公开(公告)号：CN1855565A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610077689.3

申请日：2006-04-28

申请人： 夏普株式会社

发明人： S·E·霍珀 ,  V·鲍斯奎特 ,  J·赫弗尔南

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01S5/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3416

摘要： 一种制造氮化物半导体器件的方法包括以下步骤：生长InxGa1－xN(0≤x≤1)层；在至少500℃的生长温度时在所述InxGa1－xN层上生长含铝的氮化物半导体层，使得电子气区由此形成于所述InxGa1－xN层和氮化物半导体层之间的界面处，随后，以至少800℃的温度对所述氮化物半导体层进行退火。本发明的方法可以提供具有6×1013cm－2或以上的片载流子密度的电子气。可以用具有相对较低铝浓度(诸如0.3或以下的铝摩尔分数)的含铝的氮化物半导体层获得具有这种高片载流子浓度的电子气，且不需要掺杂该含铝的氮化物半导体层或InxGa1－xN层。

公开(公告)号：CN100477304C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610077689.3

申请日：2006-04-28

申请人： 夏普株式会社

发明人： S·E·霍珀 ,  V·鲍斯奎特 ,  J·赫弗尔南

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01S5/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3416

摘要： 一种制造氮化物半导体器件的方法包括以下步骤：生长InxGa1-xN(0≤x≤1)层；在至少500℃的生长温度时在所述InxGa1-xN层上生长含铝的氮化物半导体层，使得电子气区由此形成于所述InxGa1-xN层和氮化物半导体层之间的界面处，随后，以至少800℃的温度对所述氮化物半导体层进行退火。本发明的方法可以提供具有6×1013cm-2或以上的片载流子密度的电子气。可以用具有相对较低铝浓度(诸如0.3或以下的铝摩尔分数)的含铝的氮化物半导体层获得具有这种高片载流子浓度的电子气，且不需要掺杂该含铝的氮化物半导体层或InxGa1-xN层。