利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

9 条记录 (耗时 0.023 秒)

    发光装置
    1.
    发明授权
    发光装置 有权

    公开(公告)号：CN100543361C

    公开(公告)日：2009-09-23

    申请号：CN200610128820.4

    申请日：2006-08-30

    申请人： 夏普株式会社

    发明人： 增田昌嗣 ,  加藤正明 ,  猪口和彦 ,  梅田浩 ,  目见田裕一 ,  大内田敬 ,  藤田祐介 ,  尾本雅俊

    IPC分类号： F21K2/00 ,  H01L33/00 ,  C09K11/08

    摘要： 提供一种发光装置(10)，具备：发出一次光的发光元件(11)；和吸收所述一次光的一部分，发出具有一次光的波长以上长度波长的二次光的波长变换部(12)，其中，所述波长变换部(12)包含多个绿色或黄色系发光荧光体(14)及红色系荧光发光体(13)，绿色或黄色系发光荧光体(14)由从特定的2价的铕激活硅酸盐荧光体(A-1)、及特定的3价的铈激活硅酸盐荧光体(A-2)中选择的至少1种构成，所述红色系发光荧光体(13)由特定的2价的铕激活氮化物荧光体(B)构成，与原有的发光装置相比效率高，且发出高演色性的白色光。

    半导体发光元件
    2.
    发明授权
    半导体发光元件 有权 转让

    公开(公告)号：CN100376042C

    公开(公告)日：2008-03-19

    申请号：CN200410090000.1

    申请日：2004-10-28

    申请人： 夏普株式会社

    发明人： 金子和昭 ,  梅田浩 ,  佐佐木和明 ,  中村淳一

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

    摘要： 一种半导体发光元件，其可得到均匀的发光的同时，可实现半导体发光元件的小型化。其具有：n型GaAs衬底(3)；由n型AlInP下涂敷层(4a)、AlGaInP活性层(5)以及p型AlInP上涂敷层(4b)构成的发光区域层(6)；p型AlGaInP电流扩散层(9)；由AuZn构成的p型电极(10)；还具有用于将发光限制在电流扩散层(9)的发光区域层(6)侧而部分形成的n型GaP电流阻止层(8)；由AuGe构成的n型电极(2)。其中，通过由中央区域部分(8a)和从该中央区域部分(8a)介由电流扩散层(9)的区域部分包围的外侧区域部分(8b)形成电流阻止层(8)，从而将在光取出侧面得到的发光部分(7)形成为环状，并且使电极(10)朝向所述中央区域部分(8a)。

    半导体发光元件的制造方法
    3.
    发明公开
    半导体发光元件的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1770490A

    公开(公告)日：2006-05-10

    申请号：CN200510118739.3

    申请日：2005-10-31

    申请人： 夏普株式会社

    发明人： 井口缘织 ,  梅田浩 ,  仓桥孝尚 ,  渡边信幸 ,  村上哲朗

    IPC分类号： H01L33/00

    摘要： 一种半导体发光元件的制造方法，在具有发光层(7)的第一芯片(22)的表面配置对来自发光层(7)的光透明的作为GaP衬底的第二芯片(23)。在夹紧面压5～500kg/cm2的范围内，经由具有应力缓和率1.5～3.0％的缓冲膜(24)对第一及第二芯片(22、23)的接触面作用压缩力，同时，在加热炉中进行加热。可不产生接合不良，而在整个面上接合第一及第二芯片(22、23)。

