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公开(公告)号：CN1309427A
公开(公告)日：2001-08-22
申请号：CN00137264.5
申请日：2000-11-08
Applicant: 夏普公司
CPC classification number: H01L31/02024 , H01L27/144
Abstract: 一种半导体器件,包括:主要由第一导电类型的半导体多层结构与第二导电类型的第一半导体层之间的PN结构成的光敏部件;和把光敏部件分成多个区的隔离部分。第一导电类型的半导体多层结构包括第一导电类型的半导体衬底;第一导电类型的第一半导体层;和第一导电类型的第二半导体层。隔离部分包括从第二导电类型的第一半导体层伸到第一导电类型的第二半导体层的第一导电类型的第三半导体层。
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公开(公告)号：CN1190265A
公开(公告)日：1998-08-12
申请号：CN98103798.4
申请日：1998-01-27
Applicant: 夏普公司
CPC classification number: H01L27/14643
Abstract: 一种分路光电二极管,包括:半导体基板;形成于其表面上的半导体层;在该基板中的诸区域内形成的诸隔离扩散区,使各隔离扩散区分别从半导体层表面伸展到该半导体基板表面下的区域,以将该半导体层分成至少三个半导体区域。在除位于借助分隔区彼此相邻的所述多个半导体区域组合中的分隔区内的特定隔离扩散区以外的其余隔离扩散区下面形成第一埋置扩散区,并通过加给反偏压而抑制所述其余隔离扩散区域下的区域内半导体基板的消耗。
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公开(公告)号：CN100364100C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200410063750.X
申请日：2000-09-06
Applicant: 夏普公司
CPC classification number: H01L27/1443 , H01L31/0352
Abstract: 一种光敏器件，包括：第一导电类型的半导体基底；在半导体基底上形成且与半导体基底相比具有较低杂质浓度的第一导电类型的半导体层；在第一导电类型的半导体层上形成的第二导电类型的半导体层；和至少一个第一导电类型的扩散层，用于将第二导电类型的半导体层分成多个第二导电类型的半导体区域，其中至少一个光电二极管部分是在多个第二导电类型的半导体区域中的至少一个和第一导电类型的半导体层之间的结合处形成的，以及其中第一导电类型的半导体层具有包含13μm至17μm的厚度和包含100Ωcm至1500Ωcm的电阻系数。
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公开(公告)号：CN1141740C
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN00121955.3
申请日：2000-07-27
Applicant: 夏普公司
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H01L31/10 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/144
Abstract: 一种与电路一体化的光接收器件，包括集成电路和光电二极管。集成电路和光电二极管形成在同一衬底上。集成电路包括以多晶硅作为发射极扩散源和电极的晶体管。包括在集成电路中的元件使用局部氧化相互隔离。
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公开(公告)号：CN1229875C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN02160606.4
申请日：2002-10-31
Applicant: 夏普公司
CPC classification number: H01L31/103 , G11B7/13
Abstract: 光接收元件包括至少包括第一导电型半导体层的半导体结构；设在半导体结构中的第一导电型半导体层上的第一层第二导电型半导体层；杂质浓度低于第一层第二导电型半导体层的第二层第二导电型半导体层；设在第二层第二导电型半导体层上的第二层第一导电型半导体层，或设在第二层第二导电型半导体层中的第二层第一导电型半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1114229C
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN98103798.4
申请日：1998-01-27
Applicant: 夏普公司
CPC classification number: H01L27/14643
Abstract: 一种分路光电二极管，包括：半导体基板；形成于其表面上的半导体层；在该基板中的诸区域内形成的诸隔离扩散区，使各隔离扩散区分别从半导体层表面伸展到该半导体基板表面下的区域，以将该半导体层分成至少三个半导体区域。在除位于借助分隔区彼此相邻的所述多个半导体区域组合中的分隔区内的特定隔离扩散区以外的其余隔离扩散区下面形成第一埋置扩散区，并通过加给反偏压而抑制所述其余隔离扩散区域下的区域内半导体基板的消耗。
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公开(公告)号：CN1419299A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN02160606.4
申请日：2002-10-31
Applicant: 夏普公司
CPC classification number: H01L31/103 , G11B7/13
Abstract: 光接收元件包括至少包括第一导电型半导体层的半导体结构；设在半导体结构中的第一导电型半导体层上的第一层第二导电型半导体层；杂质浓度低于第一层第二导电型半导体层的第二层第二导电型半导体层；设在第二层第二导电型半导体层上的第二层第一导电型半导体层，或设在第二层第二导电型半导体层中的第二层第一导电型半导体层。
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公开(公告)号：CN1290965A
公开(公告)日：2001-04-11
申请号：CN00128434.7
申请日：2000-09-06
Applicant: 夏普公司
CPC classification number: H01L27/1443 , H01L31/0352
Abstract: 一种光敏器件包括:依次形成的第一导电类型的半导体基底;与半导体基底相比具有较低杂质浓度的第一导电类型的半导体层;第二导电类型的半导体层;和第一导电类型的扩散层,扩散层将第二导电类型的半导体层分成多个半导体区域。用于将光信号转化成电信号的光电二极管的至少一部分是在多个半导体区域中的至少一个和第一导电类型的半导体层之间的结合处形成的。当向至少一个发电二极管部分施加反向偏压时,其中第一导电类型的半导体层中形成的耗尽层的场强是约0.3V/μm或更多。
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公开(公告)号：CN1163970C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN00128434.7
申请日：2000-09-06
Applicant: 夏普公司
CPC classification number: H01L27/1443 , H01L31/0352
Abstract: 一种光敏器件包括：依次形成的第一导电类型的半导体基底；与半导体基底相比具有较低杂质浓度的第一导电类型的半导体层；第二导电类型的半导体层；和第一导电类型的扩散层，扩散层将第二导电类型的半导体层分成多个半导体区域。用于将光信号转化成电信号的光电二极管的至少一部分是在多个半导体区域中的至少一个和第一导电类型的半导体层之间的结合处形成的。当向至少一个发电二极管部分施加反向偏压时，其中第一导电类型的半导体层中形成的耗尽层的场强是约0.3V/μm或更多。
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公开(公告)号：CN1282109A
公开(公告)日：2001-01-31
申请号：CN00121955.3
申请日：2000-07-27
Applicant: 夏普公司
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H01L31/10 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/144
Abstract: 一种与电路一体化的光接收器件,包括集成电路和光电二极管。集成电路和光电二极管形成在同一衬底上。集成电路包括以多晶硅作为发射极扩散源和电极的晶体管。包括在集成电路中的元件使用局部氧化相互隔离。
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