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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1328334A
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN01121213.6
申请日：2001-06-06
Applicant: 夏普公司
CPC classification number: H01L27/14698 , H01L27/14609 , H01L27/14689
Abstract: 一种具有对短波长光具有高灵敏度和响应速度的、并能以高成品率制造的含电路的光检测器,包括:半导体衬底、形成于其上的半导体层以及形成于半导体层用于发送信号的导电掺杂区。在半导体层中,形成具有到达衬底的深度的沟道。在暴露在沟道底部的半导体衬底的表面上形成光检测器组件的掺杂区。在半导体层上形成用于处理来自光检测器的电信号的信号处理电路。形成用于发送来自光检测器组件的电信号的导电掺杂区。
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公开(公告)号：CN1318867A
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：CN01119687.4
申请日：2001-03-29
Applicant: 夏普公司
CPC classification number: H01L31/103 , H01L27/1443
Abstract: 一种结合有电路的光接收装置,包括一个第一导电型的第一半导体衬底,一个第一导电型的第一半导体层,一个第一导电型的第二半导体层,一个第二导电型的扩散区、设置在第一导电型的第二半导体层的第一部分,一个电路元件、设置在第一导电型的第一半导体层的第一部分和第一导电型的第二半导体层的第二部分中。第一导电型的第二半导体层和第二导电型的扩散区形成一个光探测光电二极管部分,以及第二导电型的扩散区具有扩散厚度小于或等于短波长信号光的穿透厚度。
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公开(公告)号：CN1222044C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN01121213.6
申请日：2001-06-06
Applicant: 夏普公司
CPC classification number: H01L27/14698 , H01L27/14609 , H01L27/14689
Abstract: 一种具有对短波长光具有高灵敏度和响应速度的、并能以高成品率制造的含电路的光检测器，包括：半导体衬底、形成于其上的半导体层以及形成于半导体层用于发送信号的导电掺杂区。在半导体层中，形成具有到达衬底的深度的沟道。在暴露在沟道底部的半导体衬底的表面上形成光检测器组件的掺杂区。在半导体层上形成用于处理来自光检测器的电信号的信号处理电路。形成用于发送来自光检测器组件的电信号的导电掺杂区。
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公开(公告)号：CN1220267C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN01119687.4
申请日：2001-03-29
Applicant: 夏普公司
CPC classification number: H01L31/103 , H01L27/1443
Abstract: 一种结合有电路的光接收装置，包括一个第一导电型的第一半导体衬底，一个第一导电型的第一半导体层，一个第一导电型的第二半导体层，一个第二导电型的扩散区、设置在第一导电型的第二半导体层的第一部分，一个电路元件、设置在第一导电型的第一半导体层的第一部分和第一导电型的第二半导体层的第二部分中。第一导电型的第二半导体层和第二导电型的扩散区形成一个光探测光电二极管部分，以及第二导电型的扩散区具有扩散厚度小于或等于短波长信号光的穿透厚度。
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公开(公告)号：CN1667783A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510065213.3
申请日：2001-06-06
Applicant: 夏普公司
CPC classification number: H01L27/14698 , H01L27/14609 , H01L27/14689
Abstract: 一种具有对短波长光具有高灵敏度和响应速度的、并能以高成品率制造的含电路的光检测器，包括：半导体衬底、形成于其上的半导体层以及形成于半导体层用于发送信号的导电掺杂区。在半导体层中，形成具有到达衬底的深度的沟道。在暴露在沟道底部的半导体衬底的表面上形成光检测器组件的掺杂区。在半导体层上形成用于处理来自光检测器的电信号的信号处理电路。形成用于发送来自光检测器组件的电信号的导电掺杂区。
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