公开(公告)号：CN100551205C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200510109804.6

申请日：2005-06-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： D·R·埃文斯 ,  J·W·哈特泽尔

IPC: H05K3/00 ,  G02F1/1345

CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1657 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/50 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885

Abstract: 提供一种用于电成型金属集成电路结构的方法。该方法包括：穿过层间绝缘体形成诸如通孔或线的开口，露出基片表面；形成覆盖层间绝缘体和基片表面的基层；形成覆盖基层的触击层；形成覆盖触击层的顶层；选择性地蚀刻以去除覆盖基片表面的顶层，露出触击层表面；以及，电成型覆盖触击层表面的金属结构。电成型的金属结构使用电镀或者无电沉积方法沉积。典型地，该金属是Cu、Au、Ir、Ru、Rh、Pd、Os、Pt或者Ag。基层、触击层和顶层可使用物理气相淀积(PVD)、蒸发法、反应溅射或者金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法沉积。

公开(公告)号：CN1764349A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510109804.6

申请日：2005-06-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： D·R·埃文斯 ,  J·W·哈特泽尔

IPC: H05K3/00 ,  G02F1/1345

CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1657 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/50 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885

Abstract: 提供一种用于电成型金属集成电路结构的方法。该方法包括：穿过层间绝缘体形成诸如通孔或线的开口，露出基片表面；形成覆盖层间绝缘体和基片表面的基层；形成覆盖基层的触击层；形成覆盖触击层的顶层；选择性地蚀刻以去除覆盖基片表面的顶层，露出触击层表面；以及，电成型覆盖触击层表面的金属结构。电成型的金属结构使用电镀或者无电沉积方法沉积。典型地，该金属是Cu、Au、Ir、Ru、Rh、Pd、Os、Pt或者Ag。基层、触击层和顶层可使用物理气相淀积(PVD)、蒸发法、反应溅射或者金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法沉积。