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公开(公告)号：CN103390628B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210141482.3
申请日：2012-05-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法，属于存储器技术领域。该电阻型存储器集成在后端结构中，对用于形成垂直电极的通孔，通孔周围的介质层被部分地水平横向刻蚀以形成一个或多个水平沟槽，水平沟槽被用来定义形成存储功能层，并且在所述水平沟槽中依次形成用于形成双向二极管的金属内电极、半导体层、金属水平电极。该电阻型存储器实现了三维的堆叠排列、密度高、制备效率高、成本低、功耗低，并且可以适用于双极性电阻型存储器。
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公开(公告)号：CN103682090A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210345623.3
申请日：2012-09-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及提供一种电阻型存储器（ReRAM）的制造方法以及电阻型存储器，属于电阻型存储器技术领域。该制造方法包括步骤：形成下电极层；在所述下电极层形成WOx介质层；用第一还原性气体对所述WOx介质层表面进行第一退火处理；在所述第一退火处理后的WOx介质层表面上形成Al电极；以及通过第二退火处理以使相互接触的部分所述WOx介质层与部分所述Al电极形成AlOx存储功能层；其中，1≤x≤3。通过该制造方法制备形成的电阻型存储器具有Forming电压小、数据保持特性好、Forming操作成功率高的特点。
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公开(公告)号：CN103390628A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210141482.3
申请日：2012-05-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法，属于存储器技术领域。该电阻型存储器集成在后端结构中，对用于形成垂直电极的通孔，通孔周围的介质层被部分地水平横向刻蚀以形成一个或多个水平沟槽，水平沟槽被用来定义形成存储功能层，并且在所述水平沟槽中依次形成用于形成双向二极管的金属内电极、半导体层、金属水平电极。该电阻型存储器实现了三维的堆叠排列、密度高、制备效率高、成本低、功耗低，并且可以适用于双极性电阻型存储器。
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公开(公告)号：CN103682090B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210345623.3
申请日：2012-09-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及提供一种电阻型存储器（ReRAM）的制造方法以及电阻型存储器，属于电阻型存储器技术领域。该制造方法包括步骤：形成下电极层；在所述下电极层形成WOx介质层；用第一还原性气体对所述WOx介质层表面进行第一退火处理；在所述第一退火处理后的WOx介质层表面上形成Al电极；以及通过第二退火处理以使相互接触的部分所述WOx介质层与部分所述Al电极形成AlOx存储功能层；其中，1≤x≤3。通过该制造方法制备形成的电阻型存储器具有Forming电压小、数据保持特性好、Forming操作成功率高的特点。
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公开(公告)号：CN102339948A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201010228039.0
申请日：2010-07-16
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/101 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1633
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种高一致性的电阻型存储器及其制备方法。该电阻型存储器包括：下电极，其被构图地形成于第一介质层中；第二介质层，形成于下电极和第一介质层上；形成于第二介质层的开口中的边墙，用于覆盖下电极与第一介质层的交界区域、并仅暴露下电极的中部区域；以第二介质层和边墙为掩膜氧化形成的存储介质层；以及上电极。该电阻型存储器一致性和可靠性高，单元尺寸小、有利于提高存储特性。以该电阻型存储器形成的电阻型存储器阵列，多个电阻型存储器之间的一致性高。
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