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公开(公告)号：CN100551205C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200510109804.6
申请日：2005-06-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H05K3/00 , G02F1/1345
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/1605 , C23C18/165 , C23C18/1657 , C25D1/003 , C25D5/022 , C25D5/50 , H01L21/2885 , H01L21/76885
Abstract: 提供一种用于电成型金属集成电路结构的方法。该方法包括：穿过层间绝缘体形成诸如通孔或线的开口，露出基片表面；形成覆盖层间绝缘体和基片表面的基层；形成覆盖基层的触击层；形成覆盖触击层的顶层；选择性地蚀刻以去除覆盖基片表面的顶层，露出触击层表面；以及，电成型覆盖触击层表面的金属结构。电成型的金属结构使用电镀或者无电沉积方法沉积。典型地，该金属是Cu、Au、Ir、Ru、Rh、Pd、Os、Pt或者Ag。基层、触击层和顶层可使用物理气相淀积(PVD)、蒸发法、反应溅射或者金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法沉积。
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公开(公告)号：CN1764349A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510109804.6
申请日：2005-06-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H05K3/00 , G02F1/1345
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/1605 , C23C18/165 , C23C18/1657 , C25D1/003 , C25D5/022 , C25D5/50 , H01L21/2885 , H01L21/76885
Abstract: 提供一种用于电成型金属集成电路结构的方法。该方法包括：穿过层间绝缘体形成诸如通孔或线的开口，露出基片表面；形成覆盖层间绝缘体和基片表面的基层；形成覆盖基层的触击层；形成覆盖触击层的顶层；选择性地蚀刻以去除覆盖基片表面的顶层，露出触击层表面；以及，电成型覆盖触击层表面的金属结构。电成型的金属结构使用电镀或者无电沉积方法沉积。典型地，该金属是Cu、Au、Ir、Ru、Rh、Pd、Os、Pt或者Ag。基层、触击层和顶层可使用物理气相淀积(PVD)、蒸发法、反应溅射或者金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法沉积。
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公开(公告)号：CN1581435A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410056667.X
申请日：2004-08-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , H01L21/31691 , H01L28/20 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1608
Abstract: 形成用于RRAM的、具有双极电脉冲切换特性的PCMO薄膜。本发明的在RRAM器件上形成PCMO薄膜的方法包括：在衬底上的金属隔离层上形成底部电极；利用PCMO前体，在底部电极上旋转涂布Pr1－xCaxMnO3层；在1道或以上的焙烤工序中焙烤该PCMO薄膜；在各旋转涂布工序之后，在第1退火工序中退火该PCMO薄膜；反复进行旋转涂布工序、焙烤工序及第1退火工序，直到使该PCMO薄膜达到期望的厚度；在第2退火工序中退火该PCMO薄膜，由此生成具有0.2≤X≤0.5的、Pr1－xCaxMnO3结晶构造的PCMO薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1574295A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410045716.X
申请日：2004-05-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L21/8247 , H01L21/82 , H01L27/115 , H01L27/10
CPC classification number: G11C13/0007 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C2213/31 , G11C2213/52 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/147
Abstract: 本发明提供一种不对称存储单元和用于形成不对称存储单元的方法。方法包括：形成具有第一面积的底部电极；在底部电极上形成电脉冲变化电阻(EPVR)材料；在EPVR层上形成具有比第一面积小的第二面积的顶部电极。在一些方面，第二面积比第一面积小至少20％。EPVR材料是诸如超大磁致电阻(CMR)材料、高温超导(HTSC)材料或钙钛矿金属氧化物材料的材料。本方法进一步包括：在电极之间感应电场；感应电流使其流过邻近顶部电极的EPVR；以及响应流过邻近顶部电极的EPVR的感应电流，调整EPVR的电阻。典型地，在100欧姆－10兆欧范围内调整电阻。
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公开(公告)号：CN1316563C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200410056667.X
申请日：2004-08-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , H01L21/31691 , H01L28/20 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1608
Abstract: 形成用于RRAM的、具有双极电脉冲切换特性的PCMO薄膜。本发明的在RRAM器件上形成PCMO薄膜的方法包括：在衬底上的金属隔离层上形成底部电极；利用PCMO前体，在底部电极上旋转涂布Pr1-XCaXMnO3层；在1道或以上的焙烤工序中焙烤该PCMO薄膜；在各旋转涂布工序之后，在第1退火工序中退火该PCMO薄膜；反复进行旋转涂布工序、焙烤工序及第1退火工序，直到使该PCMO薄膜达到期望的厚度；在第2退火工序中退火该PCMO薄膜，由此生成具有0.2≤X≤0.5的、Pr1-XCaXMnO3结晶构造的PCMO薄膜。
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公开(公告)号：CN1581372A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410049027.6
申请日：2004-06-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01C17/00 , H01C17/14 , H01C17/065 , H01C7/00 , H01L21/00
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1608
Abstract: 一种当与高度结晶的晶种层结合时，在PCMO薄膜上获得可逆电阻转换的方法，其包括：通过MOCVD以高度结晶的形式沉积厚度为约50A～300A的PCMO薄膜的晶种层；通过旋涂法将厚度为约500A～3000A的第二PCMO薄膜层沉积在该晶种层上以形成复合PCMO层；通过施加脉冲宽度为约75ns～1μs的、约－4V～－5V的负电脉冲提高半导体设备中复合PCMO膜的电阻；通过施加脉冲宽度大于2.0μs的、约+2.5V～+4V的正电脉冲降低半导体设备中复合PCMO层的电阻。
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公开(公告)号：CN1532303A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410030292.X
申请日：2004-02-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , C23C16/40 , C23C16/42 , G11C2213/31 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1616
Abstract: 提供一种单一溶液MOCVD先驱物，以便淀积PCMO。提供采用决定先驱物溶液内各金属分成的淀积速度，根据在衬底温度和蒸发器温度的温度范围内各自的淀积速度和淀积的PCMO的组成决定金属的摩尔比，控制PCMO的组成的MOCVD工艺。PCMO的组成通过调节衬底温度，蒸发器温度或其两者而进一步控制。
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公开(公告)号：CN1298887C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200410030292.X
申请日：2004-02-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , C23C16/40 , C23C16/42 , G11C2213/31 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1616
Abstract: 提供一种单一溶液MOCVD先驱物，以便淀积PCMO。提供采用决定先驱物溶液内各金属分成的淀积速度，根据在衬底温度和蒸发器温度的温度范围内各自的淀积速度和淀积的PCMO的组成决定金属的摩尔比，控制PCMO的组成的MOCVD工艺。PCMO的组成通过调节衬底温度，蒸发器温度或其两者而进一步控制。
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