    半导体发光元件
    4.
    发明公开
    半导体发光元件 有权 转让

    公开(公告)号：CN1612368A

    公开(公告)日：2005-05-04

    申请号：CN200410090000.1

    申请日：2004-10-28

    申请人： 夏普株式会社

    发明人： 金子和昭 ,  梅田浩 ,  佐佐木和明 ,  中村淳一

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

    摘要： 一种半导体发光元件，其可得到均匀的发光的同时，可实现半导体发光元件的小型化。其具有：n型GaAs衬底(3)；由n型AlInP下涂敷层(4a)、AlGaInP活性层(5)以及p型AlInP上涂敷层(4b)构成的发光区域层(6)；p型AlGaInP电流扩散层(9)；由AuZn构成的p型电极(10)；还具有用于将发光限制在电流扩散层(9)的发光区域层(6)侧而部分形成的n型GaP电流阻止层(8)；由AuGe构成的n型电极(2)。其中，通过由中央区域部分(8a)和从该中央区域部分(8a)介由电流扩散层(9)的区域部分包围的外侧区域部分(8b)形成电流阻止层(8)，从而将在光取出侧面得到的发光部分(7)形成为环状，并且使电极(10)朝向所述中央区域部分(8a)。

    发光装置
    6.
    发明公开
    发光装置 无效

    公开(公告)号：CN101614340A

    公开(公告)日：2009-12-30

    申请号：CN200910161120.9

    申请日：2006-08-30

    申请人： 夏普株式会社

    发明人： 增田昌嗣 ,  加藤正明 ,  猪口和彦 ,  梅田浩 ,  目见田裕一 ,  大内田敬 ,  藤田祐介 ,  尾本雅俊

    IPC分类号： F21S2/00 ,  F21V9/10 ,  C09K11/08 ,  H01L33/00 ,  F21Y101/02

    摘要： 提供一种发光装置(10)，具备：发出一次光的发光元件(11)；和吸收所述一次光的一部分，发出具有一次光的波长以上长度波长的二次光的波长变换部(12)，其中，所述波长变换部(12)包含多个绿色或黄色系发光荧光体(14)及红色系发光荧光体(13)，绿色或黄色系发光荧光体(14)由从特定的2价的铕激活硅酸盐荧光体(A－1)、及特定的3价的铈激活硅酸盐荧光体(A－2)中选择的至少1种构成，所述红色系发光荧光体(13)由特定的2价的铕激活氮化物荧光体(B)构成，与原有的发光装置相比效率高，且发出高演色性的白色光。

    半导体发光元件的制造方法
    7.
    发明授权
    半导体发光元件的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN100377377C

    公开(公告)日：2008-03-26

    申请号：CN200510118739.3

    申请日：2005-10-31

    申请人： 夏普株式会社

    发明人： 井口缘织 ,  梅田浩 ,  仓桥孝尚 ,  渡边信幸 ,  村上哲朗

    IPC分类号： H01L33/00

    摘要： 一种半导体发光元件的制造方法，在具有发光层(7)的第一芯片(22)的表面配置对来自发光层(7)的光透明的作为GaP衬底的第二芯片(23)。在夹紧面压5～500kg/cm2的范围内，经由具有应力缓和率1.5～3.0%的缓冲膜(24)对第一及第二芯片(22、23)的接触面作用压缩力，同时，在加热炉中进行加热。可不产生接合不良，而在整个面上接合第一及第二芯片(22、23)。

    发光装置
    8.
    发明公开
    发光装置 有权

    公开(公告)号：CN1924427A

    公开(公告)日：2007-03-07

    申请号：CN200610128820.4

    申请日：2006-08-30

    申请人： 夏普株式会社

    发明人： 增田昌嗣 ,  加藤正明 ,  猪口和彦 ,  梅田浩 ,  目见田裕一 ,  大内田敬 ,  藤田祐介 ,  尾本雅俊

    IPC分类号： F21K2/00 ,  H01L33/00 ,  C09K11/08

    摘要： 提供一种发光装置(10)，具备：发出一次光的发光元件(11)；和吸收所述一次光的一部分，发出具有一次光的波长以上长度波长的二次光的波长变换部(12)，其中，所述波长变换部(12)包含多个绿色或黄色系发光荧光体(14)及红色系荧光发光体(13)，绿色或黄色系发光荧光体(14)由从特定的2价的铕激活硅酸盐荧光体(A－1)、及特定的3价的铈激活硅酸盐荧光体(A－2)中选择的至少1种构成，所述红色系发光荧光体(13)由特定的2价的铕激活氮化物荧光体(B)构成，与原有的发光装置相比效率高，且发出高演色性的白色光。