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公开(公告)号：CN107154458B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201610122457.9
申请日：2016-03-04
申请人： 华邦电子股份有限公司
CPC分类号： H01L45/1253 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16
摘要： 一种电阻式随机存取存储器结构及其制造方法，本方法包括形成一第一介电层位于一基底上。图案化第一介电层以形成多个开口，并形成多个底电极于开口中。形成一过渡金属氧化层覆盖底电极并延伸至部分第一介电层上，其中底电极与过渡金属氧化层的一侧壁的最短距离为一第一距离，且第一距离介于10nm至200μm。之后，形成一顶电极于过渡金属氧化层上。本发明的电阻式随机存取存储器结构中，过渡金属氧化层覆盖多个底电极，且过渡金属氧化层的侧壁位于底电极的侧壁之外。藉此，可降低底电极受到后续工艺的损害。
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公开(公告)号：CN109671736A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201710953109.0
申请日：2017-10-13
申请人： 联华电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00 , H01L29/51 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L27/2436 , H01L21/02532 , H01L21/265 , H01L27/2463 , H01L29/0843 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L45/1675 , H01L21/8239 , H01L29/517
摘要： 本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含有一基底，该基底中包含有一扩散区，一晶体管结构，位于该基底上，以及一电阻式随机存取存储器(RRAM)位于该基底上，其中该电阻式随机存取存储器包含有至少一金属硅化物层直接接触该扩散区，以及一下电极、一电阻转换层与一上电极依序位于该金属硅化物层上。
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公开(公告)号：CN109638153A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811488234.X
申请日：2018-12-06
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/144 , H01L45/16
摘要： 本发明属于维纳电子技术领域，特别是涉及一种选通材料、选通管器件及其制备方法。所述选通管器件包括：第一金属电极层、第二金属电极层以及上述两个电极层中间的选通层。所述选通层材料化学通式可示意为GexTeyA100‑x‑y：上述式中A代指元素C、B、Si、Al、Sb、Bi中的一种，x、y为元素的原子百分比且10≤x 11mA)、低关态电流、高开关比、高开关速度和低开电压的优点。
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公开(公告)号：CN109473546A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201710801908.6
申请日：2017-09-07
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/128 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1675 , H01L45/16
摘要： 一种阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器包括：第一电极、第二电极、位于所述第一电极和所述第二电极之间的阻变层、至少一层储热层，所述储热层与所述阻变层相邻，所述储热层的热导率小于所述第一电极和所述第二电极的热导率。该阻变存储器的电导在外加脉冲的条件下无论是增大的过程还是减小的过程，其电导都可以连续变化。
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公开(公告)号：CN109037440A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810847567.0
申请日：2018-07-27
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/147 , H01L45/04 , H01L45/16
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种阻变存储器及其制备方法和应用。本发明公开了一种阻变存储器，包括：衬底、底电极、第一顶电极、第二顶电极和双钙钛矿氧化物薄膜；底电极设置在衬底的表面；双钙钛矿氧化物薄膜和第一顶电极均设置在底电极背离衬底的一侧；第二顶电极设置在双钙钛矿氧化物薄膜背离底电极的一侧；双钙钛矿氧化物薄膜选自Bi2NiMnO6、Bi2Ni0.5Mn1.5O6或Bi2Ni0.1Mn1.9O6薄膜。相比于现有的阻变存储器，将双钙钛矿氧化物薄膜作为介质层的阻变存储器在不同的退火温度下，可以在高阻态和低阻态之间相互转化，HRS/LRS值可以达到200，展现出了优良的阻变特性，使得阻变存储器具备良好的稳定性，解决现有的阻变存储器阻变效应差，阻变存储器容易损坏的技术问题。
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公开(公告)号：CN109037272A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810251420.5
申请日：2018-03-26
申请人： 爱思开海力士有限公司
CPC分类号： H01L45/1293 , H01L27/2409 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/16 , H01L45/1675 , H01L27/2481
摘要： 一种电子装置可以包括半导体存储器，并且所述半导体存储器可以包括：多个存储单元，每个存储单元包括可变电阻层；替代电介质层，其填充所述多个存储单元之间的间隔；以及非替代电介质层，其被设置为与所述多个存储单元中的每个存储单元的可变电阻层相邻，其中，非替代电介质层可以包括可流动电介质材料。
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公开(公告)号：CN108963072A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710389531.8
申请日：2017-05-27
申请人： 旺宏电子股份有限公司
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/24 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16
摘要： 一种半导体结构包括一底电极、一第一存储元件、一第二存储元件、及一顶电极。第一存储元件设置在底电极上。第一存储元件包括一第一氧化物材料。第二存储元件设置在第一存储元件上。第二存储元件包括不同于第一氧化物材料的一第二氧化物材料。顶电极设置在第二存储元件上。顶电极包括一顶电极材料。第一氧化物材料和第二氧化物材料中的至少一者为顶电极材料的一氧化物。
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公开(公告)号：CN108922960A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810680838.8
申请日：2018-06-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/143 , H01L45/16
摘要： 本发明提供一种Ge-Se-Sb复合材料、1S1R相变存储器单元及制备方法，其化学通式为GexSeySb100-x-y，其中x、y均指元素的原子百分比，且满足20
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公开(公告)号：CN108682738A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810339076.5
申请日：2018-04-16
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/04 , H01L45/149 , H01L45/16
摘要： 本发明公开了一种全碳忆阻器，自下而上依次包括衬底、石墨烯底电极层、氧化石墨烯中间介质层和石墨烯顶电极层。还公开了其制备方法，包括：(1)采用抽滤法在衬底上制备石墨烯底电极层；(2)采用抽滤法在石墨烯底电极层上转移氧化石墨烯中间介质层；(3)采用抽滤法在氧化石墨烯中间介质层上转移石墨烯顶电极层。本发明通过低温溶液法制备全碳忆阻器，大大降低了制备忆阻器的成本，且工艺简单，适合大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN108666416A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710215955.2
申请日：2017-04-01
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/16
摘要： 本发明提供一种相变存储器单元及其制备方法，所述相变存储器单元包括相变材料层，所述相变材料层包括单层相变材料SbxTe1-x层和单层化合物ScyTe1-y层交替垂直堆叠生长而形成的相变超晶格薄膜结构，其中，0.4≤x≤0.8，0.4≤y≤0.8。本发明制备出的超晶格(SbxTe1-x)-(ScyTe1-y)相变材料具有和传统Ge-Sb-Te相变材料相比，获得的相变存储器件具有更低功耗、更高的相变速、更高的保持力、更长寿命等优点。
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