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公开(公告)号：CN109964304A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201680090915.3
申请日：2016-11-16
Applicant: V科技股份有限公司 , 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L21/20
Abstract: 依赖于激光的能量密度的偏差，玻璃基板所包含的多个薄膜晶体管的特性产生偏差，从而在将玻璃基板用于液晶显示装置的液晶时，会产生显示不均这样的问题。本发明的一个实施方式中的激光照射装置的特征在于，具有：光源，其产生激光；投影透镜，其对分别粘附于玻璃基板上的多个薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射该激光；投影掩模图案，其设于该投影透镜上，以对于该多个薄膜晶体管分别照射该激光的方式设有多个开口部，该投影透镜经由该投影掩模图案，对于沿规定的方向移动的该玻璃基板上的该多个薄膜晶体管照射该激光，该投影掩模图案设置为，该开口部在与该移动的方向正交的一列上不连续。
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公开(公告)号：CN106663697B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201580040872.3
申请日：2015-03-27
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 提供一种能够降低截止电流的薄膜晶体管以及具有该薄膜晶体管的显示面板。薄膜晶体管，包括：栅极电极(2)，形成于基板(1)的表面；多晶硅层(5)，形成于上述栅极电极的上侧；非晶硅层(4、6)，形成为覆盖上述多晶硅层；n+硅层(7)，形成于上述非晶硅层的上侧；以及源极电极(8)和漏极电极(9)，形成于上述n+硅层上；将上述多晶硅层、源极电极及漏极电极投影在上述基板表面的投影状态下，上述多晶硅层的一部分分别与上述源极电极和漏极电极的一部分重叠，且在上述投影状态下位于上述源极电极和漏极电极之间的上述多晶硅层中，与上述源极电极和漏极电极之间的长度方向正交的宽度方向上的最小尺寸小于上述源极电极和漏极电极的上述宽度方向上的尺寸。
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公开(公告)号：CN109417099A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201680087069.X
申请日：2016-04-25
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供特性差异小的薄膜晶体管、显示装置以及薄膜晶体管制造方法。薄膜晶体管具备栅电极、栅极绝缘膜、半导体层、蚀刻阻挡层以及源电极和漏电极。栅电极形成在基板上。栅极绝缘膜形成为覆盖栅电极。半导体层形成在栅极绝缘膜的上侧，半导体层含有多晶硅层，多晶硅层在俯视图中位于由栅电极界定的区域的内侧。蚀刻阻挡层位于多晶硅层的上侧。源电极和漏电极彼此隔着间隔地设置在半导体层上。多晶硅层具有不被蚀刻阻挡层覆盖的第一区域和第二区域，源电极的一部分存在于第一区域的上方，漏电极的一部分存在于第二区域的上方。
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公开(公告)号：CN108028201A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201580083197.2
申请日：2015-09-17
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/1368 , G02F2202/103 , G02F2202/104 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02678 , H01L27/1229 , H01L27/1285 , H01L29/66765 , H01L29/786 , H01L29/78609 , H01L29/78669 , H01L29/78678
Abstract: 本发明提供通过调整多晶硅的结晶性从而适当地对特性进行了调整的薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法。TFT的沟道层中所含的硅层14包含非晶部141、第1多晶部142和结晶性更低的第2多晶部143。通过经过掩模2将激光照射于硅层14，该掩模2包含将激光(能量束)遮蔽的遮蔽部21、使激光透过的第1透过部22和激光的透过率更低的第2遮蔽部22，从而形成第1多晶部142和第2多晶部143。通过存在第2多晶部143，与多晶的部分的结晶性为一种的TFT相比，更为适当地调整迁移率等TFT的特性。另外，通过调整掩模2的构成，从而能够简便地调整TFT的特性。
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公开(公告)号：CN108028201B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201580083197.2
申请日：2015-09-17
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供通过调整多晶硅的结晶性从而适当地对特性进行了调整的薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法。TFT的沟道层中所含的硅层14包含非晶部141、第1多晶部142和结晶性更低的第2多晶部143。通过经过掩模2将激光照射于硅层14，该掩模2包含将激光(能量束)遮蔽的遮蔽部21、使激光透过的第1透过部22和激光的透过率更低的第2遮蔽部22，从而形成第1多晶部142和第2多晶部143。通过存在第2多晶部143，与多晶的部分的结晶性为一种的TFT相比，更为适当地调整迁移率等TFT的特性。另外，通过调整掩模2的构成，从而能够简便地调整TFT的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107533979B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201580078999.4
