公开(公告)号：CN1229875C

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN02160606.4

申请日：2002-10-31

Applicant: 夏普公司

Inventor： 泷本贵博 ,  大久保勇 ,  久保胜 ,  中村弘规 ,  福岛稔彦 ,  吉川俊文

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/14 ,  G01J1/02 ,  G11B7/00

CPC classification number: H01L31/103 ,  G11B7/13

Abstract: 光接收元件包括至少包括第一导电型半导体层的半导体结构；设在半导体结构中的第一导电型半导体层上的第一层第二导电型半导体层；杂质浓度低于第一层第二导电型半导体层的第二层第二导电型半导体层；设在第二层第二导电型半导体层上的第二层第一导电型半导体层，或设在第二层第二导电型半导体层中的第二层第一导电型半导体层。

公开(公告)号：CN1419299A

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：CN02160606.4

申请日：2002-10-31

Applicant: 夏普公司

Inventor： 泷本贵博 ,  大久保勇 ,  久保胜 ,  中村弘规 ,  福岛稔彦 ,  吉川俊文

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/14 ,  G01J1/02 ,  G11B7/00

CPC classification number: H01L31/103 ,  G11B7/13

Abstract: 光接收元件包括至少包括第一导电型半导体层的半导体结构；设在半导体结构中的第一导电型半导体层上的第一层第二导电型半导体层；杂质浓度低于第一层第二导电型半导体层的第二层第二导电型半导体层；设在第二层第二导电型半导体层上的第二层第一导电型半导体层，或设在第二层第二导电型半导体层中的第二层第一导电型半导体层。