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公开(公告)号:CN110716345B
公开(公告)日:2022-08-16
申请号:CN201910623055.0
申请日:2019-07-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/13357
Abstract: 本发明的芯片安装基板,其包括:在发光区域中以矩阵状排列的多个微发光芯片、以及与所述多个微发光芯片电连接的配线,在对所述多个微发光芯片供给的电流量相同的条件下,所述发光区域具有表示第一亮度的第一区域、表示小于所述第一亮度的第二亮度的第二区域、表示小于所述第一亮度且大于所述第二亮度的第三亮度的第三区域,所述第三区域位于所述第一区域和所述第二区域之间,且所述第三亮度满足下述式(1)以及(2)的关系。(1+k)/(1‑k)≦63.895×tan(0.5°)×500/W+6.0525(1)L2=k×L1(2)(其中,L1表示所述第一亮度,L2表示所述第二亮度,W表示所述第三区域的宽度(单位:mm))。
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公开(公告)号:CN111694177A
公开(公告)日:2020-09-22
申请号:CN202010161094.6
申请日:2020-03-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1333 , G03B17/12 , G03B29/00 , H04N5/225
Abstract: 在具有摄像相机的图像显示装置中,实现一种可抑制显示区域因摄像用窗部而缩小的情况的图像显示装置。在包括摄像用窗部(200)的图像显示装置(10)中,将用于摄像相机(110)的摄像用窗部(200)配置在图像显示区域内,且以满足基于摄像相机(110)的视角(θ)的特定条件的方式而设定边框部的外径(φSTH)。
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公开(公告)号:CN110716345A
公开(公告)日:2020-01-21
申请号:CN201910623055.0
申请日:2019-07-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/13357
Abstract: 本发明的芯片安装基板,其包括:在发光区域中以矩阵状排列的多个微发光芯片、以及与所述多个微发光芯片电连接的配线,在对所述多个微发光芯片供给的电流量相同的条件下,所述发光区域具有表示第一亮度的第一区域、表示小于所述第一亮度的第二亮度的第二区域、表示小于所述第一亮度且大于所述第二亮度的第三亮度的第三区域,所述第三区域位于所述第一区域和所述第二区域之间,且所述第三亮度满足下述式(1)以及(2)的关系。(1+k)/(1-k)≦63.895×tan(0.5°)×500/W+6.0525(1),L2=k×L1(2)(其中,L1表示所述第一亮度,L2表示所述第二亮度,W表示所述第三区域的宽度(单位:mm))。
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公开(公告)号:CN1155055C
公开(公告)日:2004-06-23
申请号:CN99802117.2
申请日:1999-11-11
Applicant: 夏普株式会社 , 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/306 , C11D7/18 , G03F7/42
CPC classification number: H01L21/02071 , C03C23/0075 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D7/3245 , C11D7/36 , C11D11/0047 , C23G1/24 , G02F1/13439 , G03F7/423 , H01L21/0273 , H01L21/31116
Abstract: 本发明公开了一种包含0.1-60%重量氧化剂和0.0001-5%重量螯合剂的清洗剂。在生产半导体集成电路的过程中,用作蚀刻光掩模的光刻胶图案层、以及通过干蚀刻形成的光刻胶残余物容易用该清洗剂去除。在生产用于液晶显示板的基材的过程中,通过干蚀刻形成的来自导电薄膜的残余物也容易去除。在使用该清洗剂的清洗方法中,薄膜电路装置中的布线材料或绝缘材料、或用于生产半导体集成电路和液晶显示板的基材的其它材料不受腐蚀。
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公开(公告)号:CN111694177B
公开(公告)日:2023-04-21
申请号:CN202010161094.6
申请日:2020-03-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1333 , G03B17/12 , G03B30/00 , H04N23/55
Abstract: 在具有摄像相机的图像显示装置中,实现一种可抑制显示区域因摄像用窗部而缩小的情况的图像显示装置。在包括摄像用窗部(200)的图像显示装置(10)中,将用于摄像相机(110)的摄像用窗部(200)配置在图像显示区域内,且以满足基于摄像相机(110)的视角(θ)的特定条件的方式而设定边框部的外径(φSTH)。
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公开(公告)号:CN1288589A
公开(公告)日:2001-03-21
申请号:CN99802117.2
申请日:1999-11-11
Applicant: 夏普株式会社 , 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/308 , G03F7/42
CPC classification number: H01L21/02071 , C03C23/0075 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D7/3245 , C11D7/36 , C11D11/0047 , C23G1/24 , G02F1/13439 , G03F7/423 , H01L21/0273 , H01L21/31116
Abstract: 本发明公开了一种包含0.1—60%重量氧化剂和0.0001—5%重量螯合剂的清洗剂。在生产半导体集成电路的过程中,用作蚀刻光掩模的光刻胶图案层、以及通过干蚀刻形成的光刻胶残余物容易用该清洗剂去除。在生产用于液晶显示板的基材的过程中,通过干蚀刻形成的来自导电薄膜的残余物也容易去除。在使用该清洗剂的清洗方法中,薄膜电路装置中的布线材料或绝缘材料、或用于生产半导体集成电路和液晶显示板的基材的其它材料不受腐蚀。
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