接收的两个模拟电压均对应一组测试代码。本发明能够以低精度要求的测试源实现高精度的差分线性误差测量，测试稳定性高且适用性强。
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公开(公告)号：CN113064041B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201911406353.0
申请日：2019-12-31
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种场效应晶体管的导通电阻测量方法及测量装置，测量方法包括：输入导通电压使待测场效应晶体管导通；对场效应晶体管芯片的多个源极管脚和多个漏极管脚输入相同的测试电流，测量场效应晶体管芯片每一个管脚上对应产生的压降；根据测试电流和压降判断恒流源与场效应晶体管芯片管脚上的加载线之间是否接触良好；根据压降判断电压测量表与场效应晶体管芯片管脚上的测试线之间是否接触良好；当恒流源与加载线之间以及电压测量表与测试线之间均接触良好时，根据测试电流与压降获得待测场效应晶体管的导通电阻。可以很轻易的对测量过程中可能存在的测试误差做出判断，提高测试准确性，且测量方法简单。
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公开(公告)号：CN112945418B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201911253357.X
申请日：2019-12-09
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
发明人： 邴春秋
摘要： 本发明公开了一种集成芯片的测温装置及测温方法，测温装置包括：测试机，与待测芯片的测试管脚连接，用于对待测芯片进行参数和性能测试；电流源模块，与待测芯片的空闲管脚连接，用于向待测芯片提供设定电流；电压测量模块，与待测芯片的空闲管脚连接，用于测量待测芯片中寄生二极管两端的电压，以便根据测量电压获得待测芯片的工作温度，空闲管脚至少包括连接ESD保护电路的第一管脚和第二管脚，第一管脚和所述第二管脚的其中之一与参考地之间存在寄生二极管，其中另一与电流源模块连接。可以在芯片高温测试阶段实时的测量芯片的工作温度，测量准确度高，装置简单，测试成本低。
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公开(公告)号：CN114553225A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011333609.2
申请日：2020-11-24
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
IPC分类号： H03M1/10
摘要： 本发明涉及电路技术领域，提供了一种用于数模转换芯片的测试装置，利用处理单元提供的标准测试码，通过具有待测D/A芯片的采样放大单元进行数模转换得到可表征任意两个相邻标准测试码转换后测试电压间差值的检测值；以及利用具有基准D/A芯片的基准放大单元对标准测试码进行数模转换得到可表征前述两个相邻标准测试码转换后基准电压间差值的参考值；再通过比较单元根据该检测值与该参考值比较生成检测信号，利用处理单元根据一组前述检测信号计算或者获得待测D/A芯片的一组静态参数向量，并根据该一组静态参数向量的变化量与预设误差范围的比较结果判断该待测D/A芯片的数模转换功能是否正常。由此可有效缩短数模转换芯片的测试时间。
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公开(公告)号：CN114157297A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010935169.1
申请日：2020-09-08
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
发明人： 邴春秋
IPC分类号： H03M1/10
摘要： 本发明公开了一种高精度模数转换芯片的测试装置和测试方法，该测试装置包括：电源模块，用于提供高精度的多个模拟输入信号，所述多个模拟输入信号经过多个待测模数转换芯片后被转换为多组数字信号；数字万用表，与待测模数转换芯片的输入端连接，用于对所述多个模拟输入信号进行精准测量，以获得对应的多个测量值；测试机，用于将所述多个测试值依次和所述多组数字信号中的一组数字信号进行对比，以分别获得多个待测模数转换芯片的测试精度，其中，每组数字信号均对应包括多个数字信号。本发明实现了对待测模数转换芯片的高精度和高效率的测试，有利于实现待测模数转换芯片的稳定量产测试。
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公开(公告)号：CN112945418A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911253357.X
申请日：2019-12-09
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
发明人： 邴春秋
摘要： 本发明公开了一种集成芯片的测温装置及测温方法，测温装置包括：测试机，与待测芯片的测试管脚连接，用于对待测芯片进行参数和性能测试；电流源模块，与待测芯片的空闲管脚连接，用于向待测芯片提供设定电流；电压测量模块，与待测芯片的空闲管脚连接，用于测量待测芯片中寄生二极管两端的电压，以便根据测量电压获得待测芯片的工作温度，空闲管脚至少包括连接ESD保护电路的第一管脚和第二管脚，第一管脚和所述第二管脚的其中之一与参考地之间存在寄生二极管，其中另一与电流源模块连接。可以在芯片高温测试阶段实时的测量芯片的工作温度，测量准确度高，装置简单，测试成本低。
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公开(公告)号：CN112947654B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201911259142.9
申请日：2019-12-10
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种阈值电压产生电路、测试机及充电保护芯片测试装置，阈值电压产生电路包括：可调低压源模块，用于产生扫描电压，扫描电压以第一步长进行步进调节；可调基准源模块，用于产生基准电压，基准电压以第二步长进行步进调节；以及加法模块，分别与可调低压源模块和可调基准源模块连接，用于对扫描电压和基准电压进行加法运算，以输出阈值电压，其中，第一步长小于第二步长且第一步长与第二步长属于不同的量级。可以实现对充电保护芯片高精度的过压阈值扫描和快速测试。
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公开(公告)号：CN114755554A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202011589860.5
申请日：2020-12-29
申请人： 圣邦微电子(北京)股份有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本公开涉及集成电路技术领域，提供了一种用于半导体成品检测的测试方法、服务器和存储介质，首先选定待确定参数非交叠的两个扫描区间；并基于这两个扫描区间，分别确定不同的基准值；而后分别以该不同的基准值作为起始值进行扫描，直至扫描得到的基准值满足预设阈值精度范围的两个目标值或者扫描结束为止；在扫描结束后输出不同的目标值和该不同目标值的平均值其中之一作为该待确定参数本次扫描的扫描结果，其中，该预设阈值为待确定参数的状态触发值。由此可在批量生产中保证成品测试参数满足精度要求的情况下，能够缩短测试时间、显著降低产品测试环节成本。
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