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公开(公告)号：CN117881194A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311735126.9
申请日：2023-12-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子领域，具体涉及一种HfO2基铁电电容器及其制备方法和应用，包括如下步骤：S1：在衬底表面生长底电极，随后在底电极表面沉积铁电介质层；S2：退火处理；S3：在退火处理后的铁电介质层表面涂覆负胶并曝光显影，随后在表面生长顶电极；S4：剥离工艺。与现有技术相比，本发明解决现有技术中超薄HZO层需要经过大量循环进行唤醒后才可正常使用的缺陷；本方案在HfO2基铁电电容器中实现了无需唤醒的铁电性，同时提高了耐久性和翻转速度。
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