公开(公告)号：CN102856578A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210225714.3

申请日：2012-06-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 长谷川里美 ,  虎太直人 ,  有马智史

IPC: H01M10/052 ,  H01M4/13 ,  H01M2/26

CPC classification number: H01M2/348 ,  H01M2/266 ,  H01M10/0413 ,  H01M10/052 ,  H01M10/058

Abstract: 本发明提供非水系二次电池，其具备：电极，包含具有在绝缘层的双面上形成有导电层的多层结构的集流体、和在所述集流体上形成的活性物质层；贯通构件，由导电性材料构成，且将所述集流体沿厚度方向贯通；和极耳电极，其与所述电极电连接，层叠多个所述电极，并且所述贯通构件的表面上设置有凹凸。

公开(公告)号：CN102150273A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200980135594.4

申请日：2009-06-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  菅胜行 ,  吉冈史善 ,  长谷川里美

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明提供不导致制造成本的增加就能够优化不同的半导体元件的各特性的显示面板(100)。显示面板(100)包括：配置在显示部(101)内的像素TFT(11)；配置在扫描驱动器(102)内的扫描驱动器TFT(12)；和配置在数据驱动器(103)内的数据驱动器(13)。像素TFT(11)、扫描驱动器TFT(12)和数据驱动器TFT(13)的多晶硅膜通过激光照射被多晶化，具有沿着激光的扫描方向的结晶生长方向，像素TFT(11)被配置成多晶硅膜的结晶生长方向与电流路径的方向大致垂直，扫描驱动器TFT(12)和数据驱动器TFT(13)被配置成多晶硅膜的结晶生长方向与电流路径的方向大致平行。

公开(公告)号：CN102856558A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210227927.X

申请日：2012-07-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 有马智史 ,  虎太直人 ,  长谷川里美

IPC: H01M4/70 ,  H01M2/34 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M2/348 ,  H01M2/14 ,  H01M4/661 ,  H01M4/667 ,  H01M4/70

Abstract: 本发明提供集流体和非水系二次电池。一种集流体，其特征在于，具备将用导电层夹持绝缘层而成的多层结构的端部向同一方向翻折两次以上而形成的翻折区域，在所述翻折区域，夹持所述绝缘层的各导电层相互电连接，形成所述翻折区域的集流体端部的内表面之间分离或者部分接触。

公开(公告)号：CN102842735A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210214039.4

申请日：2012-06-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 长谷川里美 ,  虎太直人 ,  有马智史

IPC: H01M10/0525 ,  H01M2/26 ,  H01M10/0585

Abstract: 本发明提供非水系二次电池及其制造方法。该非水系二次电池具备：电极，包含具有在绝缘层的双面上形成有导电层的多层结构的集流体、和在所述集流体上形成的活性物质层；贯通构件，由导电性材料构成，且沿厚度方向将所述集流体贯通；和极耳电极，其与所述电极电连接，层叠多个所述电极，并且层叠的所述电极上设置有插入所述贯通构件的开口部，在所述开口部内配置有与所述贯通构件相接触的导电性构件，所述导电性构件的一部分位于层叠的所述电极之间。