公开(公告)号：CN100377377C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200510118739.3

申请日：2005-10-31

申请人： 夏普株式会社

发明人： 井口缘织 ,  梅田浩 ,  仓桥孝尚 ,  渡边信幸 ,  村上哲朗

IPC分类号： H01L33/00

摘要： 一种半导体发光元件的制造方法，在具有发光层(7)的第一芯片(22)的表面配置对来自发光层(7)的光透明的作为GaP衬底的第二芯片(23)。在夹紧面压5～500kg/cm2的范围内，经由具有应力缓和率1.5～3.0%的缓冲膜(24)对第一及第二芯片(22、23)的接触面作用压缩力，同时，在加热炉中进行加热。可不产生接合不良，而在整个面上接合第一及第二芯片(22、23)。

公开(公告)号：CN1893134B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200610100645.8

申请日：2006-06-30

申请人： 夏普株式会社

发明人： 龟谷英司 ,  井口缘织 ,  渡边信幸 ,  村上哲朗

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/16 ,  H01L33/0079

摘要： 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件通过层叠包括AlGaInP有源层的外延层(30)和透射从有源层产生的光的第二晶片(23)而形成。外延层(30)和第二晶片(23)的晶轴彼此大致对齐，并关于所述第二晶片(23)的横侧面{100}处于-15°到+15°范围。该具有高外部发射效率的连接型半导体发光器件允许以高产量容易地在整个晶片表面上实现均匀的晶片键合，而不引起接合失效和晶片开裂。

公开(公告)号：CN1893134A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610100645.8

申请日：2006-06-30

申请人： 夏普株式会社

发明人： 龟谷英司 ,  井口缘织 ,  渡边信幸 ,  村上哲朗

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/16 ,  H01L33/0079

摘要： 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件通过层叠包括AlGaInP有源层的外延层(30)和透射从有源层产生的光的第二晶片(23)而形成。外延层(30)和第二晶片(23)的晶轴彼此大致对齐，并关于所述第二晶片(23)的横侧面{100}处于－15°到+15°范围。该具有高外部发射效率的连接型半导体发光器件允许以高产量容易地在整个晶片表面上实现均匀的晶片键合，而不引起接合失效和晶片开裂。

公开(公告)号：CN1770490A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510118739.3

申请日：2005-10-31

申请人： 夏普株式会社

发明人： 井口缘织 ,  梅田浩 ,  仓桥孝尚 ,  渡边信幸 ,  村上哲朗

IPC分类号： H01L33/00

摘要： 一种半导体发光元件的制造方法，在具有发光层(7)的第一芯片(22)的表面配置对来自发光层(7)的光透明的作为GaP衬底的第二芯片(23)。在夹紧面压5～500kg/cm2的范围内，经由具有应力缓和率1.5～3.0％的缓冲膜(24)对第一及第二芯片(22、23)的接触面作用压缩力，同时，在加热炉中进行加热。可不产生接合不良，而在整个面上接合第一及第二芯片(22、23)。