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公开(公告)号：CN107665894B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201710815408.8
申请日：2017-09-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11521
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维半导体材料的半浮栅存储器及其制备方法。本发明利用二维材料能带工程，实现了准‑非挥发存储特性，在写入速度纳秒级的情况下，数据保持能力达到几十秒，这一特性对于大幅降低随机存储器的功耗有重大帮助。本发明的二维半浮栅存储器的制备方法，包括能带设计、材料堆叠设计和电极版图设计。该存储器在保持纳秒级写入特性的前提下，大幅提升数据保持能力至几十秒；数据保持能力的提高可以极大的降低高速存储技术由于频繁刷新导致的功耗问题。
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公开(公告)号：CN107665809A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710799122.5
申请日：2017-09-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于薄膜制备技术领域，具体为一种可控层数的大面积二维过渡族金属化合物薄膜及其制备方法。本发明的过渡族金属化合物薄膜的基本化合化学式为MX2，其中M为V族元素，X为硫族元素。本发明制备方法，包括先在衬底上淀积一层前驱体，然后化学气相淀积反应形成过渡族金属化合物，其中包括使用物理气相沉积、电子束蒸发淀积一层金属M，或者原子层沉积、分子束外延淀积一层金属M的氧化物或者氮化物等。本发明可以制备大面积并可控层数的二维薄膜，突破了目前二维过渡族金属化合物薄膜无法大面积制备的局面，可望在大规模集成电路中获得应用。
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公开(公告)号：CN107665894A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710815408.8
申请日：2017-09-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11521
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维半导体材料的半浮栅存储器及其制备方法。本发明利用二维材料能带工程，实现了准-非挥发存储特性，在写入速度纳秒级的情况下，数据保持能力达到几十秒，这一特性对于大幅降低随机存储器的功耗有重大帮助。本发明的二维半浮栅存储器的制备方法，包括能带设计、材料堆叠设计和电极版图设计。该存储器在保持纳秒级写入特性的前提下，大幅提升数据保持能力至几十秒；数据保持能力的提高可以极大的降低高速存储技术由于频繁刷新导致的功耗问题。
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公开(公告)号：CN107611034A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710799123.X
申请日：2017-09-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体晶体管技术领域，具体为一种基于二维半导体材料的双极性晶体管的制备方法。本发明方法包括：在轻掺杂的衬底上转移一层二维材料，然后再转移一层二维材料堆叠在上面。由于传统双极性晶体管的结构，材料以及制备方法的限制，使得其无法在放大倍数以及小型化中取得重大突破。本发明由于采用二维材料堆叠的方法，使得形成基区的时候，不用采用离子注入的方法，从而可以很好的控制基区厚度在1nm左右，使得发射区注入的载流子能够很快的移动到集电节附近，在反偏电压的作用下，移动到集电区，从而极大的增高放大倍数。
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