微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117819965A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202311872905.3

    申请日:2023-12-29

    摘要: 本申请属于陶瓷技术领域,尤其涉及一种微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用。其中,微波介质陶瓷材料包括化学表达式为xAMoO4‑yLi2MoO4的陶瓷固溶体;其中,A位包括至少五种过渡金属元素,所述过渡金属元素的总摩尔含量为100%,0<x<1,0<y<1,且x+y=1。通过陶瓷固溶体中各组分的共同作用,使微波介质陶瓷材料的烧结温度降到700℃以下,具有较高的相对介电常数和品质因数,较低的温漂系数等微波介电性能,提高了微波通讯传输效率、降低信号损耗、减少干扰,能更有效地储存和释放能量,并且陶瓷材料受温度变化的影响较小,提高了微波介电性能和使用寿命的稳定性。

    微波介质陶瓷材料及其制备方法、微波介质陶瓷器件

    公开(公告)号:CN115959895B

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202211598271.2

    申请日:2022-12-12

    摘要: 本申请属于陶瓷材料技术领域,尤其涉及一种微波介质陶瓷材料及其制备方法,以及一种微波介质陶瓷器件。其中,所述微波介质陶瓷材料的化学表达式为xMg2SiO4‑yA‑zM,其中,A包括SiO2,M包括TiO2、CaTiO3、SrTiO3中的至少一种,x、y和z之和为1。通过微波介质陶瓷材料中各组分的协同配合作用,使得其同时具有较低的介电常数、近零的频率温度系数和高品质因数等特性,其εr为9.4~11.64,品质因数(Q×f)值高达92000GHz,谐振频率温度系数τf基本为‑10~+10ppm/℃,可更好用于陶瓷介质波导、单块滤波器、介质天线等通信器件的制备,满足通信基站

    微波介质陶瓷材料及其制备方法、微波介质陶瓷器件

    公开(公告)号:CN115959898A

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202211597770.X

    申请日:2022-12-12

    IPC分类号: C04B35/453 C04B35/622

    摘要: 本申请属于陶瓷材料技术领域,尤其涉及一种微波介质陶瓷材料及其制备方法,以及一种微波介质陶瓷器件。其中,所述微波介质陶瓷材料的化学表达式为x Zn2SiO4‑y A‑z M,其中,A包括SiO2,M包括TiO2、CaTiO3、SrTiO3中的至少一种,x、y和z之和为1。通过微波介质陶瓷材料中各组分的协同配合作用,使得其同时具有较低的介电常数、近零的频率温度系数和高品质因数等特性,其εr为6~8,品质因数(Q×f)值高达112000GHz,谐振频率温度系数τf基本为‑10~+10ppm/℃,可更好用于陶瓷介质波导、单块滤波器、介质天线等通信器件的制备,满足通信基站等系统的技术需求。

    调谐组件、滤波器及调谐方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115084809A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202210700044.X

    申请日:2022-06-20

    IPC分类号: H01P1/207

    摘要: 本申请涉及通信技术领域,提供一种调谐组件、滤波器及调谐方法,调谐组件用于调节滤波器的谐振频率,滤波器包括腔体和盖板,腔体或盖板具有变形区域,调谐组件包括:第一调谐结构,第一调谐结构用于对变形区域的第一部分进行施力,以使变形区域发生形变;以及第二调谐结构,第二调谐结构能够相对于第一调谐结构发生移动;第二调谐结构用于对变形区域的第二部分进行施力,以使变形区域发生形变;其中,第二部分的位置不同于第一部分的位置。本申请提供的调谐组件,可以提高对变形区域的形变量的控制度,进而提高调节谐振频率的准确度。

    微波介质陶瓷材料及其制备方法、微波介质陶瓷器件

    公开(公告)号:CN115959898B

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202211597770.X

    申请日:2022-12-12

    IPC分类号: C04B35/453 C04B35/622

    摘要: 本申请属于陶瓷材料技术领域,尤其涉及一种微波介质陶瓷材料及其制备方法,以及一种微波介质陶瓷器件。其中,所述微波介质陶瓷材料的化学表达式为x Zn2SiO4‑y A‑z M,其中,A包括SiO2,M包括TiO2、CaTiO3、SrTiO3中的至少一种,x、y和z之和为1。通过微波介质陶瓷材料中各组分的协同配合作用,使得其同时具有较低的介电常数、近零的频率温度系数和高品质因数等特性,其εr为6~8,品质因数(Q×f)值高达112000GHz,谐振频率温度系数τf基本为‑10~+10ppm/℃,可更好用于陶瓷介质波导、单块滤波器、介质天线等通信器件的制备,满足通信基站等系统的技术需求。

