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公开(公告)号：CN100479119C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200580004977.X
申请日：2005-02-16
IPC: H01L21/336 , H01L21/316 , H01L29/786
Abstract: 在薄膜晶体管(1)的制造方法中，将表面要形成栅极氧化膜(4)的被处理基板(2)浸渍到含有活性氧化种的氧化性溶液中，将被处理基板(2)上的多晶硅(51)直接氧化，由此形成栅极氧化膜(4)；通过进行这种氧化膜形成工序，使二氧化硅膜(41)在被处理基板(2)方向上生长，同时形成二氧化硅膜(42)。由此，能够保持多晶硅(51)与栅极氧化膜(4)的界面的洁净，能够均匀地形成绝缘耐受性等特性优异的高品质的栅极氧化膜(4)。因此，能够提供具备绝缘耐受性等性能优异的、在低温下可以形成的、高品质的氧化膜的薄膜晶体管(1)。
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公开(公告)号：CN1918701A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200580004977.X
申请日：2005-02-16
IPC: H01L21/336 , H01L21/316 , H01L29/786
Abstract: 在薄膜晶体管(1)的制造方法中，将表面要形成栅极氧化膜(4)的被处理基板(2)浸渍到含有活性氧化种的氧化性溶液中，将被处理基板(2)上的多晶硅(51)直接氧化，由此形成栅极氧化膜(4)；通过进行这种氧化膜形成工序，使二氧化硅膜(41)在被处理基板(2)方向上生长，同时形成二氧化硅膜(42)。由此，能够保持多晶硅(51)与栅极氧化膜(4)的界面的洁净，能够均匀地形成绝缘耐受性等特性优异的高品质的栅极氧化膜(4)。因此，能够提供具备绝缘耐受性等性能优异的、在低温下可以形成的、高品质的氧化膜的薄膜晶体管(1)。
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公开(公告)号：CN110191699A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201780052364.6
申请日：2017-07-27
Applicant: 小林光 , KIT股份有限公司 , 日新化成股份有限公司
IPC: A61K8/19 , A61K8/25 , A61K33/00 , A61K33/10 , A61Q19/00 , A61Q19/10 , C01B3/08 , C01B33/02 , C02F1/68 , C11D7/02
Abstract: 一种作为本发明的氢供给材料的层状固形剂，具备有：具有氢生成能力的硅细颗粒或其聚集体；及与所述硅细颗粒或其聚集体接触的生理学上可接受的介质。此外，此氢供给材料是通过介质使上述氢接触皮肤及/或黏膜的氢供给材料。
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公开(公告)号：CN102822992A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180009088.8
申请日：2011-02-14
Applicant: 小林光 , 佳能市场营销日本株式会社
Inventor： 小林光
IPC: H01L31/04 , H01L21/306
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/02363 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T442/10
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，包括将氧化且溶解处理对象基板(20)的处理液(19)供给至处理对象基板(20)的表面上的供给步骤；将具有触媒材的网目状转印用组件(10b)设成接触或接近至此处理对象基板(20)的表面的配置状态的配置步骤；以及通过前述供给步骤及前述配置步骤以形成表面呈凹凸面的处理对象基板(20)的凹凸形成步骤。根据此半导体装置的制造方法，并非如目前为止具有任意性高，换言之，再现性低的凹凸的半导体基板，而是在转印用组件的阶段，只要事先形成凹凸形状或网目形状，即可稳定地制造出具有一定水平的凹凸形状的半导体基板的半导体装置。
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公开(公告)号：CN106415897A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201480079578.9
申请日：2014-06-11
IPC: H01M4/38
Abstract: 本发明的一锂离子电池的负极材料具有将晶体硅粉碎而成的硅微粒。本发明的另一锂离子电池的负极材料如下：利用X射线衍射可测得由晶体硅形成的多个硅微粒在2θ＝28.4°附近归属于Si(111)的衍射峰的强度，该强度大于其他衍射峰的强度。通过采用上述各种负极材料，能够得到一种锂离子电池，即使反复对其充放电，充放电容量也难以发生变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103858219A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201280048440.3
申请日：2012-08-07
Applicant: 小林光
Inventor： 小林光
IPC: H01L21/67 , H01L31/0216 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L21/67057 , H01L21/67086 , H01L31/02168 , H01L31/02363 , Y02E10/50 , H01L31/0236
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括将氧化且溶解处理对象（20）的处理液（19）供给处理对象（20）表面上的供给工序；以及将形成有通孔及/或非通孔的催化剂材料（17）设成接触或接近至处理对象（20）的表面的配置状态的配置工序。根据该半导体器件的制造方法，并非具有如迄今为止任意性高，也就是，再现性低的形状，而是通过预先使催化剂材料（17）具有所需的形状，即可稳定地制造出具备具有一定水准的凹凸形状、或纳米级的微结晶状或多孔状的层的半导体层或半导体衬底的半导体器件。
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公开(公告)号：CN110225890A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201780051862.9
申请日：2017-07-13
Applicant: 小林光 , KIT股份有限公司 , 日新化成股份有限公司
Abstract: 在乙醇中将硅细颗粒粉碎而得到硅细纳米颗粒及/或其一部分成为聚集体者，使其接触过氧化氢(H2O2)溶液之后，通过与水或水溶液接触而生成氢，而得到在所述水或所述水溶液中具有预定的受控制的氢浓度的含氢溶液或富氢水。在此含氢溶液或富氢水的制造中，将硅细颗粒作为起始材料，可以安全并有效地制造包含具有实用性的浓度与量的溶解氢的富氢水。因此，不但能有效利用硅细颗粒，对环境保护产生贡献，而且特别是在健康与医疗领域对有效提高氢生成材料及富氢水的活体安全性或大幅削减制造成本上作出贡献。
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公开(公告)号：CN102844846B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201080063790.8
申请日：2010-07-29
Inventor： 小林光
IPC: H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，包括通过使半导体与由浓度为60wt％以上99.9wt％以下的硝酸沸腾所生成的硝酸蒸气接触，而在前述半导体的表面上及/或背面上形成绝缘膜的步骤。本发明通过采用此制造方法，而可降低半导体表面区域中的表面再结合，换言之，可以获得均质性良好，且能够实现半导体表面钝化的绝缘膜，以致得以显著提高太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN110191860A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201780051870.3
申请日：2017-07-27
Applicant: 小林光 , KIT股份有限公司 , 日新化成股份有限公司
Abstract: 一种调配物(100)，包括具有氢生成能力的硅细颗粒或其聚集体。由于所述硅细颗粒或所述聚集体具有氢生成能力，例如，对于动物，通过摄取所述调配物，可以在体内生成氢。此外，对于植物，例如，通过在给与的水分(含水液体)或肥料等中放置或投入所述调配物，由所述调配物生成的氢可以供给所述植物。
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公开(公告)号：CN108601798A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780008361.2
申请日：2017-01-12
Abstract: 本发明的一固体制剂以硅微粒为主要成分且具有析氢能力。该固体制剂的一具体例主要以微晶直径在1nm以上且100nm以下的硅微粒为主要成分，且当与pH值在7以上的含水液体接触时，该固体制剂具有3ml/g以上的析氢能力。根据该固体制剂，当硅微粒与pH值在7以上的含水液体接触时会析出氢。因此，利用该特征能够促进氢析出(例如，口服且通过胃以后，在消化道内因分泌胰液而使pH值达到7以上的区域会析出氢)。
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