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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1107366C
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN98105474.9
申请日：1998-03-11
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/0062 , H01S5/0421 , H01S5/2231 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体激光器件的制造方法，该激光器件至少具有相继在半导体衬底上形成的光发射部分、顶层和电极，光发射部分包括大致位于该器件厚度中间的光发射层。所述方法包括使用气相外延法生长光发射部分和顶层的步骤，其中顶层的生长速率大于光发射部分的生长速率。
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公开(公告)号：CN1193211A
公开(公告)日：1998-09-16
申请号：CN98105474.9
申请日：1998-03-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S3/18
CPC classification number: H01L33/0062 , H01S5/0421 , H01S5/2231 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体激光器件的制造方法,该激光器件至少具有相继在半导体衬底上形成的光发射部分、顶层和电极,光发射部分包括大致位于该器件厚度中间的光发射层。所述方法包括使用气相外延法生长光发射部分和顶层的步骤,其中顶层的生长速率大于光发射部分的生长速率。
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公开(公告)号：CN1487637A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03155768.6
申请日：2003-09-01
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/0202 , H01S5/1039
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体激光器的方法，包括以下步骤：在层叠了至少一层发光层的半导体晶片的上表面上形成一电极图形；将所得到的半导体晶片以预定宽度切割成多条半导体条；和把所述的半导体条截断成适当尺寸，以形成半导体激光器，所述的半导体激光器具有一对平行于芯片宽度方向相互间隔一预定的谐振器长的解理面，其中在形成电极图形步骤中所形成的电极图形至少在谐振器长度方向上是连续的。
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公开(公告)号：CN1622407A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410095283.9
申请日：2004-11-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体激光元件，包括：第一导电型的覆层；有源层；第二导电型的第一覆层；由第二导电型的第二覆层和第二导电型的盖层构成的脊，它们从第一覆层侧开始按照这种顺序层叠在第二导电型的第一覆层上；形成在除脊顶部以外的脊侧面上的电介质膜；以及覆盖所述脊的金属电极层，其中盖层的底面宽度和第二覆层的顶面宽度几乎相等。由盖层构成的凸起的宽度可形成得比现有技术中的小，因此，可以减少厚膜电极形成之后出现在脊侧面上的空洞部。因此，激光振荡时产生的热量变得很容易散逸，并可获得激光特性和可靠性均提高的激光元件。
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公开(公告)号：CN100346543C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410095283.9
申请日：2004-11-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/227
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体激光元件，包括：第一导电型的覆层；有源层；第二导电型的第一覆层；由第二导电型的第二覆层和第二导电型的盖层构成的脊，它们从第一覆层侧开始按照这种顺序层叠在第二导电型的第一覆层上；形成在除脊顶部以外的脊侧面上的电介质膜；以及覆盖所述脊的金属电极层，其中盖层的底面宽度和第二覆层的顶面宽度几乎相等。由盖层构成的凸起的宽度可形成得比现有技术中的小，因此，可以减少厚膜电极形成之后出现在脊侧面上的空洞部。因此，激光振荡时产生的热量变得很容易散逸，并可获得激光特性和可靠性均提高的激光元件。
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