-
公开(公告)号：CN109801920A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910041482.8
申请日：2019-01-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11568
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为基于柔性二维半导体沟道量子点的非易失存储器及其制备方法。本发明在以柔性材料为基础的衬底上利用零维量子点作为电荷俘获层以及二维半导体作为器件沟道，通过电荷的隧穿实现高开关比以及多值存储的功能。本发明制备过程包括：利用原子层沉积技术长的金属氧化物，机械剥离或者化学气相沉积制备的二维材料，以及利用旋涂技术制备的量子点。本发明可以制备具有高开关比、实现多值存储以及非易失特性的新型存储器，开创了一个二维半导体材料与零维量子点结合的新领域，具有广阔的应用前景。
Search Results
1
records
(took 0.015 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
