公开(公告)号：CN101861642B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200880116108.X

申请日：2008-11-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  齐藤裕一 ,  希达亚特·奇斯达琼奴

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 以高的制造效率提供导通电流大、且抑制了截止电流的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管具备：栅极电极；微晶硅层，其包含微晶硅，具有与基板面平行的上面和下面以及被上面和下面隔着的端面；第一接触层和第二接触层，其包含杂质，形成为分别与微晶硅层相接；源极电极，其形成为与第一接触层相接；以及漏极电极，其形成为与第二接触层相接，第一接触层和第二接触层中的至少一方不与微晶硅层的上面和下面相接而仅与端面相接。

公开(公告)号：CN101861642A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200880116108.X

申请日：2008-11-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  齐藤裕一 ,  希达亚特·奇斯达琼奴

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 以高的制造效率提供导通电流大、且抑制了截止电流的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管具备：栅极电极；微晶硅层，其包含微晶硅，具有与基板面平行的上面和下面以及被上面和下面隔着的端面；第一接触层和第二接触层，其包含杂质，形成为分别与微晶硅层相接；源极电极，其形成为与第一接触层相接；以及漏极电极，其形成为与第二接触层相接，第一接触层和第二接触层中的至少一方不与微晶硅层的上面和下面相接而仅与端面相接。