公开(公告)号：CN1222044C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN01121213.6

申请日：2001-06-06

Applicant: 夏普公司

Inventor： 谷善彦 ,  林田茂树 ,  森冈达也 ,  柿本诚三 ,  福岛稔彦

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/00 ,  G01J1/00

CPC classification number: H01L27/14698 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14689

Abstract: 一种具有对短波长光具有高灵敏度和响应速度的、并能以高成品率制造的含电路的光检测器，包括：半导体衬底、形成于其上的半导体层以及形成于半导体层用于发送信号的导电掺杂区。在半导体层中，形成具有到达衬底的深度的沟道。在暴露在沟道底部的半导体衬底的表面上形成光检测器组件的掺杂区。在半导体层上形成用于处理来自光检测器的电信号的信号处理电路。形成用于发送来自光检测器组件的电信号的导电掺杂区。

公开(公告)号：CN1667783A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200510065213.3

申请日：2001-06-06

Applicant: 夏普公司

Inventor： 谷善彦 ,  林田茂树 ,  森冈达也 ,  柿本诚三 ,  福岛稔彦

IPC: H01J27/14 ,  H01J31/00 ,  G01J1/00

CPC classification number: H01L27/14698 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14689

Abstract: 一种具有对短波长光具有高灵敏度和响应速度的、并能以高成品率制造的含电路的光检测器，包括：半导体衬底、形成于其上的半导体层以及形成于半导体层用于发送信号的导电掺杂区。在半导体层中，形成具有到达衬底的深度的沟道。在暴露在沟道底部的半导体衬底的表面上形成光检测器组件的掺杂区。在半导体层上形成用于处理来自光检测器的电信号的信号处理电路。形成用于发送来自光检测器组件的电信号的导电掺杂区。

公开(公告)号：CN1328334A

公开(公告)日：2001-12-26

申请号：CN01121213.6

申请日：2001-06-06

Applicant: 夏普公司

Inventor： 谷善彦 ,  林田茂树 ,  森冈达也 ,  柿本诚三 ,  福岛稔彦

IPC: H01J27/14 ,  H01J31/00 ,  G01J1/00

CPC classification number: H01L27/14698 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14689

Abstract: 一种具有对短波长光具有高灵敏度和响应速度的、并能以高成品率制造的含电路的光检测器,包括:半导体衬底、形成于其上的半导体层以及形成于半导体层用于发送信号的导电掺杂区。在半导体层中,形成具有到达衬底的深度的沟道。在暴露在沟道底部的半导体衬底的表面上形成光检测器组件的掺杂区。在半导体层上形成用于处理来自光检测器的电信号的信号处理电路。形成用于发送来自光检测器组件的电信号的导电掺杂区。