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公开(公告)号：CN1257135A
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：CN99125713.8
申请日：1999-12-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及的是一种溅射制备氧化铟锡/金属/氧化铟锡多层薄膜结构透明电极的工艺。现有溅射工艺要加热,不适合有机衬底,而且基体温度过高,不利于产品性能的提高。本发明室温条件下溅射制备氧化铟锡/金属/氧化铟锡复合透明导电薄膜电极,该工艺的优点是:基片不需要加热,电极导电性好,有较好的透光性,有优良的表面平整度,薄膜电气性能稳定。该工艺适用于各种有机薄膜发光器件和其他高温耐受性较差的薄膜发光器件的透明电极制备。
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