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公开(公告)号：CN1487637A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03155768.6
申请日：2003-09-01
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/0202 , H01S5/1039
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体激光器的方法，包括以下步骤：在层叠了至少一层发光层的半导体晶片的上表面上形成一电极图形；将所得到的半导体晶片以预定宽度切割成多条半导体条；和把所述的半导体条截断成适当尺寸，以形成半导体激光器，所述的半导体激光器具有一对平行于芯片宽度方向相互间隔一预定的谐振器长的解理面，其中在形成电极图形步骤中所形成的电极图形至少在谐振器长度方向上是连续的。
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