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公开(公告)号:CN101448759B
公开(公告)日:2013-06-19
申请号:CN200780018655.X
申请日:2007-05-09
申请人: 埃普科斯股份有限公司
IPC分类号: C04B35/495 , H01G4/12 , H01G4/30 , H01C7/18
CPC分类号: H01G4/1263 , C04B35/495 , C04B35/497 , C04B2235/32 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/656 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/765 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , H01G4/1254 , H01G4/30 , H01G4/35 , H01G4/40 , H05K1/0306 , Y10T428/24926 , Y10T428/252
摘要: 本发明涉及陶瓷材料、烧结陶瓷和由其制成的元件、制造方法和陶瓷的应用。提供了一种陶瓷混合系,由纯组分A和B的两相混合物组成,其中A相基于Bi3NbO7的立方体至四面体变体,而B相基于Bi2(Zn2/3Nb4/3)O7的单斜晶的烧绿石变体。由此制成的陶瓷物体的电性能使该材料适用于具有多层结构的元件,这种元件中集成有电容和电感器,并且可以用在数据处理或者信号处理中。
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公开(公告)号:CN101448759A
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200780018655.X
申请日:2007-05-09
申请人: 埃普科斯股份有限公司
IPC分类号: C04B35/495 , H01G4/12 , H01G4/30 , H01C7/18
CPC分类号: H01G4/1263 , C04B35/495 , C04B35/497 , C04B2235/32 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/656 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/765 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , H01G4/1254 , H01G4/30 , H01G4/35 , H01G4/40 , H05K1/0306 , Y10T428/24926 , Y10T428/252
摘要: 本发明涉及陶瓷材料、烧结陶瓷和由其制成的元件、制造方法和陶瓷的应用。提供了一种陶瓷混合系,由纯组分A和B的两相混合物组成,其中A相基于Bi3NbO7的立方体至四面体变体,而B相基于Bi2(Zn2/3Nb4/3)O7的单斜晶的烧绿石变体。由此制成的陶瓷物体的电性能使该材料适用于具有多层结构的元件,这种元件中集成有电容和电感器,并且可以用在数据处理或者信号处理中。
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