公开(公告)号：CN106663611B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201580044475.3

申请日：2015-08-19

申请人： 城户淳二

发明人： 城户淳二

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/268 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/066 ,  B23K26/352 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01L22/12

摘要： 一种激光退火装置及激光退火方法，其在短时间内有效地进行是否适当地进行了激光退火处理的确认工序。激光退火装置(1)具备：激光源(2)；激光照射光学系统(3)，将从激光源(2)射出的激光照射至处理对象基板(W)的处理区域(Sn)；照明光源(4)，射出可见光区的照明光；照明光学系统(5)，将从照明光源(4)射出的光照射至处理区域(Sn)；及光谱检测部(6)，检测出在用激光进行了退火处理的处理区域(Sn)反射的可见光区的光，并输出其光谱特征。

公开(公告)号：CN109690739A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780055165.0

申请日：2017-06-02

申请人： 株式会社日本制钢所

发明人： 三上贵弘 ,  藤贵洋 ,  铃木祐辉 ,  山口芳広

IPC分类号： H01L21/268 ,  B65G49/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/268 ,  B65G49/05 ,  B65G49/06 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/20 ,  H01L21/677 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/687

摘要： 根据本发明一种实施方式的激光照射装置(1)具有：生成激光束的激光生成装置(14)；使待由所述激光束照射的工件(16)浮起的浮起单元(10)；以及对所述已浮起工件(16)进行传送的传送单元(11)。所述传送单元(11)在不与所述激光束的照射位置(15)交叠的位置处将所述工件(16)保持于其上的同时，对该工件(16)进行传送。采用本发明一种实施方式的激光照射装置(1)可减小激光束的不均匀照射。

公开(公告)号：CN109564857A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201680088082.7

申请日：2016-09-06

申请人： 极光先进雷射株式会社

发明人： 田中智史 ,  若林理

IPC分类号： H01L21/268

CPC分类号： H01L21/67115 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/352 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1285

摘要： 激光退火用的激光装置具有：A.激光振荡器，其输出脉冲激光；以及B.OPS装置，其包含至少1个OPS，该OPS配置在从激光振荡器输出的脉冲激光的光路上，将入射的脉冲激光的脉冲时间宽度展宽，OPS中的延迟光路的长度即延迟光路长度L最小的第1OPS的延迟光路长度L(1)处于下式(A)的范围内，ΔT75％×c≦L(1)≦ΔT25％×c·····式(A)，这里，ΔTa％是表示在从所述激光振荡器输出并入射到所述OPS装置的脉冲激光的输入波形中光强度相对于峰值表现出a％的值的位置的时间全宽，c是光速。

公开(公告)号：CN109427566A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710777285.3

申请日：2017-09-01

申请人： 晶能光电(江西)有限公司

发明人： 黄涛

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67 ,  H01L21/78 ,  B28D5/00

CPC分类号： H01L21/268 ,  B23K26/38 ,  B28D5/0011 ,  B28D5/0058 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/78

摘要： 本发明提供了一种晶圆切割方法，包括：S1提供待切割晶圆片，晶圆片中包括生长衬底和外延结构；S2沿晶圆片的切割槽，从晶圆片正面对外延结构进行一次切割直至露出生长衬底；S3沿一次切割的切痕，从晶圆片正面对生长衬底进行二次切割至预设深度；S4沿二次切割的切痕，从晶圆片背面对其进行劈裂，完成对晶圆片的切割，得到单颗管芯。以此避免现有技术中采用激光一次切割至指定深度的生长衬底的过程中，由大功率激光在晶圆沟槽表面聚集大量热量，因沟槽各类材料差异导致热量分布不均/散热异常等情况破坏管芯表面结构使芯片失效的情况出现。

公开(公告)号：CN109378269A

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201811170358.3

申请日：2018-10-08

申请人： 南开大学

发明人： 吴强 ,  贾子熙 ,  进晓荣

IPC分类号： H01L21/225 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L21/225 ,  H01L21/268

摘要： 本发明公开了一种对半导体表面过饱和掺杂且保持其晶格结构的制备方法。其是利用飞秒激光辐照半导体，在表面形成过饱和掺杂层。飞秒激光作用时间极短，瞬时功率极高，作用材料后降温速率极快，能通过与掺杂原子和半导体晶格的瞬时作用，将大量掺杂原子锁定在晶格中。对半导体加热，较高的衬底温度减缓飞秒激光作用后的瞬时超快降温速率，使缺陷不容易生成，从而保持其良好的晶格结构。本发明还具有工艺简单、易加工和易保存等优点，并且掺杂速度快，灵活性高，可以大面积加工也可以单点或沿预设路径加工。制备出的过饱和掺杂层在距表面0-2000nm的深度范围内，掺杂浓度为1022-1016Atoms/cm3，实现过饱和掺杂的同时保持晶格结构和掺杂原子活性。

公开(公告)号：CN109065441A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201811227807.3

申请日：2014-06-17

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 小野泽勇一 ,  泷下博 ,  吉村尚

IPC分类号： H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L29/08 ,  H01L29/32 ,  H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L29/0615 ,  H01L21/2605 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

