-
公开(公告)号：CN113345966A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110182022.4
申请日：2021-02-09
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明的薄膜晶体管包括：主体层，其为在栅极电极上隔着栅极绝缘膜形成的半导体层，且在栅极电极的上方包含：第一区域、第二区域以及位于第一区域以及第二区域之间的沟道区域；沟道阻挡物，其形成在沟道区域上；源极电极，其经由第一接触层与第一区域电连接；以及漏极电极，其经由第二接触层与第二区域电连接。第一接触层以及第二接触层分别包含第一非晶硅层，该第一非晶硅层与源极电极或漏极电极直接接触且包含有杂质，第一区域以及第二区域的各自的厚度小于沟道区域的厚度，第一区域以及第二区域包含有第二非晶硅层，该第二非晶硅层以比第一非晶硅层低的杂质浓度包含有杂质。结果，当抑制光激励电流地制成显示装置时，可以提高开口率。
Search Results
1
records
(took 0.017 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
