公开(公告)号：CN106663697B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201580040872.3

申请日：2015-03-27

Applicant: 堺显示器制品株式会社

Inventor： 野寺伸武 ,  石田茂 ,  高仓良平 ,  松岛吉明 ,  松本隆夫 ,  小林和树 ,  桶谷大亥

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种能够降低截止电流的薄膜晶体管以及具有该薄膜晶体管的显示面板。薄膜晶体管，包括：栅极电极(2)，形成于基板(1)的表面；多晶硅层(5)，形成于上述栅极电极的上侧；非晶硅层(4、6)，形成为覆盖上述多晶硅层；n+硅层(7)，形成于上述非晶硅层的上侧；以及源极电极(8)和漏极电极(9)，形成于上述n+硅层上；将上述多晶硅层、源极电极及漏极电极投影在上述基板表面的投影状态下，上述多晶硅层的一部分分别与上述源极电极和漏极电极的一部分重叠，且在上述投影状态下位于上述源极电极和漏极电极之间的上述多晶硅层中，与上述源极电极和漏极电极之间的长度方向正交的宽度方向上的最小尺寸小于上述源极电极和漏极电极的上述宽度方向上的尺寸。

公开(公告)号：CN108028030A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201580083060.7

申请日：2015-09-10

Applicant: 堺显示器制品株式会社

Inventor： 石田茂 ,  野寺伸武 ,  高仓良平 ,  松岛吉明 ,  松本隆夫 ,  小林和树 ,  桶谷大亥

IPC: G09F9/30 ,  G09F9/00

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2201/123 ,  G02F2202/103 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供显示装置和该显示装置的制造方法，该显示装置具有：具有第1薄膜晶体管的像素；具有第2薄膜晶体管、驱动上述像素的驱动电路，通过以上述第1薄膜晶体管涉及的第1沟道区域和上述第2薄膜晶体管涉及的第2沟道区域的电特性(例如电子迁移率)不同的方式构成该显示装置，从而第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管能够适于各自职能地工作。

公开(公告)号：CN106663697A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580040872.3

申请日：2015-03-27

Applicant: 堺显示器制品株式会社

Inventor： 野寺伸武 ,  石田茂 ,  高仓良平 ,  松岛吉明 ,  松本隆夫 ,  小林和树 ,  桶谷大亥

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1222 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/7866 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种能够降低截止电流的薄膜晶体管以及具有该薄膜晶体管的显示面板。薄膜晶体管，包括：栅极电极，形成于基板的表面；多晶硅层，形成于上述栅极电极的上侧；非晶硅层，形成为覆盖上述多晶硅层；n+硅层，形成于上述非晶硅层的上侧；以及源极电极和漏极电极，形成于上述n+硅层上；将上述多晶硅层、源极电极及漏极电极投影在上述基板表面的投影状态下，上述多晶硅层的一部分分别与上述源极电极和漏极电极的一部分重叠，且在上述投影状态下位于上述源极电极和漏极电极之间的上述多晶硅层中，与上述源极电极和漏极电极之间的长度方向正交的宽度方向上的最小尺寸小于上述源极电极和漏极电极的上述宽度方向上的尺寸。

公开(公告)号：CN107408578B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201580078351.7

申请日：2015-03-30

Applicant: 堺显示器制品株式会社

Inventor： 石田茂 ,  野寺伸武 ,  高仓良平 ,  松岛吉明 ,  松本隆夫 ,  小林和树 ,  桶谷大亥

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种能够降低截止电流的薄膜晶体管以及具有该薄膜晶体管的显示面板。薄膜晶体管包括：栅电极(2)，形成于基板(1)的表面；第一非晶硅层(4)，形成于栅电极(2)的上侧；多个多晶硅层(51、52、53)，被第一非晶硅层(4)分离，并且具有所需的间隔尺寸而形成于栅电极(2)的上侧；第二非晶硅层(6)和n+硅层(7)，形成于多个多晶硅层(51、52、53)和第一非晶硅层(4)的上侧；源电极(8)和漏电极(9)，形成在n+硅层(7)上。

公开(公告)号：CN107408578A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201580078351.7

申请日：2015-03-30

Applicant: 堺显示器制品株式会社

Inventor： 石田茂 ,  野寺伸武 ,  高仓良平 ,  松岛吉明 ,  松本隆夫 ,  小林和树 ,  桶谷大亥

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种能够降低截止电流的薄膜晶体管以及具有该薄膜晶体管的显示面板。薄膜晶体管包括：栅电极，形成于基板的表面；第一非晶硅层，形成于栅电极的上侧；多个多晶硅层，被第一非晶硅层分离，并且具有所需的间隔尺寸而形成于栅电极的上侧；第二非晶硅层和n+硅层，形成于多个多晶硅层和第一非晶硅层的上侧；源电极和漏电极，形成在n+硅层上。