摘要： 首先，在n‑型半导体基板的正面侧形成正面元件结构。接着，通过电子射线照射及炉退火在n‑型半导体基板整体形成缺陷(12)，来调整载流子寿命。接着，对n‑型半导体基板的背面进行研磨，使n‑型半导体基板的厚度变薄。然后，从n‑型半导体基板的研磨后的背面侧离子注入n型杂质，在n‑型半导体基板的背面的表面层形成n+型阴极层(4)。从n‑型半导体基板的背面侧进行氢离子注入(14)，在n‑型半导体基板的背面的表面层形成具有氢浓度在块状基板的氢浓度以上的氢注入区域。接着，通过激光退火使n+型阴极层(4)活性化，之后形成阴极电极。因而，不会使漏电流增加，且不会使制造线发生污染，能廉价、局部性地进行载流子寿命控制。

公开(公告)号：CN108780788A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201680081525.X

申请日：2016-04-27

申请人： EO科技股份有限公司

发明人： 郑成钒 ,  文济皓 ,  金秀永 ,  李枓锡

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/268 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L23/544

摘要： 本发明提供一种雷射标记装置。所述雷射标记装置包含：雷射照射单元，其对加工对象物的第一面照射雷射束；及加压单元，其对上述加工对象物的与上述第一面为相反面的第二面进行加压，以使上述加工对象物的上述第一面平坦化；且上述加压单元包含第一加压部，其通过接触方式对上述第二面的边缘区域进行加压；及至少一个第二加压部，其通过非接触方式对上述第二面的中间区域进行加压而将第二加压部与上述第二面的相隔距离保持为特定距离以内。

公开(公告)号：CN108735588A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810304990.6

申请日：2018-04-08

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 服部奈绪

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/6838 ,  H01L2221/68336

摘要： 本发明提供一种分割方法，该分割方法不使芯片彼此接触，而能够更可靠地对被加工物整体进行分割。本发明的分割方法是用于分割板状的被加工物的分割方法，其包括下述步骤：起点区域形成步骤，沿着设定于被加工物的分割预定线形成作为分割的起点的起点区域；加热步骤，在实施起点区域形成步骤之后，对被加工物进行加热；冷却步骤，在实施加热步骤之后，将被加工物冷却；分割步骤，在实施冷却步骤之后，对被加工物施加力，沿着起点区域对被加工物进行分割；以及片粘贴步骤，在实施分割步骤之前，在被加工物上粘贴扩展片，在分割步骤中，通过对该扩展片的扩展而对被加工物施加力。

公开(公告)号：CN108723617A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810343589.3

申请日：2018-04-17

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 中村胜

IPC分类号： B23K26/50 ,  B23K26/08 ,  B23K26/064 ,  B23K26/066 ,  B23K26/70

CPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/032 ,  B23K26/046 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/0823 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/53 ,  B23K37/04 ,  B23K37/0408 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/78 ,  B23K26/50 ,  B23K26/064 ,  B23K26/066 ,  B23K26/702

摘要： 提供激光加工方法，该方法包含：往路高度存储步骤，将高度检测单元定位在晶片的待加工区域而使其与卡盘工作台在往路的X轴方向上相对移动，并检测晶片的高度而将与X坐标对应的高度信息存储在存储器中；返路高度存储步骤，使卡盘工作台和高度检测单元在返路的X轴方向上相对移动，并检测晶片的下一个待加工区域的高度而将与X坐标对应的高度信息存储在存储器中；往路加工步骤，根据所存储的高度信息使聚光器上下移动并使其与卡盘工作台在往路的X轴方向上相对移动而将聚光点定位在晶片的内部而实施加工；返路加工步骤，根据所存储的高度信息使聚光器上下移动并使其与卡盘工作台在返路的X轴方向上相对移动而将聚光点定位在晶片的内部而实施加工。

公开(公告)号：CN108356412A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810048475.6

申请日：2018-01-18

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 伴祐人 ,  吉田侑太 ,  小田中健太郎

IPC分类号： B23K26/20 ,  B23K26/362 ,  B23K26/53

CPC分类号： H01L21/67092 ,  B23K26/032 ,  B23K26/364 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67282 ,  H01L21/681 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/5446 ,  B23K26/206 ,  B23K26/361 ,  B23K26/53

摘要： 提供激光加工装置，能够对被加工物的所有的分割预定线适当地形成贯通槽。该激光加工装置具有：卡盘工作台(10)，其对封装晶片(201)进行保持；激光光线照射单元(20)，其对封装晶片(201)照射脉冲激光光线；X轴移动构件(30)，其使卡盘工作台(10)在X轴方向上移动；拍摄单元(50)，其对封装晶片(201)进行拍摄；以及控制单元(60)。卡盘工作台(10)包含透明或半透明的保持部件(11)和发光体。控制单元(60)具有：拍摄指示部(61)，其在封装晶片(201)被照射脉冲激光光线而形成贯通槽的同时使拍摄单元(50)对封装晶片(201)进行拍摄；以及判定部(62)，其根据由拍摄指示部(61)的指示而得到的拍摄图像对贯通槽的加工状态进行判定。