    连接器公头、连接器母头及连接器组件

    公开(公告)号:CN115732997A

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202211626497.9

    申请日:2022-12-16

    IPC分类号: H01R13/64 H01R13/631

    摘要: 本申请涉及连接器技术领域,提供一种连接器公头、连接器母头及连接器组件,连接器公头包括第一外壳以及多个公头单体,第一外壳具有用于与连接器母头的连接配合端相连接的连接端,以及多个贯穿连接端的第一装配面的第一装配通孔;多个公头单体分别设置于多个第一装配通孔中,分别用于与连接器母头的多个母头单体电连接;其中,第一装配面上设有第一定位部,第一定位部偏离第一外壳的轴心线,第一定位部用于与连接配合端上的第一定位配合部相插接配合。本申请可实现连接器公头与连接器母头之间的定位,可防止多个公头单体与多个母头单体之间发生错位连接,进而有效降低连接器公头和连接器母头相连接时发生连接错误的可能性。

    滤波器及其加工方法和天线滤波器一体化结构

    公开(公告)号:CN113471652A

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202110742161.8

    申请日:2021-06-30

    发明人: 温世议 袁昕

    摘要: 本申请公开了一种滤波器及其加工方法和天线滤波器一体化结构,包括底板、筋条结构和盖板,筋条结构设置在所述底板上,盖板盖合在筋条结构上,所述筋条结构包括至少两根筋条,与所述盖板配合设置,形成腔体;所述筋条包括多个固定柱和多个多个连接部;多个固定柱设置在底板上,与盖板固定连接;多个连接部设置在底板上,分别连接相邻的两个固定柱,所述连接部的高度与所述固定柱的高度相同,所述连接部的顶部与所述固定柱的顶部在同一水平面上;所述连接部的顶部的宽度小于等于2.5毫米,大于等于0.5毫米。通过调整连接连接部的宽度,减少筋条与盖板的接触面,形成窄边接触,从而增大压强,保证腔体的密封效果,改善滤波器的谐振效果。

    滤波器及其加工方法和天线滤波器一体化结构

    公开(公告)号:CN113471652B

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202110742161.8

    申请日:2021-06-30

    发明人: 温世议 袁昕

    摘要: 本申请公开了一种滤波器及其加工方法和天线滤波器一体化结构,包括底板、筋条结构和盖板,筋条结构设置在所述底板上,盖板盖合在筋条结构上,所述筋条结构包括至少两根筋条,与所述盖板配合设置,形成腔体;所述筋条包括多个固定柱和多个多个连接部;多个固定柱设置在底板上,与盖板固定连接;多个连接部设置在底板上,分别连接相邻的两个固定柱,所述连接部的高度与所述固定柱的高度相同,所述连接部的顶部与所述固定柱的顶部在同一水平面上;所述连接部的顶部的宽度小于等于2.5毫米,大于等于0.5毫米。通过调整连接连接部的宽度,减少筋条与盖板的接触面,形成窄边接触,从而增大压强,保证腔体的密封效果,改善滤波器的谐振效果。

    谐振柱的制备方法、谐振柱及滤波器

    公开(公告)号:CN116404392A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310524393.5

    申请日:2023-05-09

    IPC分类号: H01P11/00 H01P7/10 H01P1/20

    摘要: 本发明涉及通信设备技术领域,提供一种谐振柱的制备方法、谐振柱及滤波器,该谐振柱的制备方法的步骤包括:配制谐振柱原材料,其中,各组分的重量百分比为硅45%~70%,镁0.2%~0.4%,铁0.1%~0.15%,其余的为铝;将称重好的谐振柱原材料制备为合金粉体后再细化;最后,将细化后的合金粉体装入纯铝包套,经热挤压成型。通过上述方法制备的谐振柱的密度更轻,同时,具有更低的热膨胀系数和更高的热导率。

    微波介质陶瓷材料及其制备方法、微波介质陶瓷器件

    公开(公告)号:CN115959895A

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202211598271.2

    申请日:2022-12-12

    摘要: 本申请属于陶瓷材料技术领域,尤其涉及一种微波介质陶瓷材料及其制备方法,以及一种微波介质陶瓷器件。其中,所述微波介质陶瓷材料的化学表达式为xMg2SiO4‑yA‑zM,其中,A包括SiO2,M包括TiO2、CaTiO3、SrTiO3中的至少一种,x、y和z之和为1。通过微波介质陶瓷材料中各组分的协同配合作用,使得其同时具有较低的介电常数、近零的频率温度系数和高品质因数等特性,其εr为9.4~11.64,品质因数(Q×f)值高达92000GHz,谐振频率温度系数τf基本为‑10~+10ppm/℃,可更好用于陶瓷介质波导、单块滤波器、介质天线等通信器件的制备,满足通信基站等系统的技术需求。