公开(公告)号：CN100524769C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200510087825.2

申请日：2005-06-03

申请人： 夏普株式会社

发明人： 岩田浩 ,  柴田晃秀 ,  片冈耕太郎 ,  中野雅行

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L29/788 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/336

摘要： 一种半导体存储装置，在半导体衬底上，具有通过栅极绝缘膜形成的单一栅电极以及在栅电极两侧形成的第1、第2存储器功能体。在半导体衬底的栅电极侧表面部形成P型沟道区域，在沟道区域两侧形成N型第1、第2扩散区域。沟道区域由位于第1、第2存储器功能体下的偏移区域和位于栅电极下的栅电极下区域构成。赋予偏移区域P型导电型的杂质浓度有效地稀于赋予栅电极下区域P型导电型的杂质的浓度。因此，可以实现栅电极的薄膜化，提供易于精细化的半导体存储装置。

公开(公告)号：CN109074854A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680079989.7

申请日：2016-12-14

申请人： 夏普株式会社

发明人： 上田雅也 ,  原田康弘 ,  蛭川秀一 ,  中野梓 ,  小暮千贺明 ,  中野雅行 ,  汤浅贵之

IPC分类号： G16H10/40 ,  G16H80/00 ,  A61B5/16 ,  A61B10/00 ,  G01N33/50

摘要： 提供一种与以往相比能够更简单地获取与被实验者的精神或肉体的状态的变化相关的信息的计算机、信息处理方法以及网络系统。提供一种计算机(100)，其包括：存储器(120)，其用于积存从被实验者获取的头发而获得的第一数据；与头发获取时期不同的从被实验者获取的检测体而获得的第二数据；及处理器(110)，其用于基于第一及第二数据生成被实验者的精神或肉体的状态的变化。

公开(公告)号：CN114945783A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202080092590.9

申请日：2020-12-14

申请人： 夏普株式会社

发明人： 笠原恵 ,  清水智之 ,  佐佐木正人 ,  中野雅行 ,  吉江智寿 ,  黄辉心 ,  香村胜一 ,  内海夕香

IPC分类号： F25D3/00 ,  F25D23/00 ,  F28D20/00 ,  G01K1/024 ,  G01K1/14 ,  G01K7/00

摘要： 获取保冷材料的信息。保冷材料包括：至少一个蓄冷材料；包装部，包装至少一个蓄冷材料；一个以上的第一温度传感器，设于包装部；以及发送部，设于包装部，且将第一温度传感器的测量结果发送至外部装置。

公开(公告)号：CN1707800A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510087825.2

申请日：2005-06-03

申请人： 夏普株式会社

发明人： 岩田浩 ,  柴田晃秀 ,  片冈耕太郎 ,  中野雅行

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/336

摘要： 一种半导体存储装置，在半导体衬底上，具有通过栅极绝缘膜形成的单一栅电极以及在栅电极两侧形成的第1、第2存储器功能体。在半导体衬底的栅电极侧表面部形成P型沟道区域，在沟道区域两侧形成N型第1、第2扩散区域。沟道区域由位于第1、第2存储器功能体下的偏移区域和位于栅电极下的栅电极下区域构成。赋予偏移区域P型导电型的杂质浓度有效地稀于赋予栅电极下区域P型导电型的杂质的浓度。因此，可以实现栅电极的薄膜化，提供易于精细化的半导体存储装置。