申请日：2015-04-20
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管和显示面板。在基板的表面形成栅极，在形成了栅极的基板的表面形成绝缘膜。在形成了绝缘膜的基板的表面形成第一非晶硅层。对第一非晶硅层的分隔开的多个所需部位照射能量束，使所述所需部位变化为多晶硅层。所需部位分别位于栅极的上侧，是源极和漏极间的沟道区域。此时，对所述第一非晶硅层的与所述多个所需部位关联的其它部位也照射能量束，使其烧蚀，在该其它部位形成所需形状的除去部。以后，在形成用作源极和漏极的金属层时，在该金属层形成与所述除去部的形状相仿的呈凹部的凹坑。因此，利用该凹坑作为对准标记，在沟道区域的上侧的适当位置形成源极和漏极。
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公开(公告)号：CN108028030A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201580083060.7
申请日：2015-09-10
Applicant: 堺显示器制品株式会社
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/13454 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2201/123 , G02F2202/103 , H01L27/1222 , H01L27/1229 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/4908 , H01L29/78672 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供显示装置和该显示装置的制造方法，该显示装置具有：具有第1薄膜晶体管的像素；具有第2薄膜晶体管、驱动上述像素的驱动电路，通过以上述第1薄膜晶体管涉及的第1沟道区域和上述第2薄膜晶体管涉及的第2沟道区域的电特性(例如电子迁移率)不同的方式构成该显示装置，从而第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管能够适于各自职能地工作。
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公开(公告)号：CN106663697A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580040872.3
申请日：2015-03-27
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1222 , H01L29/66765 , H01L29/7866 , H01L29/78669 , H01L29/78696
Abstract: 提供一种能够降低截止电流的薄膜晶体管以及具有该薄膜晶体管的显示面板。薄膜晶体管，包括：栅极电极，形成于基板的表面；多晶硅层，形成于上述栅极电极的上侧；非晶硅层，形成为覆盖上述多晶硅层；n+硅层，形成于上述非晶硅层的上侧；以及源极电极和漏极电极，形成于上述n+硅层上；将上述多晶硅层、源极电极及漏极电极投影在上述基板表面的投影状态下，上述多晶硅层的一部分分别与上述源极电极和漏极电极的一部分重叠，且在上述投影状态下位于上述源极电极和漏极电极之间的上述多晶硅层中，与上述源极电极和漏极电极之间的长度方向正交的宽度方向上的最小尺寸小于上述源极电极和漏极电极的上述宽度方向上的尺寸。
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公开(公告)号：CN108028283B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201580083210.4
申请日：2015-09-18
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供能够使特性的波动减小的薄膜晶体管的制造方法和薄膜晶体管。形成由非晶硅构成的第1硅层14，从成为TFT(薄膜晶体管)的构成物的规定区域内的一部分或全部到规定区域的外部照射能量束，使照射了能量束的部分变化为多晶硅。另外，以使规定区域残留的方式蚀刻第1硅层14，以覆盖蚀刻后的第1硅层14的方式形成由非晶硅构成的第2硅层15。第1硅层14和第2硅层15成为TFT的沟道层。多晶硅的位置不会由于照射位置的波动而波动，减小沟道层内的多晶硅的位置的波动，减小TFT的特性的波动。
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公开(公告)号：CN112292751A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201880094419.4
申请日：2018-06-07
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 薄膜晶体管包括支承于基板的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘层、配置于栅极绝缘层上且包含多晶硅区域p的半导体层，多晶硅区域p具有：半导体层，其包括第一区域Rs、第二区域Rd、以及位于第一区域与第二区域之间的沟道区域Rc；源电极s，其与第一区域电连接；漏电极d，其与第二区域电连接，保护绝缘层，其配置于半导体层与源电极及漏电极之间；i型半导体层，其以与沟道区域的一部分直接接触的方式配置于保护绝缘层与沟道区域之间，由本征的半导体构成；以及侧壁，其配置于保护绝缘层的侧面，i型半导体层具有比多晶硅区域大的带隙，当从基板的法线方向观察时，i型半导体层与第一区域之间以及i型半导体层与第区域之间，侧壁与沟道区域直接接触。
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