空气分离方法及其设备
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1164014A

    公开(公告)日:1997-11-05

    申请号:CN96101973.5

    申请日:1996-04-16

    IPC分类号: F25J3/02

    摘要: 一种空气分离方法,包括将压缩空气引入吸附塔8和9,以通过吸附除去二氧化碳和水,低温液化和精馏经过吸附塔8和9的空气以将该空气分离成氮气和氧气,其特征在于在将压缩空气引入吸附塔8和9之前,处于由空气被压缩时产生的压缩热加热后温度的压缩空气,被冷却并被引入冷冻器4,以除去压缩空气中的水分,然后经过冷冻器4后的空气被引入催化塔7,以氧化空气中的一氧化碳和氢。本方法的优点是催化塔中的催化剂不会发生早期中毒,因此可长时间免维护和成本低。

    制氧装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1137020A

    公开(公告)日:1996-12-04

    申请号:CN95108524.7

    申请日:1995-06-01

    发明人: 吉野明

    IPC分类号: C01B13/00 F25J3/08

    摘要: 制氧装置包括:液化分离经热交换器冷却至低温的压缩空气的精馏塔,将精馏塔内的液态氧作为制冷剂导入热交换器,通过热交换而气化成为气体氧气的液态氧取出回路,从液态氧取出回路前端延伸的经热交换装置使气体氧升温至成品的成品氧气取出回路。还设有在液态氧取出回路对液态氧加压的加压装置,在成品氧气取出回路上的热交换装置的上游侧设有膨胀透平。由精馏塔取出的液态氧在液态下加压后导入膨胀透平内产生冷量,将冷量送到热交换器中作为装置的冷源。

    半导体材料的制造方法及所用设备

    公开(公告)号:CN1163951A

    公开(公告)日:1997-11-05

    申请号:CN96123375.3

    申请日:1996-11-21

    IPC分类号: C30B35/00

    摘要: 诸如晶锭或晶片的半导体材料的制造方法及所用设备。在半导体材料表面加腐蚀气体,同时对半导体材料表面的预定部分进行激光或光量子辐射,使腐蚀气体的气体组分激活,半导体材料组分与激活的气体组分化学反应,使其挥发并除去。因此能卫生地、容易而高精度地制造半导体材料。