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公开(公告)号：CN1555570A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN02818270.7
申请日：2002-07-31
申请人： 伊利诺斯州大学管理委员会 , 德克萨斯州系统大学管理委员会
CPC分类号： B82Y20/00 , B82Y10/00 , H01L29/125 , H01L29/127 , H01L33/06 , H01S5/341 , H01S5/3412 , H01S5/3416 , H01S5/3425
摘要： 一种形成半导体器件的方法包括如下步骤：提供多个半导体层；提供用于将信号耦合到所述器件的多层和/或从所述器件的多层耦合信号的装置；提供设置在所述器件的相邻层之间的量子阱；和提供设置在一个所述相邻层中的量子点(825，875)层，且该量子点层与所述量子阱隔开，因此载流子能够以任意方向在所述量子阱和所述量子点之间隧穿。
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公开(公告)号：CN104412148B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201380036351.1
申请日：2013-05-17
申请人： 菲尼萨公司
发明人： 松井康浩
CPC分类号： H01S5/0085 , B82Y20/00 , H01S5/0035 , H01S5/02276 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/06226 , H01S5/06256 , H01S5/1221 , H01S5/20 , H01S5/34 , H01S5/3415 , H01S5/3416 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/3434 , H04B10/504
摘要： 在一个实施例中，分布布拉格反射器(DBR)激光器包括增益部分和无源部分。增益部分包括有源区、上部分离约束异质结构(SCH)和下部SCH。上部SCH在有源区的上方并且具有至少60纳米(nm)的厚度。下部SCH在有源区的下方并且具有至少60nm的厚度。无源部分与增益部分耦合，该无源部分具有与有源区进行光通信的DBR。
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公开(公告)号：CN1855565A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610077689.3
申请日：2006-04-28
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01S5/00
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/3407 , H01S5/3416
摘要： 一种制造氮化物半导体器件的方法包括以下步骤：生长InxGa1－xN(0≤x≤1)层；在至少500℃的生长温度时在所述InxGa1－xN层上生长含铝的氮化物半导体层，使得电子气区由此形成于所述InxGa1－xN层和氮化物半导体层之间的界面处，随后，以至少800℃的温度对所述氮化物半导体层进行退火。本发明的方法可以提供具有6×1013cm－2或以上的片载流子密度的电子气。可以用具有相对较低铝浓度(诸如0.3或以下的铝摩尔分数)的含铝的氮化物半导体层获得具有这种高片载流子浓度的电子气，且不需要掺杂该含铝的氮化物半导体层或InxGa1－xN层。
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公开(公告)号：CN104412148A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380036351.1
申请日：2013-05-17
申请人： 菲尼萨公司
发明人： 松井康浩
CPC分类号： H01S5/0085 , B82Y20/00 , H01S5/0035 , H01S5/02276 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/06226 , H01S5/06256 , H01S5/1221 , H01S5/20 , H01S5/34 , H01S5/3415 , H01S5/3416 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/3434 , H04B10/504
摘要： 在一个实施例中，分布布拉格反射器(DBR)激光器包括增益部分和无源部分。增益部分包括有源区、上部分离约束异质结构(SCH)和下部SCH。上部SCH在有源区的上方并且具有至少60纳米(nm)的厚度。下部SCH在有源区的下方并且具有至少60nm的厚度。无源部分与增益部分耦合，该无源部分具有与有源区进行光通信的DBR。
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公开(公告)号：CN100477304C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610077689.3
申请日：2006-04-28
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01S5/00
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/3407 , H01S5/3416
摘要： 一种制造氮化物半导体器件的方法包括以下步骤：生长InxGa1-xN(0≤x≤1)层；在至少500℃的生长温度时在所述InxGa1-xN层上生长含铝的氮化物半导体层，使得电子气区由此形成于所述InxGa1-xN层和氮化物半导体层之间的界面处，随后，以至少800℃的温度对所述氮化物半导体层进行退火。本发明的方法可以提供具有6×1013cm-2或以上的片载流子密度的电子气。可以用具有相对较低铝浓度(诸如0.3或以下的铝摩尔分数)的含铝的氮化物半导体层获得具有这种高片载流子浓度的电子气，且不需要掺杂该含铝的氮化物半导体层或InxGa1-xN层。
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